Ai80HC（ハイビーム）イオン注入装置は、12インチシリコンウェハー半導体製造ライン用に特別に設計された大電流イオン注入装置です。最新の集積回路製造における高度な精密ドーピングプロセス用に設計されており、安定したビーム性能、高いプロセス再現性、優れた線量制御精度を実現します。.
0.5keVから80keVの広いエネルギー範囲で動作し、浅い接合から中程度の深さの接合工学まで、柔軟な注入条件が可能です。B⁺、⁴⁹BF₂⁺ 、³¹P⁺、⁷⁵As⁺、¹⁴N⁺、¹H⁺を含む複数の注入種に対応しており、幅広いCMOSおよび先端ロジックデバイスの製造プロセスに適しています。.
0°～45°の注入角度範囲と≤0.1°の高い角度精度により、ドーパント分布と接合プロファイルエンジニアリングを正確に制御します。0.3°以下のビーム平行度および1%（1σ）以下の均一性と組み合わせることで、Ai80HC（ハイビーム）は一貫したウェーハ間およびウェーハ内プロセスの安定性を実現します。.
高効率生産環境向けに設計され、プロセスの安定性を厳密に維持しながら、毎時200枚（WPH）以上のスループットを実現し、LSI対応の先端半導体製造ラインに適している。.
システム・アーキテクチャ
Ai80HCは、成熟した信頼性の高いビームライン設計を採用している：
- イオン源
- 抽出システム
- 質量分析計
- 磁気レンズシステム
- 加速管
- 静電走査システム
- 平行ビーム成形レンズ
- プロセスチャンバー（エンドステーション）
- ウェハーカセット/ローダーシステム
設備は整っている：
- 静電チャックステージ
- 長寿命イオンソース技術
- 全自動ウェハーハンドリングシステム
このアーキテクチャは、高いビーム安定性、メンテナンスのダウンタイムの削減、プロセスの再現性の向上を保証する。.
主な技術仕様
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| ウエハーサイズ | 12インチ |
| エネルギー範囲 | 0.5 - 80 keV |
| インプラント・エレメント | BF₂⁺、⁴⁹BF₂⁺、³¹P⁺、⁷⁷As⁺、¹H⁺ |
| インプラントの角度 | 0° - 45° |
| 角度精度 | ≤ 0.1° |
| 投与量範囲 | 5E11～1E17イオン/cm²。 |
| ビーム安定性 | ≤ 10%/時間（60分以内、ビーム遮断およびアーク放電≤1回） |
| ビーム平行度 | ≤ 0.3° |
| スループット（WPH） | ≥ 200枚/時 |
| 均一性（1σ） | ≤ 1% |
| 繰り返し精度（1σ） | ≤ 1% |
| プロセスの互換性 | LSIプロセスに対応 |
主な特徴と利点
1.インテリジェント制御システム
可視化されたインテリジェントなソフトウェアプラットフォームを搭載し、操作の簡素化、迅速な故障診断、生産時の高いシステム安定性を実現。.
2.長寿命イオン源
500時間以上の寿命を持つ高度なイオン源設計を採用し、ダウンタイムとメンテナンスコストを大幅に削減。.
3.ビーム診断機能
2次元ビームプロファイル測定システムを内蔵し、正確なモニタリングが可能：
- ビーム幅
- ビーム高
これにより、注入精度が向上し、プロセスの再現性が高まります。.
4.高い生産効率
Ai80HCは、従来の1.5倍以上のスループット性能を実現し、大量の半導体製造環境に適しています。.
5.高度なパターンインプラント機能
パターン化されたイオン注入をサポートし、線量分布を可能にする：
- 円形領域
- クオドラントベースのウェハーセグメンテーション
これなら可能だ：
- 単一ウェハ上の複数のプロセス条件
- プロセス開発コストの削減
- 研究開発効率の向上
例1枚のウェーハに4つの象限で4つの異なる注入条件を同時に適用できるため、プロセスの最適化が大幅に加速されます。.
申し込み
- CMOSデバイス製造
- 先端ロジックIC製造
- パワー半導体ドーピング
- 研究開発用半導体パイロットライン
- シリコンベース集積回路製造
よくある質問（FAQ）
1.Ai80HC(ハイビーム)システムはどのようなウェーハサイズに対応していますか？
Ai80HC（ハイビーム）イオン注入装置は、12インチシリコンウェーハ製造ライン用に設計されており、先端半導体製造や大量集積回路製造に適しています。.
2.このシステムのエネルギー範囲と処理能力は？
このシステムは0.5keVから80keVのエネルギー範囲で動作し、浅い注入と中程度の深さの注入の両方をサポートする。先端デバイス構造における浅い接合形成やソース/ドレインエンジニアリングを含むLSIプロセスに対応します。.
3.システムはどの程度の精度と安定性を提供するか？
Ai80HC（ハイビーム）は、高いプロセス安定性を保証します：
- 角度精度 ≤ 0.1
- 均一性（1σ）≦1%
- 繰り返し精度（1σ）≦1%
- ビーム平行度≤0.3
これらの仕様により、安定したウェーハ・ツー・ウェーハ性能と高歩留まりの半導体生産が保証される。.
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