Das Hochtemperatur-Ionenimplantationssystem Ai350HT (Medium Beam) ist für Halbleiterfertigungslinien für 6- und 8-Zoll-Siliziumwafer sowie für SiC-Prozessanwendungen konzipiert. Es handelt sich um einen Mittelstrom-Ionenimplantator, der für Hochenergie- und Hochtemperatur-Dotierungsprozesse in der modernen Halbleiterfertigung entwickelt wurde.
Das System unterstützt einen Energiebereich von 5 keV bis 350 keV und ermöglicht sowohl flache als auch tiefe Implantationsprozesse. Es ist mit einem elektrostatischen Hochtemperatur-Chuck ausgestattet, der bis zu 500°C arbeiten kann und eine verbesserte Dotierstoffaktivierung und geringere Gitterschäden während der Implantation ermöglicht. In Verbindung mit einer stabilen Strahlleistung und einer hochpräzisen Steuerung eignet sich das System sowohl für die Herstellung von Halbleitern auf Siliziumbasis als auch für solche mit großem Bandabstand.
Eigenschaften
Fähigkeit zur Hochtemperatur-Implantation
Ausgestattet mit einem elektrostatischen Hochtemperatur-Chuck, der bis zu 500°C unterstützt und eine verbesserte Implantationseffizienz und Dotierstoffaktivierung für fortschrittliche Prozesse ermöglicht.
Breiter Energiebereich
Der Energiebereich von 5-350 keV unterstützt flexible Implantationsanforderungen von der Bildung flacher Übergänge bis zu tiefen Implantationsprozessen.
Hochpräzise Strahlsteuerung
Bietet präzise Implantationsleistung mit Winkelgenauigkeit ≤ 0,2°, Strahlparallelität ≤ 0,2°, Gleichmäßigkeit ≤ 0,5% und Wiederholbarkeit ≤ 0,5%.
Stabile Strahlleistung
Die Strahlstabilität wird innerhalb von 10% pro Stunde kontrolliert, was eine gleichbleibende Prozessqualität bei langen Produktionszyklen gewährleistet.
Langlebige Ionenquelle
Ausgestattet mit einer Metall-Al-Ionenquelle mit einer Lebensdauer von ≥150 Stunden, wodurch die Wartungshäufigkeit reduziert und die Betriebszeit verbessert wird.
Hohe Durchsatzleistung
Unterstützt einen Durchsatz von ≥ 200 Wafern pro Stunde, geeignet für Halbleiterproduktionsumgebungen.
Erweiterte Prozesskompatibilität
Kompatibel mit SiC-Prozessen und konventioneller Halbleiterfertigung auf Siliziumbasis.
Wichtige Spezifikationen
Prozess-Parameter
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Wafer Größe | 6-8 Zoll |
| Energiebereich | 5-350 keV |
| Implantierte Elemente | C, Al, B, P, N, He, Ar |
| Dosisbereich | 1E11-1E17 Ionen/cm² |
Strahlenleistung
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Balkenstabilität | ≤ 10% / Stunde (≤1 Strahlunterbrechung oder Lichtbogenbildung pro Stunde) |
| Parallelität der Strahlen | ≤ 0.2° |
Implantationsgenauigkeit
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Implantat-Winkelbereich | 0°-45° |
| Winkel-Genauigkeit | ≤ 0.2° |
| Gleichmäßigkeit (1σ) | ≤ 0,5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| Reproduzierbarkeit (1σ) | ≤ 0,5% |
Systemleistung
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Durchsatz | ≥ 200 Wafer pro Stunde |
| Maximale Futtertemperatur | 500°C |
| Ausrüstung Größe | 6270 × 3500 × 3000 mm |
| Vakuum Niveau | 5E-7 Torr |
| Röntgenstrahlung Leckage | ≤ 0,3 μSv/h |
| Modus "Scannen | Horizontale elektrostatische Abtastung + vertikale mechanische Abtastung |
Anwendungsbereiche
SiC-Halbleiterherstellung
Wird bei der Herstellung von Siliziumkarbid-Bauteilen verwendet, die Hochtemperatur-Ionenimplantationsverfahren erfordern.
Halbleiterverarbeitung auf Siliziumbasis
Anwendbar für die Herstellung von CMOS und integrierten Schaltungen auf 6- und 8-Zoll-Wafern.
Hochtemperatur-Implantationsverfahren
Geeignet für Prozesse, die eine erhöhte Temperatur erfordern, um Kristallschäden zu verringern und die Aktivierung von Dotierstoffen zu verbessern.
Herstellung von Leistungsgeräten
Wird in Leistungshalbleitergeräten verwendet, die eine tiefe Implantation und Hochenergieprozesse erfordern.
Fortgeschrittene Werkstofftechnik
Unterstützt die Ionenimplantation in modernen Halbleitermaterialien und Prozessentwicklungsumgebungen.
Häufig gestellte Fragen
1. Welche Wafergrößen unterstützt der Ai350HT?
Das System unterstützt 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafer und eignet sich sowohl für Silizium- als auch für SiC-Halbleiterproduktionslinien.
2. Welche Temperatur ist während der Implantation maximal zulässig?
Das System unterstützt die Hochtemperatur-Implantation bei bis zu 500°C unter Verwendung eines beheizten elektrostatischen Spannfutters mit mechanischer Klemmung.
3. Was sind die Hauptvorteile dieses Systems für SiC-Prozesse?
Das System kombiniert Hochtemperaturfähigkeit, stabile Strahlleistung und Kompatibilität mit SiC-Prozessen, wodurch es sich für Halbleiteranwendungen mit großem Bandabstand eignet.
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