Система ионной имплантации Ai200HC.D (High Beam) предназначена для линий по производству полупроводниковых пластин размером 6 и 8 дюймов из кремния. Это высокотоковый ионный имплантер, разработанный для прецизионного легирования и передовых технологических приложений в производстве интегральных схем.
Система поддерживает диапазон энергий от 5 кэВ до 180 кэВ, обеспечивая стабильную работу пучка и высокую повторяемость процесса. Она подходит для производства полупроводников на основе кремния и передовых процессов, связанных с приклеиванием пластин, включая интеграцию технологии Smart Cut.
Характеристики
Характеристики устойчивости дальнего света
Система поддерживает стабильную мощность ионного пучка с контролируемыми колебаниями, обеспечивая постоянное качество имплантации в процессе непрерывного производства.
Широкая совместимость с технологическими процессами
Совместимость с процессами на основе кремния и приложениями Smart Cut, поддерживающими передовые требования к проектированию пластин.
Высокоточный контроль имплантатов
Обеспечивает точные показатели имплантации:
- Точность угла ≤ 0,2°
- Параллельность балки ≤ 0,3°
- Равномерность ≤ 1%
- Повторяемость ≤ 1%
Высокая пропускная способность
Поддерживает ≥ 220 пластин в час, подходит для среднего и крупносерийного производства полупроводников.
Возможность пакетной обработки целей
Поддерживает пакетную обработку мишеней, повышая гибкость процесса и обеспечивая интеграцию с передовыми технологиями производства кремниевых пластин.
Основные характеристики
Параметры процесса
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Размер пластины | Кремниевые пластины 6-8 дюймов |
| Диапазон энергии | 5-180 кэВ |
| Имплантированные элементы | B+, BF2+, P+, As+, N+, H+ |
| Диапазон доз | 5E11-1E17 ионов/см² |
Производительность балки
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Устойчивость балки | ≤ 10% в час |
| Параллельность балок | ≤ 0.3° |
Точность имплантации
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Диапазон угла наклона имплантата | от -11° до 11° |
| Точность угла | ≤ 0.2° |
| Равномерность (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 кэВ) |
| Повторяемость (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 кэВ) |
Производительность системы
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Пропускная способность | ≥ 220 пластин в час |
| Размер оборудования | 5930 × 3000 × 2630 мм |
Приложение
Производство полупроводников на основе кремния
Используется при изготовлении КМОП и современных логических устройств, поддерживая точные процессы имплантации легирующих элементов.
Интеграция процессов Smart Cut
Подходит для процессов склеивания пластин и переноса слоев в соответствии с требованиями технологии Smart Cut.
Передовые технологии производства пластин
Применяется для модификации кремниевых пластин, оптимизации структуры и повышения производительности устройств.
Производство интегральных микросхем
Поддерживает средне- и высокосерийное производство ИС со стабильным контролем процесса и высокой пропускной способностью.
Часто задаваемые вопросы
1. Какие размеры пластин поддерживает Ai200HC.D
Система поддерживает 6- и 8-дюймовые кремниевые пластины и подходит для основных процессов производства полупроводников.
2. Каков энергетический диапазон этой системы
Диапазон энергий составляет от 5 кэВ до 180 кэВ, что обеспечивает широкий спектр применений имплантации в полупроводниковых приборах на основе кремния.
3. Какие специальные технологические возможности поддерживает данная система
Система совместима с процессами на основе кремния и технологией Smart Cut, поддерживая пакетную целевую обработку и передовые приложения для разработки пластин.
Отзывы
Отзывов пока нет.