O sistema de implantação iónica de alta temperatura Ai350HT (feixe médio) foi concebido para linhas de fabrico de semicondutores de bolachas de silício de 6 e 8 polegadas, bem como para aplicações de processos SiC. É um implantador de iões de corrente média desenvolvido para processos de dopagem de alta energia e alta temperatura no fabrico avançado de semicondutores.
O sistema suporta uma gama de energia de 5 keV a 350 keV, permitindo processos de implantação superficiais e profundos. Está equipado com um mandril eletrostático de alta temperatura capaz de funcionar até 500°C, permitindo uma melhor ativação do dopante e uma redução dos danos na rede durante a implantação. Combinado com um desempenho estável do feixe e um controlo de alta precisão, o sistema é adequado tanto para o fabrico de semicondutores à base de silício como de semicondutores de banda larga.
Caraterísticas
Capacidade de implantação a altas temperaturas
Equipado com um mandril eletrostático de alta temperatura que suporta até 500°C, permitindo uma melhor eficiência de implantação e ativação de dopantes para processos avançados.
Vasta gama de energia
A gama de energia de 5-350 keV suporta requisitos de implantação flexíveis, desde a formação de junções pouco profundas até processos de implantação profundos.
Controlo de feixe de alta precisão
Proporciona um desempenho de implantação exato com precisão angular ≤ 0,2°, paralelismo do feixe ≤ 0,2°, uniformidade ≤ 0,5% e repetibilidade ≤ 0,5%.
Desempenho estável do feixe
A estabilidade do feixe é controlada dentro de 10% por hora, garantindo uma qualidade de processo consistente durante longos ciclos de produção.
Fonte de iões de longa duração
Equipado com uma fonte de iões de metal Al com uma vida útil de ≥150 horas, reduzindo a frequência de manutenção e melhorando o tempo de funcionamento.
Elevada capacidade de produção
Suporta um rendimento de ≥ 200 bolachas por hora, adequado para ambientes de produção de semicondutores.
Compatibilidade avançada de processos
Compatível com os processos SiC e com o fabrico convencional de semicondutores à base de silício.
Especificações principais
Parâmetros do processo
| Item | Especificação |
|---|---|
| Tamanho da pastilha | 6-8 polegadas |
| Gama de energia | 5-350 keV |
| Elementos Implantados | C, Al, B, P, N, He, Ar |
| Intervalo de dose | 1E11-1E17 iões/cm² |
Desempenho do feixe
| Item | Especificação |
|---|---|
| Estabilidade da viga | ≤ 10% / hora (≤1 interrupção do feixe ou formação de arco por hora) |
| Paralelismo de vigas | ≤ 0.2° |
Precisão da implantação
| Item | Especificação |
|---|---|
| Gama de ângulos do implante | 0°-45° |
| Precisão do ângulo | ≤ 0.2° |
| Uniformidade (1σ) | ≤ 0,5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| Repetibilidade (1σ) | ≤ 0,5% |
Desempenho do sistema
| Item | Especificação |
|---|---|
| Rendimento | ≥ 200 bolachas por hora |
| Temperatura máxima da bucha | 500°C |
| Tamanho do equipamento | 6270 × 3500 × 3000 mm |
| Nível de vácuo | 5E-7 Torr |
| Fuga de raios X | ≤ 0,3 μSv/h |
| Modo de digitalização | Varrimento eletrostático horizontal + varrimento mecânico vertical |
Campos de aplicação
Fabrico de semicondutores SiC
Utilizado no fabrico de dispositivos de carboneto de silício que requerem processos de implantação iónica a alta temperatura.
Processamento de semicondutores à base de silício
Aplicável ao fabrico de CMOS e de circuitos integrados em bolachas de 6 e 8 polegadas.
Processos de implantação a alta temperatura
Adequado para processos que requerem temperaturas elevadas para reduzir os danos nos cristais e melhorar a ativação dos dopantes.
Fabrico de dispositivos de potência
Utilizado em dispositivos semicondutores de potência que requerem processos de implantação profunda e de alta energia.
Engenharia avançada de materiais
Suporta a implantação de iões em materiais semicondutores avançados e ambientes de desenvolvimento de processos.
Perguntas mais frequentes
1. Que tamanhos de bolacha são suportados pelo Ai350HT
O sistema suporta wafers de 6 e 8 polegadas e é adequado tanto para linhas de fabrico de semicondutores à base de silício como de SiC.
2. Qual é a temperatura máxima suportada durante a implantação
O sistema suporta implantação a alta temperatura até 500°C, utilizando um mandril eletrostático aquecido com fixação mecânica.
3. Quais são as principais vantagens deste sistema para os processos de SiC
O sistema combina capacidade para altas temperaturas, desempenho estável do feixe e compatibilidade com processos SiC, tornando-o adequado para aplicações de semicondutores de banda larga.
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