Il sistema di impiantazione ionica Ai200HC.D (High Beam) è progettato per le linee di produzione di wafer di silicio da 6 e 8 pollici. Si tratta di un implanter ionico ad alta corrente sviluppato per applicazioni di drogaggio di precisione e processi avanzati nella produzione di circuiti integrati.
Il sistema supporta una gamma di energie da 5 keV a 180 keV, garantendo prestazioni stabili del fascio e un'elevata ripetibilità del processo. È adatto alla produzione di semiconduttori a base di silicio e ai processi avanzati di incollaggio dei wafer, compresa l'integrazione della tecnologia Smart Cut.
Caratteristiche
Prestazioni di stabilità dei fasci abbaglianti
Il sistema mantiene stabile l'emissione del fascio di ioni con fluttuazioni controllate, garantendo una qualità di impianto costante durante la produzione continua.
Ampia compatibilità di processo
Compatibile con i processi basati sul silicio e con le applicazioni correlate allo Smart Cut, supporta i requisiti avanzati di progettazione dei wafer.
Controllo dell'impianto ad alta precisione
Fornisce prestazioni di impianto accurate con:
- Precisione dell'angolo ≤ 0,2°
- Parallelismo del fascio ≤ 0,3°
- Uniformità ≤ 1%
- Ripetibilità ≤ 1%
Elevata capacità di produzione
Supporta ≥ 220 wafer all'ora, adatto ad ambienti di produzione di semiconduttori di volume medio-alto.
Capacità di elaborazione di target batch
Supporta l'elaborazione di target batch, migliorando la flessibilità del processo e consentendo l'integrazione con tecnologie avanzate di produzione di wafer di silicio.
Specifiche principali
Parametri di processo
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Dimensione del wafer | Wafer di silicio da 6-8 pollici |
| Gamma energetica | 5-180 keV |
| Elementi impiantati | B+, BF2+, P+, As+, N+, H+ |
| Intervallo di dose | 5E11-1E17 ioni/cm² |
Prestazioni del fascio
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Stabilità della trave | ≤ 10% all'ora |
| Parallelismo del fascio | ≤ 0.3° |
Accuratezza dell'impianto
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Gamma dell'angolo dell'impianto | Da -11° a 11° |
| Precisione dell'angolo | ≤ 0.2° |
| Uniformità (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Ripetibilità (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
Prestazioni del sistema
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Produttività | ≥ 220 wafer all'ora |
| Dimensioni dell'apparecchiatura | 5930 × 3000 × 2630 mm |
Applicazione
Produzione di semiconduttori a base di silicio
Utilizzato nella fabbricazione di dispositivi CMOS e logici avanzati, a supporto di precisi processi di impianto di droganti.
Integrazione del processo di taglio intelligente
Adatto per processi di incollaggio di wafer e trasferimento di strati basati sui requisiti della tecnologia Smart Cut.
Ingegneria avanzata dei wafer
Applicato alla modifica dei wafer di silicio, all'ottimizzazione strutturale e al miglioramento delle prestazioni dei dispositivi.
Produzione di circuiti integrati
Supporta la produzione di circuiti integrati in volumi medio-alti con un controllo di processo stabile e una capacità di produzione elevata.
Domande frequenti
1. Quali sono le dimensioni dei wafer supportate da Ai200HC.D?
Il sistema supporta wafer di silicio da 6 e 8 pollici ed è adatto ai principali processi di produzione di semiconduttori.
2. Qual è l'intervallo di energia di questo sistema?
L'intervallo di energia va da 5 keV a 180 keV, per supportare un'ampia gamma di applicazioni di impiantazione nei dispositivi a semiconduttore a base di silicio.
3. Quali capacità di processo speciali supporta questo sistema?
Il sistema è compatibile con i processi basati sul silicio e con la tecnologia Smart Cut, supportando l'elaborazione di target batch e applicazioni avanzate di ingegneria dei wafer.
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