Az Ai200HC.D (High Beam) ionimplantációs rendszert 6 hüvelykes és 8 hüvelykes szilíciumszelet félvezető gyártósorokhoz tervezték. Ez egy nagy áramú ionimplantáló, amelyet az integrált áramkörök gyártásában alkalmazott precíziós adalékoláshoz és fejlett folyamatok alkalmazásához fejlesztettek ki.
A rendszer 5 keV-tól 180 keV-ig terjedő energiatartományt támogat, stabil sugárzási teljesítményt és nagyfokú folyamatismétlést biztosít. Alkalmas szilíciumalapú félvezetőgyártáshoz és a korszerű ostyakötéssel kapcsolatos eljárásokhoz, beleértve a Smart Cut technológia integrálását is.
Jellemzők
Távolsági stabilitási teljesítmény
A rendszer stabil ionnyaláb-kibocsátást biztosít ellenőrzött ingadozással, így a folyamatos gyártás során egyenletes implantációs minőséget biztosít.
Széles körű folyamat-kompatibilitás
Kompatibilis a szilícium-alapú folyamatokkal és a Smart Cut kapcsolódó alkalmazásokkal, támogatja a fejlett ostyatechnikai követelményeket.
Nagy pontosságú implantátum-ellenőrzés
Pontos beültetési teljesítményt biztosít:
- Szögpontosság ≤ 0,2°
- A gerenda párhuzamossága ≤ 0,3°
- Egyenletesség ≤ 1%
- Ismételhetőség ≤ 1%
Nagy áteresztőképesség
Óránként ≥ 220 ostyát támogat, alkalmas közepes és nagy volumenű félvezetőgyártási környezetekhez.
Batch Target feldolgozási képesség
Támogatja a szakaszos célfeldolgozást, javítja a folyamat rugalmasságát és lehetővé teszi a fejlett szilíciumszelet-gyártási technológiákba való integrációt.
Főbb specifikációk
Folyamat paraméterek
| Tétel | Specifikáció |
|---|---|
| Wafer méret | 6-8 hüvelykes szilícium ostyák |
| Energia tartomány | 5-180 keV |
| Beültetett elemek | B+, BF2+, P+, As+, As+, N+, H+ |
| Dózistartomány | 5E11-1E17 ion/cm² |
Sugár teljesítmény
| Tétel | Specifikáció |
|---|---|
| Gerendastabilitás | ≤ 10% óránként |
| Gerendapárhuzamosság | ≤ 0.3° |
Beültetés pontossága
| Tétel | Specifikáció |
|---|---|
| Implantátum szögtartomány | -11° és 11° között |
| Szögpontosság | ≤ 0.2° |
| Egyenletesség (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Ismételhetőség (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
Rendszer teljesítménye
| Tétel | Specifikáció |
|---|---|
| Átviteli teljesítmény | ≥ 220 ostya óránként |
| Berendezés mérete | 5930 × 3000 × 2630 mm |
Alkalmazás
Szilícium-alapú félvezetőgyártás
CMOS és fejlett logikai eszközök gyártásában használatos, pontos adalékanyag-implantációs folyamatok támogatására.
Intelligens vágási folyamat integrációja
Alkalmas a Smart Cut technológia követelményein alapuló ostyakötési és rétegátviteli eljárásokhoz.
Fejlett Wafer Engineering
Szilíciumszelet módosítására, szerkezeti optimalizálásra és az eszközök teljesítményének növelésére alkalmazzák.
Integrált áramkörök gyártása
Stabil folyamatirányítással és nagy áteresztőképességgel támogatja a közepes és nagy volumenű IC-gyártást.
Gyakran ismételt kérdések
1. Milyen ostyaméreteket támogat az Ai200HC.D
A rendszer támogatja a 6 és 8 hüvelykes szilíciumszeleteket, és alkalmas a szokásos félvezetőgyártási folyamatokhoz.
2. Mekkora ennek a rendszernek az energiatartománya
Az energiatartomány 5 keV-tól 180 keV-ig terjed, ami a szilíciumalapú félvezető eszközökben történő implantációs alkalmazások széles körét támogatja.
3. Milyen különleges folyamatokat támogat ez a rendszer
A rendszer kompatibilis a szilícium-alapú folyamatokkal és a Smart Cut technológiával, támogatja a tételes célfeldolgozást és a fejlett ostyatechnikai alkalmazásokat.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.