Der 12-Zoll-Saphir-Wafer ist ein hochleistungsfähiges einkristallines Aluminiumoxid (Al₂O₃)-Substrat, das für fortschrittliche Halbleiter-, optoelektronische und Hochtemperaturanwendungen entwickelt wurde. Es wird aus ultrahochreinem Saphir-Kristall mit einem Reinheitsgrad von ≥99,99% hergestellt, was eine hervorragende strukturelle Einheitlichkeit und eine geringe Defektdichte gewährleistet.
Saphir ist weithin bekannt für seine außergewöhnliche mechanische Härte, chemische Stabilität und optische Transparenz, was es zu einem der zuverlässigsten Substratmaterialien für extreme Umgebungen macht. Das 12-Zoll-Format stellt eine High-End-Wafergröße im industriellen Maßstab dar, die für die Massenproduktion von LED-Epitaxieschichten und fortschrittlichen elektronischen Geräten konzipiert ist.
Im Gegensatz zu Silizium ist Saphir ein elektrischer Isolator und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine Hochfrequenzisolierung, thermische Stabilität und optische Transparenz erfordern.
Materialeigenschaften
Saphir (α-Al₂O₃) ist ein einkristallines Material mit einer einzigartigen Kombination von physikalischen Eigenschaften:
- Extrem hohe Härte (Mohs 9)
- Hervorragende Widerstandsfähigkeit gegen Temperaturschocks und hohe Umgebungstemperaturen
- Hervorragende chemische Beständigkeit gegen Säuren und Laugen
- Breiter optischer Übertragungsbereich (UV bis mittleres Infrarot nach dem Polieren)
- Hohe Durchschlagsfestigkeit und elektrische Isolierung
Diese Eigenschaften machen Saphirwafer zu einer bevorzugten Wahl für die Herstellung von LEDs, RF-Geräten, Lasersystemen und Elektronik für die Luft- und Raumfahrt.
Polieren und Oberflächenqualität
Dieses Produkt unterstützt sowohl DSP- (Double-Side-Polishing) als auch SSP- (Single-Side-Polishing) Verfahren und gewährleistet damit Flexibilität für unterschiedliche Fertigungsanforderungen.
- Vordere Oberfläche: Epi-fertig poliert (Ra < 0,3 nm)
- Rückseitige Oberfläche: Geläppt oder halbpoliert je nach Spezifikation
- Sauberkeit der Oberfläche: Reinraum der Klasse 100
- Kontaminationskontrolle: extrem niedrige Partikel- und Metallrückstandsmengen
Diese Oberflächenqualitäten sind entscheidend für Epitaxieverfahren wie MOCVD, MBE und PECVD, bei denen sich die Gleichmäßigkeit der Oberfläche auf atomarer Ebene direkt auf die Leistung der Bauelemente auswirkt.
Technische Daten
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Material | Einkristalliner Saphir (Al₂O₃ ≥ 99,99%) |
| Durchmesser | 2” - 12” (anpassbar) |
| 12” Dicke | 3000 ± 20 μm |
| Orientierung | C-Ebene (0001), A-Ebene, M-Ebene, R-Ebene |
| DSP / SSP | Verfügbar |
| OF-Orientierung | a-Ebene 0 ± 0,3° |
| TTV | ≤ 15 μm (12 Zoll) |
| BOW | -25 ~ 0 μm (12 Zoll) |
| Warp | ≤ 30 μm |
| Vordere Oberfläche | Epi-ready (Ra < 0,3 nm) |
| Rückseitige Oberfläche | Geläppt (Ra 0,6-1,2 μm) |
| Verpackung | Reinraum-Vakuumverpackungen |
Wesentliche Merkmale
- Ultra-großes 12-Zoll-Halbleitersubstrat aus Saphir
- Hochreines einkristallines Al₂O₃ (≥99.99%)
- Unterstützt DSP- und SSP-Polieroptionen
- Mehrere kristallografische Orientierungen verfügbar
- Ausgezeichnete thermische Stabilität und mechanische Beständigkeit
- Ultra-kontaminationsarme Verarbeitung im Reinraum
- Geeignet für hochwertiges Epitaxiewachstum und Forschungsanwendungen
Anwendungen
Herstellung von LEDs und Optoelektronik
C-Ebenen-Wafer aus Saphir werden häufig als Substrate für die Produktion von GaN-basierten LEDs verwendet, darunter blaue, weiße, UV- und Deep-UV-Geräte.
Epitaxiales Wachstum von Halbleitern
Unterstützt fortschrittliche Epitaxieverfahren wie z. B.:
- MOCVD (Metallorganische chemische Gasphasenabscheidung)
- MBE (Molekularstrahlepitaxie)
- PECVD (Plasma-unterstützte CVD)
RF- und Hochfrequenzgeräte
Wird in bipolaren Heteroübergangstransistoren (HBTs), Laserdioden (LDs) und Hochfrequenzkommunikationskomponenten verwendet.
UV- und Laseranwendungen
Saphirsubstrate sind für UV-Detektoren, Laserfenster und photonische Integrationssysteme geeignet.
Hochtemperaturelektronik
Sie werden als hitzebeständige Isoliersubstrate in Hochleistungs- und Hochfrequenzumgebungen verwendet.
Anpassungsoptionen
Wir bieten flexible Anpassungsdienste für den Bedarf in Forschung und industrieller Produktion:
- Durchmesser: 1”, 2”, 3”, 4”, 6”, 8”, 12”
- Kristallorientierung: C-Ebene / A-Ebene / M-Ebene / R-Ebene
- Off-angle-Einstellung verfügbar
- DSP / SSP Oberflächenbehandlungsoptionen
- Optimierung von Dicke und TTV
- Kantenbearbeitung und Anfasen
- Kundenspezifische Verpackungen (Einzelwafer / Kassette)
Jeder Wafer ist mit einer eindeutigen Seriennummer versehen, um die Qualitätskontrolle und die Rückverfolgbarkeit der Produktion zu gewährleisten.
FAQ
F1: Was ist der Hauptvorteil von Saphir-Wafern gegenüber Silizium-Wafern?
Saphir ist transparent und elektrisch isolierend und daher ideal für LED- und optische Anwendungen, während Silizium hauptsächlich für elektronische Schaltungen verwendet wird.
F2: Warum ist ein 12-Zoll-Saphir-Wafer wichtig?
Es unterstützt die industrielle LED- und Halbleiterproduktion in großem Maßstab, verbessert die Effizienz und senkt die Stückkosten in der Massenproduktion.
F3: Was bedeuten DSP und SSP?
DSP steht für Double-Side-Polishing, während SSP für Single-Side-Polishing steht. Dies wirkt sich auf die Oberflächenqualität und die Anwendungseignung aus.
F4: Können Saphir-Wafer direkt für Geräte verwendet werden?
Sie werden als Substrate verwendet und erfordern epitaktisches Wachstum oder eine zusätzliche Verarbeitung vor der endgültigen Herstellung der Bauelemente.
F5: Warum wird Saphir in LEDs verwendet?
Denn es bietet eine stabile Gitterstruktur für das GaN-Wachstum und hervorragende thermische und optische Eigenschaften.
Rezensionen
Es gibt noch keine Rezensionen.