L'équipement de meulage arrière de précision Wafer Thinning System est une solution de traitement des plaquettes de haute précision conçue pour la fabrication avancée de semi-conducteurs. Il prend en charge les plaquettes de 4 à 12 pouces, y compris le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), l'arséniure de gallium (GaAs), le saphir et d'autres matériaux semi-conducteurs composés fragiles.
Ce système est conçu pour l'amincissement ultra-précis de la face arrière des plaquettes, ce qui permet de réduire l'épaisseur à des niveaux de l'ordre du micron et du sous-micron tout en conservant une excellente intégrité de la surface. Il joue un rôle essentiel dans l'emballage avancé, les dispositifs de puissance, les MEMS et la fabrication de semi-conducteurs composés.
En intégrant une conception mécanique à haute rigidité, un contrôle précis de l'axe Z et une surveillance de l'épaisseur en temps réel, l'équipement garantit des performances de traitement stables et reproductibles pour la production à l'échelle industrielle.
Principales caractéristiques techniques
Contrôle d'épaisseur de haute précision
- Précision de l'épaisseur : ±1 μm
- Variation totale de l'épaisseur (TTV) : ≤2 μm
- Les modèles avancés permettent un contrôle submicronique jusqu'à ±0,5 μm.
Large compatibilité avec les matériaux
Prend en charge une large gamme de matériaux semi-conducteurs et fragiles :
- Silicium (Si)
- Carbure de silicium (SiC)
- Arséniure de gallium (GaAs)
- Saphir (Al₂O₃)
- Autres plaquettes semi-conductrices composées
Compatibilité avec la taille des plaquettes
- Gaufrettes de 4 pouces / 6 pouces / 8 pouces / 10 pouces / 12 pouces
- Manipulation souple des substrats standard et personnalisés
Système mécanique à haute stabilité
- Broche à coussin d'air à haute rigidité
- Plate-forme de meulage de précision à faibles vibrations
- Vis à billes importée + système de guidage linéaire
- Commande de servomoteur de haute précision (résolution de 0,1 μm).
Système de refroidissement avancé
- Le système de broche refroidi à l'eau assure la stabilité thermique
- Prévient la déformation lors du broyage à grande vitesse
Configuration du système
Le système d'amincissement des gaufres intègre plusieurs modules fonctionnels :
1. Module de rectification de précision
Effectue un enlèvement de matière contrôlé avec une grande uniformité de surface.
2. Système de contrôle de précision de l'axe Z
Permet un réglage vertical ultrafin pour une épaisseur de gaufre constante.
3. Système de mesure de l'épaisseur
Les mesures en temps réel avec ou sans contact garantissent la stabilité du processus.
4. Mandrin à vide pour plaquettes
Fixation sûre des gaufres, y compris des solutions personnalisées pour les gaufres irrégulières.
5. Système de contrôle de l'automatisation
- Modes de fonctionnement automatique / semi-automatique
- Enregistrement du journal des opérations
- Contrôle de processus basé sur des recettes
Capacités de traitement
Le système est conçu pour le traitement à haute performance de la face arrière des plaquettes de silicium :
- Broyage arrière de plaquettes de silicium
- Amincissement des plaquettes de SiC pour les dispositifs de puissance
- amincissement des substrats GaN et GaAs
- Amincissement de précision des plaquettes de saphir
- Préparation de plaquettes ultra-minces pour l'emballage 3D
Applications
1. Dispositifs à semi-conducteurs de puissance
Utilisé dans les MOSFET SiC, les IGBT et les dispositifs à haute tension nécessitant des plaquettes ultra-minces.
2. Emballage avancé
Prise en charge de l'amincissement des plaquettes pour :
- Emballage des puces
- Intégration de circuits intégrés 2,5D / 3D
- Procédés TSV (Through Silicon Via)
3. Semi-conducteurs composés
Applicable à la fabrication de dispositifs GaN, GaAs et InP.
4. LED et optoélectronique
Amincissement de plaquettes de saphir et de composés pour les puces LED et les dispositifs optiques.
Avantages
- Technologie mature et stable d'amincissement des gaufres
- Système de meulage de haute précision à l'entrée
- Excellent contrôle de la rugosité de la surface
- UPH élevé (jusqu'à 30 plaquettes/heure pour les processus standard)
- Forte adaptabilité aux matériaux cassants et durs
- Capacité d'intégration de processus entièrement automatisés
Points forts de la performance
- Résolution minimale : 0,1 μm/s Contrôle de l'axe Z
- Homogénéité de l'épaisseur : ≤1-2 μm TTV
- Broche à grande vitesse avec très peu de vibrations
- Surveillance et enregistrement des processus en temps réel
- Compatible avec les environnements de R&D et de production de masse
Options de personnalisation
Nous proposons une personnalisation flexible pour répondre aux différents besoins industriels :
- Mandrins de plaquettes sur mesure (formes irrégulières)
- Plage de mesure de l'épaisseur étendue (jusqu'à 40 mm)
- Personnalisation de la recette du processus
- Intégration de l'automatisation avec les équipements en amont et en aval
FAQ
Q1 : Ce système peut-il traiter des plaquettes de SiC ?
Oui, il est spécifiquement optimisé pour l'amincissement des plaquettes de SiC et le meulage de la face arrière, adapté aux applications des dispositifs de puissance.
Q2 : Quelle est la précision d'épaisseur réalisable ?
Les modèles standard atteignent ±1 μm, et les configurations haut de gamme peuvent atteindre ±0,5 μm avec un TTV ≤1 μm.
Q3 : Permet-il une automatisation complète ?
Oui, les modes automatique et semi-automatique sont disponibles en fonction des exigences de production.
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