Система высокотемпературной ионной имплантации Ai300 (Medium Beam) предназначена для 12-дюймовых линий по производству полупроводниковых пластин из кремния. Это среднетоковый ионный имплантер, разработанный для передовых процессов легирования как в кремниевых, так и в широкозонных полупроводниковых системах, включая технологические линии SiC.
Система поддерживает диапазон энергий от 5 кэВ до 300 кэВ, обеспечивая гибкость имплантации от формирования неглубоких переходов до глубокого легирования. Система оснащена высокотемпературным нагревом подложек с максимальной температурой до 400°C, что позволяет улучшить активацию легирующих элементов и уменьшить повреждение кристаллической решетки при имплантации.
Благодаря стабильной работе луча, высокой точности управления и совместимости с крупномасштабными процессами производства интегральных схем система Ai300 подходит для передовых условий производства полупроводников.
Характеристики
Возможность высокотемпературной имплантации
Оснащен подогреваемой ступенью для пластин, поддерживающей температуру до 400°C, что повышает качество имплантации и эффективность активации легирующих веществ.
Широкий энергетический диапазон
Диапазон энергий 5-300 кэВ поддерживает процессы как поверхностной, так и глубокой имплантации для создания передовых структур устройств.
Высокоточное управление лучом
Обеспечивает высокую точность имплантации с точностью угла ≤ 0,1°, параллельностью луча ≤ 0,1°, равномерностью ≤ 0,5% и повторяемостью ≤ 0,5%.
Высокая производительность
Поддерживает производительность до ≥ 500 пластин в час, что подходит для крупносерийного производства полупроводников.
Расширенные возможности ионного источника
Поддерживает множество имплантируемых элементов, включая C, B, P, N, He и Ar, удовлетворяя разнообразным требованиям полупроводниковых процессов.
Совместимость с процессами LSI
Полностью совместим с крупномасштабными процессами производства интегральных схем и передовыми технологиями изготовления устройств.
Основные характеристики
Параметры процесса
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Размер пластины | 12 дюймов |
| Диапазон энергии | 5-300 кэВ |
| Имплантированные элементы | C, B, P, N, He, Ar |
| Диапазон доз | 1E11-1E16 ионов/см² |
Производительность балки
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Устойчивость балки | ≤ 10% / час (≤1 прерывание луча или дуга в час) |
| Параллельность балок | ≤ 0.1° |
Точность имплантации
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Диапазон угла наклона имплантата | 0°-45° |
| Точность угла | ≤ 0.1° |
| Равномерность (1σ) | ≤ 0.5% (P+, 1E14, 100 кэВ) |
| Повторяемость (1σ) | ≤ 0,5% |
Производительность системы
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Пропускная способность | ≥ 500 пластин в час |
| Максимальная температура имплантата | 400°C |
| Размер оборудования | 6400 × 3640 × 3100 мм |
| Уровень вакуума | 5E-7 Торр |
| Утечка рентгеновского излучения | ≤ 0,3 мкЗв/ч |
| Режим сканирования | Горизонтальное электростатическое сканирование + вертикальное механическое сканирование |
Поля приложений
Обработка полупроводников SiC
Используется при изготовлении приборов из карбида кремния, поддерживая процессы высокотемпературной имплантации, необходимые для материалов с широкой полосой пропускания.
Производство полупроводников на основе кремния
Применяется в линиях по производству 12-дюймовых кремниевых пластин для производства КМОП и современных интегральных схем.
Высокотемпературные процессы имплантации
Поддерживает процессы имплантации, требующие повышенной температуры подложки для уменьшения дефектов и улучшения активации легирующих элементов.
Изготовление силовых устройств
Подходит для силовых полупроводниковых приборов, где требуется точное легирование и высокоэнергетическая имплантация.
Передовое производство интегральных микросхем
Поддерживает интеграцию процессов LSI с высокой точностью и производительностью.
Часто задаваемые вопросы
1. Какой размер пластин поддерживает система Ai300
Система предназначена для 12-дюймовых кремниевых пластин и подходит для современных линий производства полупроводников.
2. В чем ключевое преимущество возможности высокотемпературной имплантации
Система поддерживает имплантацию при температуре до 400°C, что позволяет уменьшить повреждение кристаллической решетки, улучшить активацию легирующих элементов и повысить общую производительность устройства.
3. Какой уровень точности и эффективности производства обеспечивает система
Система обеспечивает точность угла в пределах 0,1 градуса, параллельность луча в пределах 0,1 градуса, равномерность и повторяемость в пределах 0,5 процента при производительности до 500 пластин в час.
Отзывы
Отзывов пока нет.