Il sistema di impiantazione ionica ad alta temperatura Ai350HT (Medium Beam) è progettato per linee di produzione di wafer di silicio da 6 e 8 pollici e per applicazioni di processo SiC. Si tratta di un implanter ionico a media corrente sviluppato per processi di drogaggio ad alta energia e ad alta temperatura nella fabbricazione di semiconduttori avanzati.
Il sistema supporta una gamma di energie da 5 keV a 350 keV, consentendo processi di impiantazione sia superficiali che profondi. È dotato di un mandrino elettrostatico ad alta temperatura in grado di funzionare fino a 500°C, consentendo una migliore attivazione del drogante e una riduzione del danno reticolare durante l'impianto. Grazie alle prestazioni stabili del fascio e al controllo di alta precisione, il sistema è adatto alla produzione di semiconduttori a base di silicio e a largo bandgap.
Caratteristiche
Capacità di impianto ad alta temperatura
Dotato di un mandrino elettrostatico per alte temperature che supporta fino a 500°C, consente di migliorare l'efficienza dell'impianto e l'attivazione del drogante per processi avanzati.
Ampia gamma di energia
L'intervallo di energia di 5-350 keV supporta requisiti di impiantazione flessibili, dalla formazione di giunzioni poco profonde ai processi di impiantazione profonda.
Controllo del fascio ad alta precisione
Fornisce prestazioni di impianto accurate con precisione angolare ≤ 0,2°, parallelismo del fascio ≤ 0,2°, uniformità ≤ 0,5% e ripetibilità ≤ 0,5%.
Prestazioni stabili del fascio
La stabilità del fascio è controllata entro 10% all'ora, garantendo una qualità di processo costante durante i lunghi cicli di produzione.
Sorgente di ioni a lunga durata
Dotato di una sorgente di ioni di metallo Al con una durata di vita di ≥150 ore, riduce la frequenza di manutenzione e migliora i tempi di attività.
Elevata capacità di produzione
Supporta una produttività di ≥ 200 wafer all'ora, adatta agli ambienti di produzione di semiconduttori.
Compatibilità di processo avanzata
Compatibile con i processi SiC e con la produzione convenzionale di semiconduttori a base di silicio.
Specifiche principali
Parametri di processo
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Dimensione del wafer | 6-8 pollici |
| Gamma energetica | 5-350 keV |
| Elementi impiantati | C, Al, B, P, N, He, Ar |
| Intervallo di dose | 1E11-1E17 ioni/cm² |
Prestazioni del fascio
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Stabilità della trave | ≤ 10% / ora (≤1 interruzione del fascio o arco elettrico all'ora) |
| Parallelismo del fascio | ≤ 0.2° |
Accuratezza dell'impianto
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Gamma dell'angolo dell'impianto | 0°-45° |
| Precisione dell'angolo | ≤ 0.2° |
| Uniformità (1σ) | ≤ 0,5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| Ripetibilità (1σ) | ≤ 0,5% |
Prestazioni del sistema
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Produttività | ≥ 200 wafer all'ora |
| Temperatura massima del mandrino | 500°C |
| Dimensioni dell'apparecchiatura | 6270 × 3500 × 3000 mm |
| Livello di vuoto | 5E-7 Torr |
| Perdita di raggi X | ≤ 0,3 μSv/h |
| Modalità di scansione | Scansione elettrostatica orizzontale + scansione meccanica verticale |
Campi di applicazione
Produzione di semiconduttori SiC
Utilizzato nella fabbricazione di dispositivi in carburo di silicio che richiedono processi di impiantazione ionica ad alta temperatura.
Lavorazione dei semiconduttori a base di silicio
Applicabile alla produzione di circuiti integrati e CMOS su wafer da 6 e 8 pollici.
Processi di impianto ad alta temperatura
Adatto ai processi che richiedono temperature elevate per ridurre i danni al cristallo e migliorare l'attivazione del drogante.
Fabbricazione di dispositivi di potenza
Utilizzato nei dispositivi a semiconduttore di potenza che richiedono processi di impiantazione profonda e ad alta energia.
Ingegneria avanzata dei materiali
Supporta l'impiantazione ionica nei materiali per semiconduttori avanzati e negli ambienti di sviluppo dei processi.
Domande frequenti
1. Quali sono le dimensioni dei wafer supportate da Ai350HT?
Il sistema supporta wafer da 6 e 8 pollici ed è adatto alle linee di produzione di semiconduttori a base di silicio e SiC.
2. Qual è la temperatura massima supportata durante l'impianto?
Il sistema supporta l'impianto ad alta temperatura, fino a 500°C, utilizzando un mandrino elettrostatico riscaldato con serraggio meccanico.
3. Quali sono i principali vantaggi di questo sistema per i processi SiC?
Il sistema combina capacità ad alta temperatura, prestazioni stabili del fascio e compatibilità con i processi SiC, rendendolo adatto ad applicazioni di semiconduttori a largo bandgap.
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