Hệ thống cấy ion Ai200HC.D (High Beam) được thiết kế dành cho các dây chuyền sản xuất bán dẫn sử dụng tấm silicon 6 inch và 8 inch. Đây là một thiết bị cấy ion dòng điện cao được phát triển để phục vụ cho các ứng dụng pha tạp chính xác và các quy trình tiên tiến trong sản xuất mạch tích hợp.
Hệ thống hỗ trợ dải năng lượng từ 5 keV đến 180 keV, mang lại hiệu suất chùm tia ổn định và độ lặp lại cao trong quá trình sản xuất. Hệ thống này phù hợp cho sản xuất bán dẫn trên nền silicon và các quy trình liên quan đến hàn wafer tiên tiến, bao gồm cả việc tích hợp công nghệ Smart Cut.
Tính năng
Hiệu suất ổn định ở chế độ đèn pha
Hệ thống duy trì công suất chùm ion ổn định với độ dao động được kiểm soát, đảm bảo chất lượng cấy ghép ổn định trong quá trình sản xuất liên tục.
Khả năng tương thích rộng rãi với các quy trình
Tương thích với các quy trình dựa trên silicon và các ứng dụng liên quan đến Smart Cut, đáp ứng các yêu cầu kỹ thuật tiên tiến về tấm wafer.
Kiểm soát cấy ghép với độ chính xác cao
Đảm bảo hiệu suất cấy ghép chính xác nhờ:
- Độ chính xác góc ≤ 0,2°
- Độ song song của chùm tia ≤ 0,3°
- Độ đồng đều ≤ 1%
- Độ lặp lại ≤ 1%
Khả năng xử lý khối lượng lớn
Có khả năng xử lý ≥ 220 tấm wafer mỗi giờ, phù hợp với các môi trường sản xuất bán dẫn có quy mô từ trung bình đến lớn.
Khả năng xử lý hàng loạt theo mục tiêu
Hỗ trợ xử lý hàng loạt các mục tiêu, giúp nâng cao tính linh hoạt của quy trình và cho phép tích hợp với các công nghệ sản xuất tấm silicon tiên tiến.
Thông số kỹ thuật chính
Thông số quy trình
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Kích thước tấm wafer | Tấm silicon có đường kính 6–8 inch |
| Phạm vi năng lượng | 5–180 keV |
| Các thành phần được cấy ghép | B+, BF2+, P+, As+, N+, H+ |
| Phạm vi liều lượng | 5E11–1E17 ion/cm² |
Hiệu suất chùm tia
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Độ ổn định của dầm | ≤ 10% mỗi giờ |
| Độ song song của chùm tia | ≤ 0,3° |
Độ chính xác khi cấy ghép
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Phạm vi góc cấy ghép | -11° đến 11° |
| Độ chính xác góc | ≤ 0,2° |
| Độ đồng nhất (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Độ lặp lại (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
Hiệu suất hệ thống
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Công suất | ≥ 220 tấm wafer mỗi giờ |
| Kích thước thiết bị | 5930 × 3000 × 2630 mm |
Đơn đăng ký
Sản xuất chất bán dẫn trên nền silicon
Được sử dụng trong sản xuất các thiết bị CMOS và thiết bị logic tiên tiến, hỗ trợ các quy trình cấy chất pha tạp chính xác.
Tích hợp quy trình cắt thông minh
Phù hợp cho các quy trình hàn wafer và chuyển lớp dựa trên các yêu cầu của công nghệ Smart Cut.
Kỹ thuật chế tạo wafer tiên tiến
Được ứng dụng trong việc cải tiến tấm silicon, tối ưu hóa cấu trúc và nâng cao hiệu suất thiết bị.
Sản xuất mạch tích hợp
Hỗ trợ sản xuất IC với khối lượng từ trung bình đến lớn, nhờ khả năng kiểm soát quy trình ổn định và năng suất cao.
Câu hỏi thường gặp
1. Máy Ai200HC.D hỗ trợ các kích thước wafer nào?
Hệ thống này hỗ trợ các tấm silicon có kích thước 6 inch và 8 inch và phù hợp với các quy trình sản xuất bán dẫn thông dụng.
2. Dải công suất của hệ thống này là bao nhiêu?
Dải năng lượng nằm trong khoảng từ 5 keV đến 180 keV, hỗ trợ nhiều ứng dụng cấy ion khác nhau trong các thiết bị bán dẫn dựa trên silicon.
3. Hệ thống này hỗ trợ những khả năng xử lý đặc biệt nào?
Hệ thống này tương thích với các quy trình dựa trên silicon và công nghệ Smart Cut, hỗ trợ xử lý mục tiêu theo lô và các ứng dụng kỹ thuật tấm wafer tiên tiến.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.