WGP-1271C là máy mài mỏng wafer tự động hoàn toàn, hiệu suất cao, được thiết kế chuyên biệt để giải quyết các thách thức liên quan đến các tấm nền SiC và wafer thiết bị có đường kính lớn. Được thiết kế với tiêu chí chính xác và năng suất, hệ thống GGG tiên tiến ba trục, bốn trạm này đảm bảo quá trình mài mỏng wafer ổn định, đồng đều và chất lượng cao cho cả wafer thiết bị SiC 8 inch và tấm nền SiC 12 inch.
Được trang bị trục chính có mô-men xoắn cực cao và khay đựng wafer chịu tải nặng thế hệ thứ tư, máy WGP-1271C dễ dàng xử lý quy trình mài mỏng SiC phức tạp và đòi hỏi khắt khe, một trong những vật liệu bán dẫn khó gia công nhất. Với nền tảng tự động hóa, máy tích hợp các công đoạn chuyển wafer, làm sạch và mài vào một quy trình làm việc liền mạch, giúp nâng cao đáng kể hiệu quả sản xuất đồng thời giảm thiểu sự can thiệp của con người.
Tính năng kỹ thuật
- Cấu hình ba trục, bốn trạm: Tối đa hóa năng suất đồng thời đảm bảo quá trình xử lý tấm wafer luôn ổn định.
- Trục chính mô-men xoắn cực cao (11 kW): Đảm bảo hiệu suất mài mỏng ổn định cho các vật liệu khó gia công như SiC.
- Khay đựng wafer thế hệ thứ tư chịu tải trọng cao: Cung cấp khả năng đỡ và xử lý wafer chính xác, giúp giảm thiểu ứng suất và khuyết tật trong quá trình mài mỏng.
- Chức năng cài đặt tự động: Tự động hoàn tất quá trình cân chỉnh bánh xe sau khi thay thế, loại bỏ việc can thiệp thủ công và giảm thời gian cài đặt.
- Các tùy chọn vật tư tiêu hao đa dạng: Hỗ trợ nhiều loại vật liệu mài và độ dày mục tiêu khác nhau, giúp tối ưu hóa hiệu quả quy trình đồng thời giảm chi phí vận hành.
- Tự động hóa hoàn toàn: Hệ thống chuyển và làm sạch tấm wafer tích hợp giúp giảm thiểu ô nhiễm và đảm bảo quá trình sản xuất diễn ra liên tục, không gián đoạn.
- Khả năng tương thích rộng: Hỗ trợ nhiều kích thước đường kính tấm wafer, bao gồm φ6″, φ8″ và φ12″, khiến sản phẩm này trở thành lựa chọn lý tưởng cho các dây chuyền sản xuất thiết bị SiC hiện đại.
Ứng dụng
WGP-1271C là sản phẩm lý tưởng cho:
- Tấm wafer thiết bị SiC 8 inch: Dùng cho các ứng dụng điện tử công suất cao, ô tô và công nghiệp.
- Tấm nền SiC 12 inch: Dành cho các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao thế hệ mới cần sử dụng tấm wafer siêu mỏng.
- Nghiên cứu và phát triển: Các trường đại học và trung tâm nghiên cứu và phát triển chất bán dẫn đang tiến hành chế tạo mẫu thử các thiết bị dựa trên SiC.
- Môi trường sản xuất công suất cao: Các nhà máy sản xuất wafer quy mô lớn đang tìm kiếm các giải pháp mài mỏng wafer ổn định và tự động.
Khả năng xử lý cả tấm wafer và chất nền của thiết bị này khiến nó trở thành một lựa chọn linh hoạt cho các cơ sở sản xuất mong muốn giảm thời gian ngừng hoạt động, tăng năng suất và cắt giảm chi phí vận hành tổng thể.
