Система ионной имплантации Ai250 (Medium Beam) предназначена для 6- и 8-дюймовых линий по производству полупроводниковых пластин из кремния. Это ионный имплантер среднего тока, используемый в передовых процессах производства интегральных схем, обеспечивающий стабильную работу пучка, высокую точность имплантации и надежный контроль дозы.
Система поддерживает диапазон энергий от 5 кэВ до 250 кэВ, позволяя применять как поверхностную, так и глубокую ионную имплантацию. Она подходит для широкого спектра процессов легирования полупроводников и полностью совместима с требованиями производства LSI.
Характеристики
Стабильные характеристики среднего луча
Обеспечивает стабильную мощность ионного пучка в течение длительных производственных циклов, повышая стабильность процесса и снижая вариабельность.
Возможность работы в широком энергетическом диапазоне
Диапазон энергий 5-250 кэВ поддерживает гибкие требования к имплантации для различных структур устройств и технологических узлов.
Высокоточный контроль процессов
Обеспечивает высокую точность имплантации: точность угла ≤ 0,2°, параллельность луча ≤ 0,2°, равномерность ≤ 0,5% и повторяемость ≤ 0,5%.
Высокая пропускная способность
Поддерживает ≥ 200 пластин в час, подходит для среднего и крупносерийного производства полупроводников.
Функционирование имплантатов
Поддержка многозональной и квадрантной имплантации на одной пластине, что повышает гибкость процесса и снижает стоимость разработки.
Совместимость с процессами LSI
Полная совместимость с процессами производства полупроводников LSI.
Основные характеристики
Параметры процесса
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Размер пластины | Кремниевые пластины 6-8 дюймов |
| Диапазон энергии | 5-250 кэВ |
| Имплантированные элементы | B+, P+, As+, Ar+, N+, H+ |
| Диапазон доз | 5E11-1E16 ионов/см² |
Производительность балки
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Максимальный ток луча | Ar+ ≥ 1300 мкА @ ≥220 кэВ B+ ≥ 1000 мкА @ ≥220 кэВ P+ ≥ 1300 мкА @ ≥220 кэВ N+ ≥ 1000 мкА @ ≥220 кэВ |
| Устойчивость балки | ≤ 15% / час (прерывание луча и дуга ≤ 1 раз в час) |
| Параллельность балок | ≤ 0.2° |
Точность имплантации
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Диапазон угла наклона имплантата | 0°-45° |
| Точность угла | ≤ 0.2° |
| Равномерность (1σ) | ≤ 0.5% (B+, 2E14, 150 кэВ) |
| Повторяемость (1σ) | ≤ 0,5% |
Производительность системы
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Пропускная способность | ≥ 200 пластин в час |
| Уровень вакуума | < 5E-7 Торр |
| Утечка рентгеновского излучения | ≤ 0,6 мкЗв/ч |
| Режим сканирования | Горизонтальное электростатическое сканирование + вертикальное механическое сканирование |
| Размер оборудования | 5600 × 3300 × 2600 мм |
Поля приложений
Производство полупроводниковых приборов
Используется в производстве КМОП-логических устройств, обеспечивая точную имплантацию легирующих элементов для формирования транзисторов.
Изготовление интегральных микросхем
Применяется в процессах производства LSI и современных ИС, требующих высокой точности контроля легирования.
Мелководная и глубоководная формация
Поддерживает процессы имплантации для проектирования истока/стока и контроля глубины спая.
Разработка легирующих добавок
Используется для контроля электрических свойств кремниевых пластин путем точной ионной имплантации.
Разработка процессов и НИОКР
Подходит для разработки полупроводниковых процессов, опытного производства и изготовления экспериментальных устройств.
Часто задаваемые вопросы
1. Какие размеры пластин поддерживает Ai250
Система поддерживает 6- и 8-дюймовые кремниевые пластины и подходит для основных линий производства полупроводников.
2. Каков энергетический диапазон системы
Диапазон энергий составляет от 5 кэВ до 250 кэВ, что позволяет использовать процессы поверхностной и глубокой имплантации для изготовления полупроводниковых приборов.
3. Какой уровень точности процесса обеспечивает система
Система обеспечивает точность угла в пределах 0,2°, параллельность луча в пределах 0,2°, равномерность и повторяемость в пределах 0,5%, гарантируя стабильность и высокую производительность.
Отзывы
Отзывов пока нет.