Le système d'implantation ionique Ai200HC.D (High Beam) est conçu pour les lignes de production de semi-conducteurs sur tranches de silicium de 6 et 8 pouces. Il s'agit d'un implanteur ionique à courant élevé développé pour le dopage de précision et les applications de processus avancés dans la fabrication de circuits intégrés.
Le système prend en charge une gamme d'énergie allant de 5 keV à 180 keV, offrant des performances de faisceau stables et une grande répétabilité du processus. Il convient à la fabrication de semi-conducteurs à base de silicium et aux processus avancés de collage de plaquettes, y compris l'intégration de la technologie Smart Cut.
Caractéristiques
Stabilité des faisceaux élevés
Le système maintient une sortie stable du faisceau d'ions avec une fluctuation contrôlée, assurant une qualité d'implantation constante pendant la production continue.
Large compatibilité des processus
Compatible avec les procédés à base de silicium et les applications liées à la coupe intelligente, il répond aux exigences avancées en matière d'ingénierie des plaquettes de silicium.
Contrôle de haute précision des implants
Fournit une performance d'implantation précise avec :
- Précision de l'angle ≤ 0,2°
- Parallélisme de la poutre ≤ 0,3°.
- Uniformité ≤ 1%
- Répétabilité ≤ 1%
Capacité de production élevée
Prend en charge ≥ 220 plaquettes par heure, ce qui convient aux environnements de production de semi-conducteurs à volume moyen ou élevé.
Capacité de traitement des cibles par lots
Il prend en charge le traitement des cibles par lots, ce qui améliore la flexibilité du processus et permet l'intégration avec les technologies avancées de fabrication de plaquettes de silicium.
Principales spécifications
Paramètres du processus
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Taille de la plaquette | Gaufrettes de silicium de 6 à 8 pouces |
| Gamme d'énergie | 5-180 keV |
| Éléments implantés | B+, BF2+, P+, As+, N+, H+ |
| Gamme de doses | 5E11-1E17 ions/cm² |
Performance des faisceaux
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Stabilité de la poutre | ≤ 10% par heure |
| Parallélisme des poutres | ≤ 0.3° |
Précision de l'implantation
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Gamme d'angles de l'implant | -11° à 11° |
| Précision de l'angle | ≤ 0.2° |
| Uniformité (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Répétabilité (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
Performance du système
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Débit | ≥ 220 gaufres par heure |
| Taille de l'équipement | 5930 × 3000 × 2630 mm |
Application
Fabrication de semi-conducteurs à base de silicium
Utilisé dans la fabrication de dispositifs CMOS et logiques avancés, pour soutenir les processus précis d'implantation de dopants.
Intégration du processus Smart Cut
Convient aux processus de collage des wafers et de transfert de couches basés sur les exigences de la technologie Smart Cut.
Ingénierie avancée des plaquettes de silicium
Appliqué à la modification des tranches de silicium, à l'optimisation structurelle et à l'amélioration des performances des dispositifs.
Production de circuits intégrés
Permet la fabrication de circuits intégrés en volume moyen à élevé avec un contrôle stable des processus et une capacité de production élevée.
Questions fréquemment posées
1. Quelles sont les tailles de plaquettes prises en charge par l'Ai200HC.D ?
Le système prend en charge les plaquettes de silicium de 6 et 8 pouces et convient aux principaux processus de fabrication de semi-conducteurs.
2. Quelle est la gamme d'énergie de ce système ?
La gamme d'énergie s'étend de 5 keV à 180 keV, ce qui permet un large éventail d'applications d'implantation dans les dispositifs semi-conducteurs à base de silicium.
3. Quelles sont les capacités de traitement spéciales que ce système prend en charge ?
Le système est compatible avec les procédés à base de silicium et la technologie Smart Cut, ce qui permet de traiter des cibles par lots et de réaliser des applications avancées d'ingénierie des plaquettes de silicium.
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