Ai300 (Medium Beam) 高溫離子植入系統專為 12 吋矽晶圓半導體製造線所設計。它是針對矽基和寬帶隙半導體應用（包括 SiC 製程線）的先進摻雜製程而開發的中等電流離子植入器。.
該系統支援的能量範圍從 5 keV 到 300 keV，能夠靈活地進行從淺結成到深摻雜應用的植入。該系統配備高溫加熱晶圓台，最高溫度可達 400°C，可在植入過程中改善摻質活化並降低晶格損害。.
Ai300 系統具有穩定的光束性能、高精度控制以及與大型積體電路製程的相容性，適合先進的半導體製造環境。.
特點
高溫植入能力
配備加熱晶圓台，可支援高達 400°C 的溫度，改善植入品質與摻質活化效率。.
寬能量範圍
5-300 keV 的能量範圍可支援先進裝置結構的淺層與深層植入製程。.
高精度光束控制
提供高精度植入，角度精度≤0.1°，光束平行度≤0.1°，均勻度≤0.5%，重複性≤0.5%。.
高通量效能
支援每小時高達 ≥ 500 片晶圓的產量，適用於高產量的半導體製造。.
先進離子源能力
支援多種植入元素，包括 C、B、P、N、He 和 Ar，滿足多樣化的半導體製程需求。.
LSI 製程相容性
與大型積體電路製程及先進元件製造完全相容。.
主要規格
製程參數
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 晶圓尺寸 | 12 吋 |
| 能量範圍 | 5-300 keV |
| 植入元件 | C、B、P、N、He、Ar |
| 劑量範圍 | 1E11-1E16 離子/平方厘米 |
光束性能
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 梁的穩定性 | ≤ 10% / 小時 (≤每小時 1 次光束中斷或起弧) |
| 光束平行度 | ≤ 0.1° |
植入精確度
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 植入角度範圍 | 0°-45° |
| 角度精確度 | ≤ 0.1° |
| 均一性 (1σ) | ≤ 0.5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| 重複性 (1σ) | ≤ 0.5% |
系統效能
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 吞吐量 | ≥ 每小時 500 片晶圓 |
| 最高植入溫度 | 400°C |
| 設備尺寸 | 6400 × 3640 × 3100 公釐 |
| 真空度 | 5E-7 托 |
| X 射線洩漏 | ≤ 0.3 μSv/h |
| 掃描模式 | 水平靜電掃描 + 垂直機械掃描 |
應用領域
SiC 半導體製程
用於碳化矽元件製造，支援寬帶隙材料所需的高溫植入製程。.
矽基半導體製造
適用於 CMOS 和先進積體電路製造的 12 吋矽晶圓生產線。.
高溫植入製程
支援需要較高晶圓溫度的植入製程，以減少缺陷並改善摻質活化。.
功率元件製造
適用於需要精密摻雜和高能量植入的功率半導體裝置。.
先進積體電路生產
支援具有高精度與高產量需求的 LSI 製程整合。.
常見問題
1.Ai300 系統支援何種晶圓尺寸
此系統專為 12 吋矽晶圓所設計，適用於先進的半製造生產線。.
2.高溫植入能力的主要優勢是什麼？
此系統支援高達 400°C 的植入溫度，有助於減少晶格損害、改善摻質活化，以及提升整體元件效能。.
3.系統提供的精確度和生產效率達到什麼程度
該系統的角度精確度在 0.1 度以內，光束平行度在 0.1 度以內，均勻度和重複性在 0.5% 以內，產能高達每小時 500 片晶圓。.
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