Il sistema di impiantazione ionica ad alta temperatura Ai300 (Medium Beam) è progettato per linee di produzione di wafer di silicio da 12 pollici. Si tratta di un implanter ionico a media corrente sviluppato per processi di drogaggio avanzati in applicazioni di semiconduttori a base di silicio e a largo bandgap, comprese le linee di processo SiC.
Il sistema supporta una gamma di energie da 5 keV a 300 keV, consentendo un impianto flessibile dalla formazione di giunzioni poco profonde alle applicazioni di drogaggio profondo. È dotato di uno stadio per wafer riscaldato ad alta temperatura con una temperatura massima di 400°C, che consente una migliore attivazione del drogante e una riduzione del danno reticolare durante l'impianto.
Grazie alle prestazioni stabili del fascio, al controllo di alta precisione e alla compatibilità con i processi di circuiti integrati su larga scala, il sistema Ai300 è adatto agli ambienti avanzati di produzione dei semiconduttori.
Caratteristiche
Capacità di impianto ad alta temperatura
Dotato di uno stadio wafer riscaldato che supporta temperature fino a 400°C, migliorando la qualità dell'impianto e l'efficienza di attivazione del drogante.
Ampia gamma di energia
L'intervallo di energia di 5-300 keV supporta processi di impiantazione sia superficiali che profondi per strutture di dispositivi avanzati.
Controllo del fascio ad alta precisione
Fornisce un impianto di alta precisione con accuratezza angolare ≤ 0,1°, parallelismo del fascio ≤ 0,1°, uniformità ≤ 0,5% e ripetibilità ≤ 0,5%.
Prestazioni ad alto rendimento
Supporta una produttività fino a ≥ 500 wafer all'ora, adatta alla produzione di semiconduttori in grandi volumi.
Capacità di sorgente ionica avanzata
Supporta più elementi impiantati, tra cui C, B, P, N, He e Ar, soddisfacendo i diversi requisiti di processo dei semiconduttori.
Compatibilità del processo LSI
Completamente compatibile con i processi di produzione di circuiti integrati su larga scala e con la fabbricazione di dispositivi avanzati.
Specifiche principali
Parametri di processo
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Dimensione del wafer | 12 pollici |
| Gamma energetica | 5-300 keV |
| Elementi impiantati | C, B, P, N, He, Ar |
| Intervallo di dose | 1E11-1E16 ioni/cm² |
Prestazioni del fascio
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Stabilità della trave | ≤ 10% / ora (≤1 interruzione del fascio o arco elettrico all'ora) |
| Parallelismo del fascio | ≤ 0.1° |
Accuratezza dell'impianto
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Gamma dell'angolo dell'impianto | 0°-45° |
| Precisione dell'angolo | ≤ 0.1° |
| Uniformità (1σ) | ≤ 0,5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| Ripetibilità (1σ) | ≤ 0,5% |
Prestazioni del sistema
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Produttività | ≥ 500 wafer all'ora |
| Temperatura massima dell'impianto | 400°C |
| Dimensioni dell'apparecchiatura | 6400 × 3640 × 3100 mm |
| Livello di vuoto | 5E-7 Torr |
| Perdita di raggi X | ≤ 0,3 μSv/h |
| Modalità di scansione | Scansione elettrostatica orizzontale + scansione meccanica verticale |
Campi di applicazione
Lavorazione dei semiconduttori SiC
Utilizzato nella fabbricazione di dispositivi in carburo di silicio, a supporto dei processi di impiantazione ad alta temperatura richiesti per i materiali ad ampio bandgap.
Produzione di semiconduttori a base di silicio
Applicabile alle linee di produzione di wafer di silicio da 12 pollici per la fabbricazione di circuiti integrati CMOS e avanzati.
Processi di impianto ad alta temperatura
Supporta i processi di impiantazione che richiedono una temperatura elevata del wafer per ridurre i difetti e migliorare l'attivazione del drogante.
Fabbricazione di dispositivi di potenza
Adatto per i dispositivi a semiconduttore di potenza che richiedono un drogaggio preciso e un impianto ad alta energia.
Produzione avanzata di circuiti integrati
Supporta l'integrazione di processi LSI con requisiti di alta precisione e alta produttività.
Domande frequenti
1. Quali dimensioni di wafer supporta il sistema Ai300?
Il sistema è progettato per wafer di silicio da 12 pollici ed è adatto a linee di produzione di semiconduttori avanzate.
2. Qual è il vantaggio principale della capacità di impianto ad alta temperatura?
Il sistema supporta l'impiantazione fino a 400°C, il che contribuisce a ridurre i danni al reticolo, a migliorare l'attivazione del drogante e a migliorare le prestazioni complessive del dispositivo.
3. Quale livello di precisione e di efficienza produttiva offre il sistema?
Il sistema offre una precisione angolare di 0,1 gradi, un parallelismo del fascio di 0,1 gradi e un'uniformità e ripetibilità dello 0,5%, con una produttività fino a 500 wafer all'ora.
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