Le système d'implantation ionique à haute température Ai350HT (Medium Beam) est conçu pour les lignes de fabrication de semi-conducteurs à partir de tranches de silicium de 6 et 8 pouces, ainsi que pour les applications de traitement SiC. Il s'agit d'un implanteur ionique à courant moyen développé pour les processus de dopage à haute énergie et à haute température dans la fabrication avancée de semi-conducteurs.
Le système prend en charge une gamme d'énergie allant de 5 keV à 350 keV, ce qui permet des processus d'implantation à la fois superficiels et profonds. Il est équipé d'un mandrin électrostatique à haute température capable de fonctionner jusqu'à 500°C, ce qui permet d'améliorer l'activation du dopant et de réduire les dommages au réseau pendant l'implantation. Associé à des performances de faisceau stables et à un contrôle de haute précision, le système convient à la fabrication de semi-conducteurs à base de silicium et de semi-conducteurs à large bande interdite.
Caractéristiques
Capacité d'implantation à haute température
Équipé d'un mandrin électrostatique à haute température supportant jusqu'à 500°C, il permet d'améliorer l'efficacité de l'implantation et l'activation du dopant pour les processus avancés.
Large gamme d'énergie
La gamme d'énergie de 5 à 350 keV permet de répondre à des besoins d'implantation flexibles, allant de la formation de jonctions peu profondes à des processus d'implantation profonde.
Contrôle de faisceau de haute précision
Fournit des performances d'implantation précises avec une précision angulaire ≤ 0,2°, un parallélisme de faisceau ≤ 0,2°, une uniformité ≤ 0,5% et une répétabilité ≤ 0,5%.
Performance stable du faisceau
La stabilité du faisceau est contrôlée dans la limite de 10% par heure, ce qui garantit une qualité constante du processus pendant les longs cycles de production.
Source d'ions à longue durée de vie
Équipé d'une source d'ions métal Al d'une durée de vie de ≥150 heures, réduisant la fréquence de maintenance et améliorant le temps de fonctionnement.
Capacité de production élevée
Permet un débit de ≥ 200 plaquettes par heure, adapté aux environnements de production de semi-conducteurs.
Compatibilité avec les processus avancés
Compatible avec les procédés SiC et la fabrication conventionnelle de semi-conducteurs à base de silicium.
Principales spécifications
Paramètres du processus
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Taille de la plaquette | 6-8 pouces |
| Gamme d'énergie | 5-350 keV |
| Éléments implantés | C, Al, B, P, N, He, Ar |
| Gamme de doses | 1E11-1E17 ions/cm² |
Performance des faisceaux
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Stabilité de la poutre | ≤ 10% / heure (≤1 interruption de faisceau ou arc par heure) |
| Parallélisme des poutres | ≤ 0.2° |
Précision de l'implantation
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Gamme d'angles de l'implant | 0°-45° |
| Précision de l'angle | ≤ 0.2° |
| Uniformité (1σ) | ≤ 0,5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| Répétabilité (1σ) | ≤ 0,5% |
Performance du système
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Débit | ≥ 200 gaufres par heure |
| Température maximale du mandrin | 500°C |
| Taille de l'équipement | 6270 × 3500 × 3000 mm |
| Niveau de vide | 5E-7 Torr |
| Fuite de rayons X | ≤ 0,3 μSv/h |
| Mode de numérisation | Balayage électrostatique horizontal + balayage mécanique vertical |
Champs d'application
Fabrication de semi-conducteurs SiC
Utilisé dans la fabrication de dispositifs en carbure de silicium nécessitant des procédés d'implantation ionique à haute température.
Traitement des semi-conducteurs à base de silicium
Applicable à la fabrication de CMOS et de circuits intégrés sur des plaquettes de 6 et 8 pouces.
Procédés d'implantation à haute température
Convient aux procédés nécessitant une température élevée pour réduire les dommages aux cristaux et améliorer l'activation du dopant.
Fabrication de dispositifs de puissance
Utilisé dans les dispositifs semi-conducteurs de puissance nécessitant une implantation profonde et des processus à haute énergie.
Ingénierie des matériaux avancés
Soutien à l'implantation ionique dans les environnements de développement de matériaux et de procédés semi-conducteurs avancés.
Questions fréquemment posées
1. Quelles sont les tailles de plaquettes prises en charge par l'Ai350HT ?
Le système prend en charge les plaquettes de 6 et 8 pouces et convient aux lignes de fabrication de semi-conducteurs à base de silicium et de SiC.
2. Quelle est la température maximale supportée pendant l'implantation ?
Le système permet une implantation à haute température, jusqu'à 500°C, en utilisant un mandrin électrostatique chauffé avec serrage mécanique.
3. Quels sont les principaux avantages de ce système pour les procédés SiC ?
Le système combine une capacité à haute température, une performance de faisceau stable et une compatibilité avec les processus SiC, ce qui le rend adapté aux applications de semi-conducteurs à large bande passante.
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