Wafer Thinning System precíziós hátracsiszoló berendezés Si SiC és 4-12 hüvelykes félvezető ostyákhoz

A Wafer Thinning System precíziós hátracsiszoló berendezés egy nagy pontosságú waferfeldolgozási megoldás, amelyet a fejlett félvezetőgyártáshoz terveztek. Támogatja a 4 hüvelyk és 12 hüvelyk közötti ostyákat, beleértve a szilíciumot (Si), szilícium-karbidot (SiC), gallium-arzenidet (GaAs), zafírt és más törékeny összetett félvezető anyagokat.Ez a rendszer ultraprecíz ostya hátlapi vékonyításra lett tervezve, lehetővé téve a vastagság csökkentését mikronos és szubmikronos szintre, a kiváló felületi integritás megőrzése mellett.

Wafer Thinning System precíziós hátracsiszoló berendezés Si SiC és 4-12 hüvelykes félvezető ostyákhozA Wafer Thinning System precíziós hátracsiszoló berendezés egy nagy pontosságú waferfeldolgozási megoldás, amelyet a fejlett félvezetőgyártáshoz terveztek. Támogatja a 4 hüvelyk és 12 hüvelyk közötti ostyákat, beleértve a szilíciumot (Si), a szilícium-karbidot (SiC), a gallium-arzenidet (GaAs), a zafírt és más törékeny összetett félvezető anyagokat.

Ezt a rendszert ultrapontos ostyahátoldal-vékonyításhoz tervezték, amely lehetővé teszi a vastagság mikronos és szubmikronos szintre történő csökkentését, miközben kiváló felületi integritást biztosít. Kritikus szerepet játszik a fejlett csomagolás, a tápegységek, a MEMS és az összetett félvezetők gyártásában.

A nagy merevségű mechanikai kialakítás, a precíziós Z-tengely vezérlés és a valós idejű vastagságfigyelés integrálásával a berendezés stabil és megismételhető feldolgozási teljesítményt biztosít az ipari méretű gyártáshoz.


Főbb műszaki jellemzők

Nagy pontosságú vastagságszabályozás

  • Vastagság pontosság: ±1 μm
  • Teljes vastagság-változás (TTV): ≤2 μm
  • A fejlett modellek akár ±0,5 μm-es szubmikronos szabályozást is elérnek.

Széleskörű anyagkompatibilitás

Félvezető és rideg anyagok széles skáláját támogatja:

  • Szilícium (Si)
  • Szilícium-karbid (SiC)
  • Gallium-arzenid (GaAs)
  • Zafír (Al₂O₃)
  • Egyéb összetett félvezető lapkák

Wafer méret kompatibilitás

  • 4 hüvelykes / 6 hüvelykes / 8 hüvelykes / 10 hüvelykes / 12 hüvelykes ostyák
  • Rugalmas kezelés mind a szabványos, mind az egyedi szubsztrátumokhoz

Nagy stabilitású mechanikus rendszer

  • Nagy merevségű légcsapágyas orsó
  • Alacsony rezgésszámú precíziós köszörűplatform
  • Importált golyóscsavar + lineáris vezető rendszer
  • Nagy pontosságú szervomotor-vezérlés (0,1 μm felbontás)

Fejlett hűtőrendszer

  • Vízhűtéses orsórendszer biztosítja a hőstabilitást
  • Megakadályozza a deformációt a nagy sebességű csiszolás során

Rendszerkonfiguráció

Az ostyavékonyító rendszer több funkcionális modult integrál:

1. Precíziós köszörülés modul

Ellenőrzött anyageltávolítást végez nagy felületi egyenletességgel.

2. Z-tengely precíziós vezérlőrendszer

Lehetővé teszi az ultrafinom függőleges beállítást az egyenletes ostyavastagság érdekében.

3. Vastagságmérő rendszer

A valós idejű érintéses/nem érintéses mérés biztosítja a folyamat stabilitását.

4. Vákuumos ostyafogókészülék

Biztonságos ostyarögzítés, beleértve a szabálytalan ostyák egyedi megoldásait is.

5. Automatizálási vezérlőrendszer

  • Teljes / félautomata üzemmódok
  • Műveleti napló rögzítése
  • Recept alapú folyamatirányítás

Feldolgozási képességek

A rendszert nagy teljesítményű ostyahátoldal-feldolgozásra tervezték:

  • Szilícium ostya hátracsiszolás
  • SiC ostyavékonyítás a tápegységek számára
  • GaN és GaAs szubsztrát elvékonyodása
  • Zafír ostya precíziós vékonyítása
  • Ultravékony ostyák előkészítése 3D csomagoláshoz

Alkalmazások

1. Teljesítmény félvezető eszközök

SiC MOSFET-ekben, IGBT-kben és ultra-vékony ostyákat igénylő nagyfeszültségű eszközökben használatos.

2. Fejlett csomagolás

Támogatja az ostyavékonyítást a következőkhöz:

  • Flip-chip csomagolás
  • 2.5D / 3D IC integráció
  • TSV (Through Silicon Via) eljárások

3. Összetett félvezetők

Alkalmazható GaN, GaAs és InP eszközök gyártásához.

4. LED és optoelektronika

Zafír és összetett ostyák vékonyítása LED chipekhez és optikai eszközökhöz.


Előnyök

  • Kiforrott és stabil ostyavékonyítási technológia
  • Nagy pontosságú előtolásos csiszolórendszer
  • Kiváló felületi érdesség-szabályozás
  • Nagy UPH (akár 30 ostya/óra a standard folyamatoknál)
  • Erős alkalmazkodóképesség a rideg és kemény anyagokhoz
  • Teljesen automatizált folyamatintegrációs képesség

A teljesítmény kiemelkedő pontjai

  • Minimális felbontás: Z-tengely vezérlés: 0,1 μm/s
  • Egyenletes vastagság: ≤1-2 μm TTV
  • Nagy sebességű orsó rendkívül alacsony rezgéssel
  • Valós idejű folyamatfelügyelet és naplózás
  • K+F és tömeggyártási környezetekkel egyaránt kompatibilis

Testreszabási lehetőségek

Rugalmas testreszabást biztosítunk a különböző ipari igényekhez:

  • Egyedi ostyafogók (szabálytalan formák)
  • Bővített vastagságmérési tartomány (akár 40 mm-ig)
  • Folyamatrecept testreszabása
  • Automatizálási integráció az upstream/downstream berendezésekkel

GYIK

1. kérdés: Ez a rendszer képes feldolgozni a SiC ostyákat?

Igen, kifejezetten SiC ostyák vékonyítására és hátoldali csiszolásra optimalizálták, és alkalmas a teljesítmény-eszközök alkalmazásaihoz.

2. kérdés: Mekkora az elérhető vastagsági pontosság?

A standard modellek ±1 μm, a csúcskategóriás konfigurációk pedig ±0,5 μm-t érnek el ≤1 μm TTV-vel.

3. kérdés: Támogatja a teljes automatizálást?

Igen, a gyártási követelményektől függően mind a teljes automata, mind a félautomata üzemmód elérhető.

Értékelések

Még nincsenek értékelések.

„Wafer Thinning System Precision Back Grinding Equipment for Si SiC and 4 to 12 Inch Semiconductor Wafers” értékelése elsőként

Az e-mail címet nem tesszük közzé. A kötelező mezőket * karakterrel jelöltük