O sistema de implantação iónica de alta temperatura Ai300 (feixe médio) foi concebido para linhas de fabrico de semicondutores de bolachas de silício de 12 polegadas. É um implantador de iões de corrente média desenvolvido para processos avançados de dopagem em aplicações de semicondutores à base de silício e de banda larga, incluindo linhas de processamento de SiC.
O sistema suporta uma gama de energia de 5 keV a 300 keV, permitindo uma implantação flexível desde a formação de junções pouco profundas até aplicações de dopagem profunda. Está equipado com uma plataforma de bolacha aquecida a alta temperatura, com uma temperatura máxima até 400°C, permitindo uma melhor ativação do dopante e uma redução dos danos na rede durante a implantação.
Com um desempenho estável do feixe, controlo de alta precisão e compatibilidade com processos de circuitos integrados em grande escala, o sistema Ai300 é adequado para ambientes avançados de fabrico de semicondutores.
Caraterísticas
Capacidade de implante a alta temperatura
Equipado com uma fase de bolacha aquecida que suporta temperaturas até 400°C, melhorando a qualidade da implantação e a eficiência da ativação do dopante.
Vasta gama de energia
A gama de energia de 5-300 keV suporta processos de implantação superficial e profunda para estruturas de dispositivos avançados.
Controlo de feixe de alta precisão
Proporciona uma implantação de alta precisão com precisão angular ≤ 0,1°, paralelismo do feixe ≤ 0,1°, uniformidade ≤ 0,5% e repetibilidade ≤ 0,5%.
Desempenho de alto rendimento
Suporta um rendimento de até ≥ 500 bolachas por hora, adequado para o fabrico de semicondutores de elevado volume.
Capacidade avançada de fontes de iões
Suporta múltiplos elementos implantados, incluindo C, B, P, N, He e Ar, satisfazendo diversos requisitos de processos de semicondutores.
Compatibilidade de processos LSI
Totalmente compatível com os processos de fabrico de circuitos integrados em grande escala e com o fabrico de dispositivos avançados.
Especificações principais
Parâmetros do processo
| Item | Especificação |
|---|---|
| Tamanho da pastilha | 12 polegadas |
| Gama de energia | 5-300 keV |
| Elementos Implantados | C, B, P, N, He, Ar |
| Intervalo de dose | 1E11-1E16 iões/cm² |
Desempenho do feixe
| Item | Especificação |
|---|---|
| Estabilidade da viga | ≤ 10% / hora (≤1 interrupção do feixe ou formação de arco por hora) |
| Paralelismo de vigas | ≤ 0.1° |
Precisão da implantação
| Item | Especificação |
|---|---|
| Gama de ângulos do implante | 0°-45° |
| Precisão do ângulo | ≤ 0.1° |
| Uniformidade (1σ) | ≤ 0,5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| Repetibilidade (1σ) | ≤ 0,5% |
Desempenho do sistema
| Item | Especificação |
|---|---|
| Rendimento | ≥ 500 bolachas por hora |
| Temperatura máxima do implante | 400°C |
| Tamanho do equipamento | 6400 × 3640 × 3100 mm |
| Nível de vácuo | 5E-7 Torr |
| Fuga de raios X | ≤ 0,3 μSv/h |
| Modo de digitalização | Varrimento eletrostático horizontal + varrimento mecânico vertical |
Campos de aplicação
Processamento de semicondutores SiC
Utilizado no fabrico de dispositivos de carboneto de silício, suportando processos de implantação a alta temperatura necessários para materiais de grande intervalo de banda.
Fabrico de semicondutores à base de silício
Aplicável a linhas de produção de bolachas de silício de 12 polegadas para fabrico de CMOS e de circuitos integrados avançados.
Processos de implantação a alta temperatura
Suporta processos de implantação que requerem uma temperatura elevada da bolacha para reduzir os defeitos e melhorar a ativação do dopante.
Fabrico de dispositivos de potência
Adequado para dispositivos semicondutores de potência em que é necessária uma dopagem precisa e uma implantação de alta energia.
Produção avançada de circuitos integrados
Suporta a integração de processos LSI com requisitos de alta precisão e alto rendimento.
Perguntas mais frequentes
1. Que tamanho de bolacha é suportado pelo sistema Ai300?
O sistema foi concebido para bolachas de silício de 12 polegadas e é adequado para linhas avançadas de fabrico de semicondutores.
2. Qual é a principal vantagem da capacidade de implantação a alta temperatura
O sistema suporta a implantação até 400°C, o que ajuda a reduzir os danos na rede, a melhorar a ativação dos dopantes e a melhorar o desempenho geral do dispositivo.
3. Qual o nível de precisão e eficiência de produção do sistema?
O sistema fornece uma precisão angular de 0,1 graus, um paralelismo de feixe de 0,1 graus e uniformidade e repetibilidade de 0,5 por cento, com um rendimento de até 500 bolachas por hora.
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