Wafer Thinning System 精密背面研磨設備是專為先進半導體製造而設計的高精度晶圓加工解決方案。它支援 4 吋至 12 吋晶圓，包括矽 (Si)、碳化矽 (SiC)、砷化鎵 (GaAs)、藍寶石和其他脆性化合物半導體材料。.
此系統專為超精密晶圓背面減薄而設計，可將厚度降低到微米和次微米級別，同時保持極佳的表面完整性。它在先進封裝、功率元件、MEMS 和化合物半導體製造中扮演重要角色。.
透過整合高剛性的機械設計、精密的 Z 軸控制及即時厚度監控，該設備可確保穩定且可重複的加工性能，適用於工業規模生產。.
主要技術特性
高精度厚度控制
- 厚度精確度： ±1 μm
- 總厚度變異 (TTV)： ≤2 μm
- 先進機型可實現高達 ±0.5 μm 的次微米控制
廣泛的材料相容性
支援多種半導體和脆性材料：
- 矽 (Si)
- 碳化矽 (SiC)
- 砷化鎵（GaAs）
- 藍寶石 (Al₂O₃)
- 其他化合物半導體晶圓
晶圓尺寸相容性
- 4 吋 / 6 吋 / 8 吋 / 10 吋 / 12 吋晶圓
- 靈活處理標準與客製化基板
高穩定性機械系統
- 高剛性氣浮主軸
- 低震動精密研磨平台
- 進口滾珠螺桿 + 線性滑軌系統
- 高精度伺服馬達控制 (0.1 μm 解析度)
先進的冷卻系統
- 水冷式主軸系統可確保熱穩定性
- 防止高速磨削時的變形
系統組態
晶圓切割系統整合了多種功能模組：
1.精密研磨模組
以高表面均勻度執行受控材料移除。.
2.Z 軸精密控制系統
可進行超精細垂直調整，以達到一致的晶圓厚度。.
3.厚度量測系統
即時接觸/非接觸測量確保製程穩定性。.
4.真空晶片夾頭
安全的晶圓固定，包括不規則晶圓的客製化解決方案。.
5.自動化控制系統
- 全自動 / 半自動操作模式
- 操作日誌記錄
- 基於配方的製程控制
處理能力
該系統專為高效能晶圓背面處理而設計：
- 矽晶圓背面研磨
- 用於功率元件的 SiC 晶圓減薄
- GaN 和 GaAs 基板減薄
- 藍寶石晶圓精密薄化
- 用於 3D 封裝的超薄晶圓製備
應用
1.功率半導體元件
用於需要超薄晶圓的 SiC MOSFET、IGBT 和高壓裝置。.
2.先進封裝
支援晶片薄化，適用於
- 倒裝晶片封裝
- 2.5D / 3D IC 整合
- TSV (Through Silicon Via) 製程
3.化合物半導體
適用於 GaN、GaAs 及 InP 裝置製造。.
4.LED 與光電子
藍寶石和化合物晶圓薄化，用於 LED 晶片和光學裝置。.
優勢
- 成熟穩定的晶圓薄化技術
- 高精度進給磨削系統
- 優異的表面粗糙度控制
- 高 UPH (標準製程高達每小時 30 片晶圓)
- 對於脆性和硬質材料具有很強的適應性
- 全自動流程整合能力
表現亮點
- 最小解析度：0.1 μm/s Z 軸控制
- 厚度均一性： ≤1-2 μm TTV
- 超低震動的高速主軸
- 即時流程監控與記錄
- 相容於研發與大量生產環境
客製化選項
我們針對不同的工業需求，提供彈性的客製化服務：
- 客製化晶圓夾頭（不規則形狀）
- 擴大厚度量測範圍（高達 40 mm）
- 製程配方客製化
- 與上游/下游設備的自動化整合
常見問題
Q1: 此系統可以處理 SiC 晶圓嗎？
是的，它專門針對 SiC 晶圓減薄和背面研磨進行了最佳化，適用於功率元件應用。.
Q2: 可達到的厚度精度是多少？
標準機型可達 ±1 μm，高階配置可達 ±0.5 μm，TTV ≤1 μm。.
Q3: 是否支援完全自動化？
是的，根據生產需求，全自動和半自動模式均可使用。.
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