Оборудование для прецизионного обратного шлифования Wafer Thinning System - это высокоточное решение для обработки пластин, предназначенное для современного полупроводникового производства. Оно поддерживает пластины размером от 4 до 12 дюймов, включая кремний (Si), карбид кремния (SiC), арсенид галлия (GaAs), сапфир и другие хрупкие составные полупроводниковые материалы.
Эта система разработана для сверхточного утонения обратной стороны полупроводниковых пластин, позволяя уменьшать толщину до микронного и субмикронного уровней, сохраняя при этом отличную целостность поверхности. Она играет важную роль в производстве современной упаковки, силовых устройств, МЭМС и комбинированных полупроводников.
Благодаря интеграции высокопрочной механической конструкции, прецизионного управления по оси Z и контроля толщины в режиме реального времени, оборудование обеспечивает стабильную и повторяемую производительность обработки для промышленного производства.
Основные технические характеристики
Высокоточный контроль толщины
- Точность толщины: ±1 мкм
- Общее изменение толщины (TTV): ≤2 мкм
- Усовершенствованные модели обеспечивают субмикронный контроль до ±0,5 мкм
Широкая совместимость с материалами
Поддерживает широкий спектр полупроводниковых и хрупких материалов:
- Кремний (Si)
- Карбид кремния (SiC)
- Арсенид галлия (GaAs)
- Сапфир (Al₂O₃)
- Другие составные полупроводниковые пластины
Совместимость с размерами пластин
- 4-дюймовые / 6-дюймовые / 8-дюймовые / 10-дюймовые / 12-дюймовые пластины
- Гибкая обработка стандартных и индивидуальных подложек
Высокостабильная механическая система
- Шпиндель с пневматическим подшипником высокой жесткости
- Прецизионная шлифовальная платформа с низким уровнем вибрации
- Импортная шарико-винтовая пара + система линейных направляющих
- Высокоточное управление серводвигателем (разрешение 0,1 мкм)
Усовершенствованная система охлаждения
- Система водяного охлаждения шпинделя обеспечивает термостабильность
- Предотвращает деформацию при высокоскоростном шлифовании
Конфигурация системы
Система утонения пластин включает в себя несколько функциональных модулей:
1. Модуль прецизионного шлифования
Выполняет контролируемое удаление материала с высокой однородностью поверхности.
2. Система точного управления по оси Z
Обеспечивает сверхточную вертикальную регулировку для получения равномерной толщины пластин.
3. Система измерения толщины
Контактное/бесконтактное измерение в режиме реального времени обеспечивает стабильность процесса.
4. Вакуумный вафельный патрон
Надежная фиксация пластин, включая индивидуальные решения для пластин неправильной формы.
5. Система автоматического управления
- Полноавтоматический / полуавтоматический режимы работы
- Запись журнала операций
- Управление процессом на основе рецептов
Возможности обработки
Система предназначена для высокопроизводительной обработки обратной стороны пластин:
- Обратное шлифование кремниевых пластин
- Утонение подложек SiC для производства силовых устройств
- Утончение подложек GaN и GaAs
- Прецизионное утонение сапфировых пластин
- Подготовка ультратонких пластин для 3D-упаковки
Приложения
1. Силовые полупроводниковые приборы
Используется в SiC MOSFETs, IGBTs и высоковольтных устройствах, требующих сверхтонких пластин.
2. Передовая упаковка
Поддерживает утонение пластин для:
- Упаковка флип-чипов
- 2,5D / 3D интеграция ИС
- Процессы TSV (Through Silicon Via)
3. Составные полупроводники
Применяется для изготовления устройств на основе GaN, GaAs и InP.
4. Светодиоды и оптоэлектроника
Утонение сапфировых и составных пластин для светодиодных чипов и оптических устройств.
Преимущества
- Зрелая и стабильная технология утонения пластин
- Высокоточная система шлифования на входе
- Отличный контроль шероховатости поверхности
- Высокая производительность (до 30 пластин в час для стандартных процессов)
- Высокая адаптивность к хрупким и твердым материалам
- Возможность полностью автоматизированной интеграции процессов
Основные показатели
- Минимальное разрешение: 0,1 мкм/с Управление по оси Z
- Однородность толщины: ≤1-2 мкм TTV
- Высокоскоростной шпиндель с ультранизкой вибрацией
- Мониторинг и протоколирование процессов в режиме реального времени
- Совместим как с научно-исследовательскими работами, так и с серийным производством
Параметры настройки
Мы обеспечиваем гибкую настройку для различных промышленных нужд:
- Нестандартные вафельные патроны (неправильной формы)
- Расширенный диапазон измерения толщины (до 40 мм)
- Настройка рецептуры процесса
- Интеграция автоматизации с оборудованием для добычи и переработки нефти и газа
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
Вопрос 1: Может ли эта система обрабатывать пластины SiC?
Да, он специально оптимизирован для утончения SiC пластин и шлифовки обратной стороны, что подходит для применения в силовых устройствах.
Вопрос 2: Какова достижимая точность толщины?
Стандартные модели достигают ±1 мкм, а высокотехнологичные конфигурации могут достигать ±0,5 мкм при TTV ≤1 мкм.
Вопрос 3: Поддерживает ли он полную автоматизацию?
Да, в зависимости от требований производства возможны как автоматический, так и полуавтоматический режимы.
Отзывы
Отзывов пока нет.