Het Ai250 (Medium Beam) ionenimplantatiesysteem is ontworpen voor productielijnen voor halfgeleiders van 6 inch en 8 inch siliciumwafers. Het is een middelstroom ionenimplantator die gebruikt wordt in geavanceerde processen voor de fabricage van geïntegreerde schakelingen, en biedt stabiele bundelprestaties, hoge implantatienauwkeurigheid en betrouwbare dosisregeling.
Het systeem ondersteunt een energiebereik van 5 keV tot 250 keV, waardoor zowel ondiepe als diepe ionenimplantatietoepassingen mogelijk zijn. Het is geschikt voor een breed scala aan halfgeleider doteringsprocessen en is volledig compatibel met de productievereisten van LSI's.
Kenmerken
Stabiele middelstraalprestaties
Zorgt voor een stabiele uitvoer van de ionenbundel tijdens lange productiecycli, waardoor de procesconsistentie verbetert en de variabiliteit afneemt.
Breed energiebereik
Het energiebereik van 5-250 keV ondersteunt flexibele implantatievereisten voor verschillende apparaatstructuren en procesknooppunten.
Hoognauwkeurige procesbesturing
Biedt zeer nauwkeurige implantatieprestaties met hoeknauwkeurigheid ≤ 0,2°, bundelparallellisme ≤ 0,2°, uniformiteit ≤ 0,5% en herhaalbaarheid ≤ 0,5%.
Hoge doorvoercapaciteit
Ondersteunt ≥ 200 wafers per uur, geschikt voor halfgeleiderproductie van gemiddelde tot hoge volumes.
Patroon Implantaat Functie
Ondersteunt implantatie van meerdere zones en kwadranten op een enkele wafer, waardoor de procesflexibiliteit verbetert en de ontwikkelingskosten dalen.
Compatibiliteit met LSI-processen
Volledig compatibel met LSI halfgeleiderproductieprocessen.
Belangrijkste specificaties
Procesparameters
| Item | Specificatie |
|---|---|
| Wafergrootte | 6-8 inch silicium wafers |
| Energie Bereik | 5-250 keV |
| Geïmplanteerde elementen | B+, P+, As+, Ar+, N+, H+ |
| Dosisbereik | 5E11-1E16 ionen/cm² |
Straalprestaties
| Item | Specificatie |
|---|---|
| Maximale bundelstroom | Ar+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV B+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV P+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV N+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV |
| Stabiliteit van de balk | ≤ 15% / uur (straalonderbreking en lichtbogen ≤ 1 keer per uur) |
| Parallelliteit van de straal | ≤ 0.2° |
Nauwkeurigheid van implantatie
| Item | Specificatie |
|---|---|
| Implantaat hoekbereik | 0°-45° |
| Hoeknauwkeurigheid | ≤ 0.2° |
| Uniformiteit (1σ) | ≤ 0.5% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Herhaalbaarheid (1σ) | ≤ 0,5% |
Systeemprestaties
| Item | Specificatie |
|---|---|
| Doorvoer | ≥ 200 wafers per uur |
| Vacuümniveau | < 5E-7 Torr |
| Lekkage röntgenstraling | ≤ 0,6 μSv/h |
| Scannen | Horizontaal elektrostatisch scannen + verticaal mechanisch scannen |
| Uitrustingsgrootte | 5600 × 3300 × 2600 mm |
Toepassingsvelden
Productie van halfgeleiderapparaten
Gebruikt bij de productie van CMOS logische apparaten, voor precieze implantatie van doteringsmiddelen voor transistorvorming.
Fabricage van geïntegreerde circuits
Toegepast in LSI en geavanceerde IC fabricageprocessen die een zeer nauwkeurige dopingcontrole vereisen.
Ondiepe en diepe verbinding
Ondersteunt implantatieprocessen voor bron/drain-engineering en junctiedieptecontrole.
Dopant-engineering
Gebruikt voor het regelen van elektrische eigenschappen van siliciumwafers door middel van nauwkeurige ionenimplantatie.
Procesontwikkeling en R&D
Geschikt voor de ontwikkeling van halfgeleiderprocessen, proefproductie en experimentele fabricage van apparaten.
Veelgestelde vragen
1. Welke wafermaten ondersteunt de Ai250?
Het systeem ondersteunt 6-inch en 8-inch siliciumwafers en is geschikt voor mainstream productielijnen voor halfgeleiders.
2. Wat is het energiebereik van het systeem?
Het energiebereik is 5 keV tot 250 keV en ondersteunt zowel ondiepe als diepe implantatieprocessen voor de fabricage van halfgeleiderelementen.
3. Welk niveau van procesnauwkeurigheid biedt het systeem?
Het systeem biedt hoeknauwkeurigheid binnen 0,2°, bundelparallelliteit binnen 0,2° en uniformiteit en herhaalbaarheid binnen 0,5%, wat zorgt voor stabiele productieprestaties met een hoog rendement.
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.