Die halbautomatische Raumtemperatur-Wafer-Bonding-Maschine ist ein hochpräzises System für das Bonden auf Wafer- und Chipebene. Durch die Kombination von mechanischem Druck mit einer In-situ-Oberflächenaktivierungstechnologie ermöglicht sie das dauerhafte Bonden bei Raumtemperatur (20-30°C) ohne Klebstoffe oder Hochtemperaturverarbeitung. Dadurch werden thermische Spannungen und Materialverformungen minimiert, was sie ideal für hitzeempfindliche und heterogene Materialien macht. Die Maschine unterstützt Wafergrößen von 2 Zoll bis 12 Zoll und eignet sich für Forschung, Pilotproduktion und kleine bis mittelgroße Fertigung.
Wesentliche Merkmale
- Kleben bei Raumtemperatur - Arbeitet bei 25 ± 5°C, um thermische Fehlanpassung und Waferverzug zu vermeiden.
- Oberflächenaktivierung - Plasma- oder chemische Aktivierung verbessert die Festigkeit der Verbindung; optionales Sputtern verbessert die Oberflächenqualität.
- Hochpräzises Ausrichten - Visuelles Ausrichtungssystem und Präzisionsbewegungsplattform mit ±0,5 μm Genauigkeit.
- Breite Materialkompatibilität - Unterstützt Si, SiC, GaAs, GaN, InP, Saphir, Glas, LiNbO₃, LiTaO₃, Diamant und ausgewählte Polymere.
- Halb-automatischer Betrieb - Manuelles Laden der Wafer mit automatisiertem Bonding-Prozess; programmierbare Rezepte für wiederholbare Ergebnisse.
- Sauberes und stabiles Umfeld - Das integrierte Klasse-100-Reinigungssystem sorgt für eine geringe Verunreinigung und eine Porenrate der Schnittstelle von <0,1%.
Technische Daten
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Wafer Größe | 2″ - 12″, kompatibel mit unregelmäßigen Mustern |
| Bindungstemperatur | 20-30°C |
| Maximaler Druck | 80 kN |
| Druckkontrolle | 0-5000 N einstellbar, ±1 N Auflösung |
| Ausrichtungsgenauigkeit | ±0,5 μm |
| Stärke der Bindung | ≥2,0 J/m² |
| Oberflächenbehandlung | In-situ-Aktivierung + Sputtering-Abscheidung |
| Fütterungsmodus | Handbuch |
| Sauberkeitsgrad | Klasse 100 |
Kerntechnologie
- Direktes Kleben bei Raumtemperatur - Die aktivierten Oberflächen berühren sich unter kontrolliertem Druck und bilden stabile Verbindungen ohne thermisches Ausglühen.
- Oberflächenaktivierung - Erhöht die Oberflächenenergie, entfernt Verunreinigungen und verbessert die Gleichmäßigkeit der Verklebung verschiedener Materialien.
Anwendungen
- Fortschrittliches Halbleiter-Packaging - 3D-IC-Stapelung, TSV-Bonden, heterogene Integration von Logik- und Speicherchips.
- MEMS-Fertigung - Vakuumverpackung auf Wafer-Ebene für Sensoren wie Beschleunigungsmesser und Gyroskope.
- Optoelektronik und Displays - LED-Kleben, Kleben von Saphir- und Glassubstraten, Montage von optischen AR/VR-Modulen.
- Mikrofluidik und Biochips - PDMS- und Glasverklebung unter Beibehaltung der biologischen Aktivität.
- Forschung und neu entstehende Geräte - Flexible Elektronik, Quantenbauelemente und Integration heterogener Materialien.
Service und Unterstützung
- Prozessentwicklung - Optimierung der Bindungsparameter und Oberflächenaktivierungslösungen für verschiedene Materialien.
- Anpassung der Ausrüstung - Hochpräzise Ausrichtmodule, Vakuum- oder Schutzatmosphärenkammern.
- Technische Ausbildung - Vor-Ort-Betriebsführung und Prozess-Fehlerbehebung.
- After-Sales-Unterstützung - 12-monatige Garantie, schneller Austausch von Schlüsselkomponenten, Ferndiagnose und Software-Updates.
FAQ
F: Was ist der Hauptvorteil des Klebens bei Raumtemperatur?
A: Es eliminiert thermische Spannungen und ermöglicht eine zuverlässige Verklebung von wärmeempfindlichen und heterogenen Materialien.
F: Welche Materialien können verklebt werden?
A: Silizium, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Galliumarsenid, Indiumphosphid, Saphir, Glas, Lithiumniobat, Diamant und ausgewählte Polymere.
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