Ai200HC.D（ハイビーム）イオン注入装置は、6インチおよび8インチのシリコンウェーハ半導体製造ライン向けに設計されています。高電流イオン注入装置で、集積回路製造における精密ドーピングおよび先端プロセスアプリケーション用に開発されました。.
5keVから180keVのエネルギー範囲をサポートし、安定したビーム性能と高いプロセス再現性を提供する。シリコンベースの半導体製造や、スマートカット技術の統合を含む高度なウェハボンディング関連プロセスに適しています。.
特徴
ハイビーム安定性能
このシステムは、変動が抑制された安定したイオンビーム出力を維持し、連続生産時の安定した注入品質を保証します。.
幅広いプロセス互換性
シリコンベースのプロセスとスマートカット関連アプリケーションに対応し、高度なウェハーエンジニアリング要件をサポートします。.
高精度インプラント制御
正確な移植パフォーマンスを提供する：
- 角度精度 ≤ 0.2
- ビーム平行度≤0.3
- 均一性 ≤ 1%
- 繰り返し精度 ≤ 1%
高いスループット能力
毎時220枚以上のウエハーをサポートし、中量から大量の半導体製造環境に適しています。.
バッチターゲット処理能力
バッチターゲット処理をサポートし、プロセスの柔軟性を向上させ、高度なシリコンウェーハ製造技術との統合を可能にします。.
主な仕様
プロセス・パラメーター
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| ウエハーサイズ | 6-8インチ・シリコン・ウェハー |
| エネルギー範囲 | 5-180 keV |
| インプラント・エレメント | B+, BF2+, P+, As+, N+, H+. |
| 投与量範囲 | 5E11-1E17イオン/cm²。 |
ビーム性能
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| ビーム安定性 | ≤ 毎時10% |
| ビーム平行度 | ≤ 0.3° |
移植の精度
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| インプラント角度範囲 | -11°～11° |
| 角度精度 | ≤ 0.2° |
| 均一性（1σ） | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
| 繰り返し精度（1σ） | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
システム・パフォーマンス
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| スループット | ≥ 毎時220枚 |
| 機材サイズ | 5930 × 3000 × 2630 mm |
申し込み
シリコンベース半導体製造
CMOSおよび先端ロジックデバイス製造に使用され、精密なドーパント注入プロセスをサポート。.
スマートカットプロセスの統合
スマートカット技術の要件に基づくウェハボンディングおよびレイヤートランスファープロセスに適しています。.
アドバンスド・ウェハー・エンジニアリング
シリコンウェーハの改質、構造最適化、デバイス性能向上に応用。.
集積回路製造
安定したプロセス制御と高いスループット能力で、中・大量IC製造をサポートします。.
よくある質問
1.Ai200HC.Dはどのようなウェーハサイズに対応していますか？
このシステムは6インチと8インチのシリコンウェーハをサポートし、主流の半導体製造プロセスに適している。.
2.このシステムのエネルギー範囲は？
エネルギー範囲は5keVから180keVで、シリコンベースの半導体デバイスにおける幅広い注入アプリケーションをサポートする。.
3.このシステムはどのような特別なプロセス機能をサポートしているか
このシステムは、シリコンベースのプロセスとスマートカット技術に対応しており、バッチターゲット処理や高度なウェハーエンジニアリングアプリケーションをサポートします。.
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