O sistema de implantação iónica Ai200HC.D (High Beam) foi concebido para linhas de produção de semicondutores de bolachas de silício de 6 e 8 polegadas. É um implantador de iões de alta corrente desenvolvido para dopagem de precisão e aplicações de processos avançados no fabrico de circuitos integrados.
O sistema suporta uma gama de energia de 5 keV a 180 keV, proporcionando um desempenho estável do feixe e uma elevada repetibilidade do processo. É adequado para o fabrico de semicondutores à base de silício e processos avançados relacionados com a ligação de bolachas, incluindo a integração da tecnologia Smart Cut.
Caraterísticas
Desempenho de estabilidade de feixe alto
O sistema mantém uma saída estável do feixe de iões com flutuação controlada, garantindo uma qualidade de implantação consistente durante a produção contínua.
Ampla compatibilidade de processos
Compatível com processos baseados em silício e aplicações relacionadas com o corte inteligente, suportando requisitos avançados de engenharia de bolachas.
Controlo de implantes de alta precisão
Fornece um desempenho de implantação preciso com:
- Precisão angular ≤ 0,2°
- Paralelismo do feixe ≤ 0,3°
- Uniformidade ≤ 1%
- Repetibilidade ≤ 1%
Elevada capacidade de produção
Suporta ≥ 220 wafers por hora, adequado para ambientes de produção de semicondutores de volume médio a elevado.
Capacidade de processamento de destino de lote
Suporta o processamento de alvos em lote, melhorando a flexibilidade do processo e permitindo a integração com tecnologias avançadas de fabrico de bolachas de silício.
Especificações principais
Parâmetros do processo
| Item | Especificação |
|---|---|
| Tamanho da pastilha | Bolachas de silicone de 6-8 polegadas |
| Gama de energia | 5-180 keV |
| Elementos Implantados | B+, BF2+, P+, As+, N+, H+ |
| Intervalo de dose | 5E11-1E17 iões/cm² |
Desempenho do feixe
| Item | Especificação |
|---|---|
| Estabilidade da viga | ≤ 10% por hora |
| Paralelismo de vigas | ≤ 0.3° |
Precisão da implantação
| Item | Especificação |
|---|---|
| Gama de ângulos do implante | -11° a 11° |
| Precisão do ângulo | ≤ 0.2° |
| Uniformidade (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Repetibilidade (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
Desempenho do sistema
| Item | Especificação |
|---|---|
| Rendimento | ≥ 220 bolachas por hora |
| Tamanho do equipamento | 5930 × 3000 × 2630 mm |
Aplicação
Fabrico de semicondutores à base de silício
Utilizado no fabrico de dispositivos CMOS e de dispositivos lógicos avançados, apoiando processos precisos de implantação de dopantes.
Integração do processo de corte inteligente
Adequado para processos de ligação de bolachas e transferência de camadas com base nos requisitos da tecnologia Smart Cut.
Engenharia avançada de bolachas
Aplicado na modificação de bolachas de silício, otimização estrutural e melhoria do desempenho de dispositivos.
Produção de circuitos integrados
Suporta o fabrico de circuitos integrados de volume médio a elevado com um controlo estável do processo e uma elevada capacidade de produção.
Perguntas mais frequentes
1. Que tamanhos de bolacha são suportados pelo Ai200HC.D
O sistema suporta wafers de silício de 6 e 8 polegadas e é adequado para os principais processos de fabrico de semicondutores.
2. Qual é a gama de energia deste sistema?
A gama de energia é de 5 keV a 180 keV, suportando uma vasta gama de aplicações de implantação em dispositivos semicondutores à base de silício.
3. Quais são as capacidades especiais de processamento suportadas por este sistema?
O sistema é compatível com processos baseados em silício e com a tecnologia Smart Cut, suportando o processamento de alvos em lote e aplicações avançadas de engenharia de bolachas.
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