Thông số kỹ thuật máy
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Cấu trúc | Trục quay ×3 / Giá đỡ tấm wafer ×4 / Bàn làm việc ×1 / Hệ thống chuyển tải và làm sạch hoàn toàn tự động ×1 |
| Công suất trục chính | 11 kW |
| Đường kính mài | φ6″, φ8″, φ12″ |
| Kích thước (Rộng × Sâu × Cao) | 1900 mm × 3530 mm × 1900 mm |
Tại sao nên chọn WGP-1271C?
- Hiệu suất và năng suất cao: Cấu hình ba trục chính và bốn trạm giúp rút ngắn thời gian chu kỳ sản xuất đồng thời vẫn đảm bảo chất lượng sản phẩm cao.
- Độ chính xác cao trong quá trình mài mỏng: Khay đựng wafer thế hệ thứ tư và trục quay có mô-men xoắn cực cao đảm bảo độ dày và độ đồng đều chính xác của wafer.
- Giảm thiểu sự can thiệp của con người: Chức năng tự động cài đặt và hệ thống chuyển giao/làm sạch hoàn toàn tự động giúp giảm thiểu nhu cầu nhân công và hạn chế sai sót trong quá trình cài đặt.
- Có khả năng thích ứng với nhiều quy trình khác nhau: Khả năng tương thích với nhiều loại vật tư tiêu hao giúp tối ưu hóa quy trình cho các kích thước và vật liệu wafer khác nhau, đáp ứng các yêu cầu đặc thù của ngành sản xuất SiC hiện đại.
- Chi phí vận hành thấp: Thiết kế quy trình tối ưu và việc sử dụng vật tư tiêu hao hiệu quả giúp giảm chi phí vận hành mà không ảnh hưởng đến năng suất.
- Sản xuất sẵn sàng cho tương lai: Được thiết kế để đáp ứng các tấm wafer có kích thước lớn hơn và các thiết bị SiC thế hệ mới, hỗ trợ việc mở rộng cơ sở vật chất và nâng cấp công nghệ.
Câu hỏi thường gặp (FAQ)
- Hỏi: WGP-1271C có thể xử lý các kích thước wafer nào?
A: Máy hỗ trợ các tấm wafer có đường kính φ6″, φ8″ và φ12″, bao gồm cả tấm wafer thiết bị SiC 8 inch và tấm nền SiC 12 inch, mang lại sự linh hoạt cho các nhu cầu sản xuất khác nhau. - Câu hỏi: Chức năng Tự động thiết lập giúp nâng cao hiệu quả sản xuất như thế nào?
A: Chức năng cài đặt tự động sẽ tự động thực hiện việc căn chỉnh bánh xe sau khi thay thế, giúp loại bỏ việc can thiệp thủ công, giảm thiểu sai sót trong quá trình cài đặt và tiết kiệm thời gian sản xuất quý báu. - Hỏi: Máy WGP-1271C có thể gia công các tấm wafer SiC khó làm mỏng mà không bị nứt không?
A: Đúng vậy, nhờ trang bị trục chính có mô-men xoắn cực cao và khay đựng tấm wafer chịu tải nặng thế hệ thứ tư, máy đảm bảo quá trình mài mỏng diễn ra ổn định ngay cả đối với các tấm wafer SiC khó gia công, giúp giảm thiểu ứng suất và khuyết tật. - Hỏi: Máy này có phù hợp cho cả môi trường nghiên cứu và phát triển (R&D) lẫn sản xuất hàng loạt không?
A: Chắc chắn rồi. Hệ thống chuyển giao và làm sạch hoàn toàn tự động, kết hợp với các trục chính có độ chính xác cao, khiến thiết bị này trở nên lý tưởng cho cả nghiên cứu phát triển lẫn sản xuất quy mô lớn. - Câu hỏi: WGP-1271C giúp giảm chi phí vận hành như thế nào?
A: Máy này cung cấp các cấu hình vật tư tiêu hao được tối ưu hóa và hiệu suất quy trình cao, giúp giảm thiểu lãng phí nguyên liệu và chi phí nhân công đồng thời vẫn duy trì năng suất cao và chất lượng tấm wafer ổn định.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.