12 吋藍寶石晶圓 (Al₂O₃) 用於 LED、半導體及磊晶生長

12 吋藍寶石晶圓為高效能單晶氧化鋁 (Al₂O₃) 基板,專為先進半導體、光電及高溫應用而設計。它由純度等≥99.99% 的超高純度藍寶石晶體製成,可確保優異的結構均勻性和低缺陷密度。.

12 吋藍寶石晶圓 (Al₂O₃) 用於 LED、半導體及磊晶生長12 吋藍寶石晶圓為高效能單晶氧化鋁 (Al₂O₃) 基板,專為先進半導體、光電及高溫應用而設計。它由純度等≥99.99% 的超高純度藍寶石晶體製成,可確保優異的結構均勻性和低缺陷密度。.

藍寶石因其卓越的機械硬度、化學穩定性和光學透明度而廣受認可,使其成為極端環境下最可靠的基板材料之一。12 吋規格代表高階工業級晶圓尺寸,專為 LED 磊晶層及先進電子裝置的量產而設計。.

與矽不同,藍寶石是一種電絕緣體,因此特別適合需要高頻隔離、熱穩定性和光學透明度的應用。.


 材料特性

藍寶石 (α-Al₂O₃) 是一種具有獨特物理特性組合的單晶材料:

  • 極高的硬度 (莫氏硬度 9)
  • 優異的抗熱衝擊與耐高溫環境能力
  • 對酸和鹼有傑出的化學惰性
  • 寬廣的光學穿透範圍 (拋光後從紫外線到中紅外線)
  • 高介電強度和電絕緣性

這些特性使藍寶石晶圓成為 LED 製造、RF 裝置、雷射系統和航太級電子產品的首選。.

拋光與表面品質

本產品同時支援 DSP (雙面拋光) 與 SSP (單面拋光) 製程,可確保不同製造需求的靈活性。.

  • 前表面:Epi-ready 研磨 (Ra < 0.3 nm)
  • 背面:研磨或半拋光,視規格而定
  • 表面潔淨度:100 級無塵室處理
  • 污染控制:超低微粒和金屬殘留物含量

這些表面品質對於 MOCVD、MBE 和 PECVD 等外延生長製程至關重要,在這些製程中,原子層級的表面均勻性直接影響裝置效能。.


技術規格

參數 規格
材質 單晶藍寶石 (Al₂O₃ ≥ 99.99%)
直徑 2” - 12”(可自訂)
12” 厚度 3000 ± 20 μm
導覽 C 平面 (0001)、A 平面、M 平面、R 平面
DSP / SSP 可用
OF 方向 a 平面 0 ± 0.3°
TTV ≤ 15 μm(12 英寸)
BOW -25 ~ 0 μm(12 英寸)
翹曲 ≤ 30 μm
前表面 Epi-ready (Ra < 0.3 nm)
背面 研磨 (Ra 0.6-1.2 μm)
包裝 無塵室真空包裝

主要功能

  • 超大型 12 吋半導體級藍寶石基板
  • 高純度單晶 Al₂O₃ (≥99.99%)
  • 支援 DSP 與 SSP 研磨選項
  • 提供多種結晶取向
  • 優異的熱穩定性與機械耐用性
  • 超低污染無塵室處理
  • 適用於高階磊晶生長及研究應用

應用

LED 與光電子製造

C 平面藍寶石晶圓被廣泛用作基於 GaN 的 LED 生產的基板,包括藍光、白光、紫外光和深紫外光裝置。.

半導體磊晶成長

支援先進的磊晶製程,例如:

  • MOCVD(金屬有機化學氣相沉積)
  • 分子束磊晶 (MBE)
  • PECVD(等離子體增強 CVD)

射頻與高頻設備

用於異質結雙極電晶體 (HBT)、雷射二極體 (LD) 和高頻通訊元件。.

紫外線與雷射應用

藍寶石基板適用於紫外線偵測器、雷射窗口和光子整合系統。.

高溫電子

在高功率和高頻率環境中用作耐熱絕緣基板。.


客製化選項

我們針對研究與工業生產需求,提供彈性的客製化服務:

  • 直徑:1”、2”、3”、4”、6”、8”、12”
  • 晶體方向:C 平面 / A 平面 / M 平面 / R 平面
  • 可進行偏角調整
  • DSP / SSP 表面處理選項
  • 厚度與 TTV 最佳化
  • 邊緣整形與倒角
  • 客製化包裝 (單晶圓 / 盒式)

每個晶圓都有唯一的序號可追蹤,以確保品質控制和生產可追蹤性。.


常見問題

Q1: 與矽晶圓相比,藍寶石晶圓的主要優勢是什麼?
藍寶石具有透明和電絕緣的特性,因此非常適合 LED 和光學應用,而矽則主要用於電子電路。.

Q2: 為什麼 12 吋藍寶石晶圓很重要?
它支援大規模工業 LED 和半導體生產,在大量製造過程中提高效率並降低單位成本。.

Q3: DSP 和 SSP 是什麼意思?
DSP 指雙面拋光,而 SSP 指單面拋光。這些都會影響表面品質和應用的適用性。.

問題 4:藍寶石晶圓可以直接用於裝置嗎?
它們被用作基板,需要外延生長或在最終裝置製造前進行附加處理。.

Q5: 為什麼 LED 會使用藍寶石?
因為它能為 GaN 生長提供穩定的晶格結構,以及優異的熱學與光學效能。.

商品評價

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搶先評價 “12-inch Sapphire Wafer (Al₂O₃) for LED, Semiconductor & Epitaxial Growth”

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