Ai250 (Medium Beam) 離子植入系統專為 6 吋和 8 吋矽晶圓半導體製造線所設計。它是用於先進積體電路製造製程的中等電流離子植入器，提供穩定的束流性能、高植入精度和可靠的劑量控制。.
該系統支援的能量範圍從 5 keV 到 250 keV，可實現淺層和深層離子植入應用。它適用於各種半導體摻雜製程，並完全符合 LSI 製造要求。.
特點
穩定的中光束效能
確保長生產週期內穩定的離子束輸出，改善製程一致性並降低變異性。.
寬能量範圍能力
5-250 keV 的能量範圍可支援不同裝置結構和製程節點的彈性植入需求。.
高精密製程控制
提供高精度植入性能，角度精度≤0.2°，光束平行度≤0.2°，均勻度≤0.5%，重複性≤0.5%。.
高產量能力
每小時支援 ≥ 200 片晶圓，適用於中高產量的半導體生產。.
植入模式功能
支援在單一晶圓上進行多區域與象限植入，提高製程彈性並降低開發成本。.
LSI 製程相容性
完全相容於 LSI 半導體製程。.
主要規格
製程參數
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 晶圓尺寸 | 6-8 吋矽晶圓 |
| 能量範圍 | 5-250 keV |
| 植入元件 | B+、P+、As+、Ar+、N+、H+ |
| 劑量範圍 | 5E11-1E16 離子/平方厘米 |
光束性能
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 最大光束電流 | Ar+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV B+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV P+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV N+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV |
| 梁的穩定性 | ≤ 15% / 小時 (光束中斷和起弧 ≤ 每小時 1 次) |
| 光束平行度 | ≤ 0.2° |
植入精確度
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 植入角度範圍 | 0°-45° |
| 角度精確度 | ≤ 0.2° |
| 均一性 (1σ) | ≤ 0.5% (B+, 2E14, 150 keV) |
| 重複性 (1σ) | ≤ 0.5% |
系統效能
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 吞吐量 | ≥ 每小時 200 片晶圓 |
| 真空度 | < 5E-7 托 |
| X 射線洩漏 | ≤ 0.6 μSv/h |
| 掃描模式 | 水平靜電掃描 + 垂直機械掃描 |
| 設備尺寸 | 5600 × 3300 × 2600 公釐 |
應用領域
半導體元件製造
用於 CMOS 邏輯元件生產，提供精確的摻雜劑植入，以形成電晶體。.
積體電路製造
應用於需要高精度摻雜控制的 LSI 和先進 IC 製程。.
淺層和深層接合層
支援源極/漏極工程和結深控制的植入製程。.
摻質工程
透過精確的離子植入，用於控制矽晶圓的電氣特性。.
製程開發與研發
適用於半導體製程開發、試產及實驗性裝置製造。.
常見問題
1.Ai250 支援哪些晶圓尺寸
該系統支援 6 吋和 8 吋矽晶圓，適用於主流半導體生產線。.
2.系統的能量範圍是多少
能量範圍從 5 keV 到 250 keV，可支援半導體元件製造的淺植入和深植入製程。.
3.系統可提供何種程度的製程精確度
系統提供 0.2° 以內的角度精確度、0.2° 以內的光束平行度，以及 0.5% 以內的均勻度與重複性，確保穩定且高產量的生產效能。.
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