Hệ thống cấy ion ở nhiệt độ phòng Ai250 (chùm tia trung bình) dành cho gia công tấm silicon 6–8 inch

Hệ thống cấy ion Ai250 (chùm tia trung bình) được thiết kế dành cho các dây chuyền sản xuất bán dẫn sử dụng tấm silicon 6 inch và 8 inch. Đây là thiết bị cấy ion dòng điện trung bình được sử dụng trong các quy trình sản xuất mạch tích hợp tiên tiến, mang lại hiệu suất chùm tia ổn định, độ chính xác cấy cao và khả năng kiểm soát liều lượng đáng tin cậy.

Hệ thống này hỗ trợ dải năng lượng từ 5 keV đến 250 keV, cho phép thực hiện các ứng dụng cấy ion ở cả độ sâu nông và sâu. Hệ thống này phù hợp với nhiều quy trình pha tạp bán dẫn khác nhau và hoàn toàn tương thích với các yêu cầu sản xuất LSI.

Tính năng

Hiệu suất ổn định của dầm trung bình

Đảm bảo đầu ra chùm ion ổn định trong các chu kỳ sản xuất kéo dài, giúp nâng cao tính nhất quán của quy trình và giảm thiểu sự biến động.

Khả năng hoạt động trong dải công suất rộng

Dải năng lượng từ 5–250 keV đáp ứng các yêu cầu cấy ghép linh hoạt cho các cấu trúc thiết bị và các nút công nghệ khác nhau.

Kiểm soát quy trình với độ chính xác cao

Đảm bảo hiệu suất cấy ghép với độ chính xác cao, bao gồm độ chính xác góc ≤ 0,2°, độ song song của chùm tia ≤ 0,2°, độ đồng đều ≤ 0,5% và độ lặp lại ≤ 0,5%.

Khả năng xử lý khối lượng lớn

Có khả năng xử lý ≥ 200 tấm wafer mỗi giờ, phù hợp cho sản xuất bán dẫn với khối lượng từ trung bình đến lớn.

Chức năng cấy ghép mẫu

Hỗ trợ việc cấy ghép đa vùng và theo tứ phân trên cùng một tấm wafer, giúp nâng cao tính linh hoạt của quy trình và giảm chi phí phát triển.

Khả năng tương thích quy trình LSI

Hoàn toàn tương thích với các quy trình sản xuất bán dẫn của LSI.

Thông số kỹ thuật chính

Thông số quy trình

Hiệu suất chùm tia

Độ chính xác khi cấy ghép

Hiệu suất hệ thống

Lĩnh vực ứng dụng

Sản xuất thiết bị bán dẫn

Được sử dụng trong sản xuất thiết bị logic CMOS, giúp thực hiện quá trình cấy tạp chất chính xác để tạo ra các bóng bán dẫn.

Sản xuất mạch tích hợp

Được ứng dụng trong các quy trình sản xuất LSI và IC tiên tiến đòi hỏi khả năng kiểm soát độ pha tạp với độ chính xác cao.

Sự hình thành các điểm nối nông và sâu

Hỗ trợ các quy trình cấy ghép để điều chỉnh cực nguồn/cực thoát và kiểm soát độ sâu tiếp giáp.

Kỹ thuật pha tạp

Được sử dụng để điều chỉnh các tính chất điện của các tấm silicon thông qua quá trình cấy ion chính xác.

Phát triển quy trình và Nghiên cứu & Phát triển

Phù hợp cho việc phát triển quy trình bán dẫn, sản xuất thử nghiệm và chế tạo thiết bị thí nghiệm.

Câu hỏi thường gặp

1. Máy Ai250 hỗ trợ các kích thước wafer nào?

Hệ thống này hỗ trợ các tấm silicon có kích thước 6 inch và 8 inch, và phù hợp với các dây chuyền sản xuất bán dẫn thông dụng.

2. Dải năng lượng của hệ thống là bao nhiêu?

Dải năng lượng nằm trong khoảng từ 5 keV đến 250 keV, hỗ trợ cả các quy trình cấy ion ở độ sâu nông và sâu trong sản xuất thiết bị bán dẫn.

3. Hệ thống đảm bảo mức độ chính xác của quy trình ở mức nào?

Hệ thống này đảm bảo độ chính xác góc trong phạm vi 0,2°, độ song song của chùm tia trong phạm vi 0,2°, cùng độ đồng đều và độ lặp lại trong phạm vi 0,5%, từ đó đảm bảo hiệu suất sản xuất ổn định và năng suất cao.