El sistema de implantación de iones de alta temperatura Ai300 (haz medio) está diseñado para líneas de fabricación de semiconductores de obleas de silicio de 12 pulgadas. Se trata de un implantador de iones de corriente media desarrollado para procesos de dopaje avanzados en aplicaciones de semiconductores basados en silicio y de banda prohibida ancha, incluidas las líneas de proceso de SiC.
El sistema admite una gama de energías de 5 keV a 300 keV, lo que permite una implantación flexible desde la formación de uniones poco profundas hasta aplicaciones de dopaje profundo. Está equipado con una etapa de oblea calentada a alta temperatura con una temperatura máxima de hasta 400 °C, lo que permite mejorar la activación del dopante y reducir los daños en la red durante la implantación.
Con un rendimiento estable del haz, un control de alta precisión y compatibilidad con procesos de circuitos integrados a gran escala, el sistema Ai300 es adecuado para entornos avanzados de fabricación de semiconductores.
Características
Capacidad de implante a alta temperatura
Equipado con una etapa de oblea calentada que soporta temperaturas de hasta 400°C, mejorando la calidad de la implantación y la eficacia de la activación del dopante.
Amplia gama de energía
La gama de energía de 5-300 keV admite procesos de implantación superficial y profunda para estructuras de dispositivos avanzados.
Control del haz de alta precisión
Proporciona una implantación de alta precisión con exactitud angular ≤ 0,1°, paralelismo del haz ≤ 0,1°, uniformidad ≤ 0,5% y repetibilidad ≤ 0,5%.
Alto rendimiento
Admite un rendimiento de hasta ≥ 500 obleas por hora, adecuado para la fabricación de semiconductores de gran volumen.
Capacidad de fuente de iones avanzada
Admite múltiples elementos implantados, incluidos C, B, P, N, He y Ar, cumpliendo diversos requisitos de procesos de semiconductores.
Compatibilidad de procesos LSI
Totalmente compatible con procesos de fabricación de circuitos integrados a gran escala y fabricación avanzada de dispositivos.
Especificaciones
Parámetros del proceso
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Tamaño de la oblea | 12 pulgadas |
| Gama energética | 5-300 keV |
| Elementos implantados | C, B, P, N, He, Ar |
| Gama de dosis | 1E11-1E16 iones/cm². |
Rendimiento del haz
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Estabilidad de la viga | ≤ 10% / hora (≤1 interrupción del haz o arco por hora) |
| Paralelismo de vigas | ≤ 0.1° |
Precisión de implantación
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Gama de ángulos de implante | 0°-45° |
| Precisión del ángulo | ≤ 0.1° |
| Uniformidad (1σ) | ≤ 0,5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| Repetibilidad (1σ) | ≤ 0,5% |
Rendimiento del sistema
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Rendimiento | ≥ 500 obleas por hora |
| Temperatura máxima del implante | 400°C |
| Tamaño del equipo | 6400 × 3640 × 3100 mm |
| Nivel de vacío | 5E-7 Torr |
| Fuga de rayos X | ≤ 0,3 μSv/h |
| Modo de exploración | Barrido electrostático horizontal + barrido mecánico vertical |
Campos de aplicación
Procesado de semiconductores SiC
Se utiliza en la fabricación de dispositivos de carburo de silicio, apoyando los procesos de implantación a alta temperatura necesarios para los materiales de banda prohibida ancha.
Fabricación de semiconductores a base de silicio
Aplicable a líneas de producción de obleas de silicio de 12 pulgadas para la fabricación de CMOS y circuitos integrados avanzados.
Procesos de implantación a alta temperatura
Admite procesos de implantación que requieren una temperatura elevada de la oblea para reducir los defectos y mejorar la activación del dopante.
Fabricación de dispositivos de potencia
Adecuado para dispositivos semiconductores de potencia en los que se requiere un dopaje preciso y una implantación de alta energía.
Producción avanzada de circuitos integrados
Admite la integración de procesos LSI con requisitos de alta precisión y alto rendimiento.
Preguntas frecuentes
1. ¿Qué tamaño de oblea admite el sistema Ai300?
El sistema está diseñado para obleas de silicio de 12 pulgadas y es adecuado para líneas avanzadas de fabricación de semiconductores.
2. Cuál es la ventaja clave de la capacidad de implantación a alta temperatura
El sistema admite implantaciones de hasta 400 °C, lo que ayuda a reducir los daños en la red, mejorar la activación de dopantes y aumentar el rendimiento general del dispositivo.
3. ¿Qué nivel de precisión y eficacia de producción proporciona el sistema?
El sistema proporciona una precisión angular de 0,1 grados, un paralelismo del haz de 0,1 grados y una uniformidad y repetibilidad de 0,5 por ciento, con un rendimiento de hasta 500 obleas por hora.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.