Ai300 (Medium Beam) Ionenimplantatiesysteem op hoge temperatuur voor 12-inch waferverwerking

Het Ai300 (Medium Beam) ionenimplantatiesysteem voor hoge temperaturen is ontworpen voor productielijnen voor 12-inch silicium wafers van halfgeleiders. Het is een ionenimplantator met middelhoge stroomsterkte, ontwikkeld voor geavanceerde doteringsprocessen in halfgeleidertoepassingen voor zowel silicium als brede bandkloof, inclusief SiC-proceslijnen.

Het systeem ondersteunt een energiebereik van 5 keV tot 300 keV, wat flexibele implantatie mogelijk maakt van ondiepe junctievorming tot diepe doperingtoepassingen. Het systeem is uitgerust met een verwarmde waferstage met een maximumtemperatuur tot 400°C, waardoor een betere activering van de doteermiddelen en minder rasterschade tijdens de implantatie mogelijk zijn.

Met stabiele bundelprestaties, zeer nauwkeurige besturing en compatibiliteit met grootschalige geïntegreerde circuitprocessen is het Ai300 systeem geschikt voor geavanceerde halfgeleiderproductieomgevingen.

Kenmerken

Implantaten voor hoge temperaturen

Uitgerust met een verwarmde waferstage die temperaturen tot 400°C ondersteunt, waardoor de implantatiekwaliteit en dopantactiveringsefficiëntie verbeterd worden.

Breed energiebereik

Het energiebereik van 5-300 keV ondersteunt zowel ondiepe als diepe implantatieprocessen voor geavanceerde apparaatstructuren.

Uiterst nauwkeurige bundelregeling

Biedt zeer nauwkeurige implantatie met hoeknauwkeurigheid ≤ 0,1°, bundelparallellisme ≤ 0,1°, uniformiteit ≤ 0,5% en herhaalbaarheid ≤ 0,5%.

Hoge doorvoerprestaties

Ondersteunt een verwerkingscapaciteit tot ≥ 500 wafers per uur, geschikt voor de productie van grote volumes halfgeleiders.

Geavanceerde mogelijkheden voor ionenbronnen

Ondersteunt meerdere geïmplanteerde elementen, waaronder C, B, P, N, He en Ar, om te voldoen aan diverse eisen voor halfgeleiderprocessen.

Compatibiliteit met LSI-processen

Volledig compatibel met productieprocessen voor grootschalige geïntegreerde schakelingen en geavanceerde fabricage van apparaten.

Belangrijkste specificaties

Procesparameters

Straalprestaties

Nauwkeurigheid van implantatie

Systeemprestaties

Toepassingsvelden

SiC halfgeleiderverwerking

Gebruikt bij de fabricage van siliciumcarbide apparaten, ter ondersteuning van implantatieprocessen bij hoge temperaturen die nodig zijn voor materialen met een brede bandkloof.

Halfgeleiderfabricage op basis van silicium

Toepasbaar op 12-inch productielijnen voor siliciumwafers voor CMOS en geavanceerde geïntegreerde schakelingen.

Implantatieprocessen op hoge temperatuur

Ondersteunt implantatieprocessen die een verhoogde wafertemperatuur vereisen om defecten te verminderen en de activering van doteermiddelen te verbeteren.

Fabricage van voedingsapparaten

Geschikt voor vermogenshalfgeleiderapparaten waar precieze dotering en implantatie met hoge energie vereist zijn.

Geavanceerde productie van geïntegreerde circuits

Ondersteunt LSI-procesintegratie met vereisten voor hoge precisie en hoge doorvoer.

Veelgestelde vragen

1. Welke wafergrootte ondersteunt het Ai300 systeem?

Het systeem is ontworpen voor 12-inch siliciumwafers en is geschikt voor geavanceerde productielijnen voor halfgeleiders.

2. Wat is het belangrijkste voordeel van implantatie bij hoge temperatuur?

Het systeem ondersteunt implantatie tot 400°C, wat helpt bij het verminderen van roosterbeschadiging, het verbeteren van dopantactivering en het verbeteren van de algemene prestaties van het apparaat.

3. Welk niveau van precisie en productie-efficiëntie biedt het systeem?

Het systeem biedt hoeknauwkeurigheid binnen 0,1 graden, bundelparallelliteit binnen 0,1 graden en uniformiteit en herhaalbaarheid binnen 0,5 procent, met een verwerkingscapaciteit tot 500 wafers per uur.