Le système d'implantation ionique à haute température Ai300 (Medium Beam) est conçu pour les lignes de fabrication de semi-conducteurs à partir de plaquettes de silicium de 12 pouces. Il s'agit d'un implanteur ionique à courant moyen développé pour les processus de dopage avancés dans les applications de semi-conducteurs à base de silicium et à large bande interdite, y compris les lignes de traitement SiC.
Le système prend en charge une gamme d'énergie allant de 5 keV à 300 keV, ce qui permet une implantation flexible allant de la formation de jonctions peu profondes à des applications de dopage profond. Il est équipé d'une platine pour plaquettes chauffée à haute température, avec une température maximale de 400°C, ce qui permet d'améliorer l'activation du dopant et de réduire les dommages au réseau pendant l'implantation.
Avec une performance stable du faisceau, un contrôle de haute précision et une compatibilité avec les processus de circuits intégrés à grande échelle, le système Ai300 est adapté aux environnements de fabrication de semi-conducteurs avancés.
Caractéristiques
Capacité d'implantation à haute température
Équipé d'un plateau chauffant pour les plaquettes de silicium, supportant des températures allant jusqu'à 400°C, améliorant la qualité de l'implantation et l'efficacité de l'activation du dopant.
Large gamme d'énergie
La gamme d'énergie de 5 à 300 keV permet des processus d'implantation à la fois superficiels et profonds pour les structures de dispositifs avancés.
Contrôle de faisceau de haute précision
Permet une implantation de haute précision avec une précision angulaire ≤ 0,1°, un parallélisme de faisceau ≤ 0,1°, une uniformité ≤ 0,5% et une répétabilité ≤ 0,5%.
Performance à haut débit
Le débit peut atteindre ≥ 500 plaquettes par heure, ce qui convient à la fabrication de semi-conducteurs en grande quantité.
Capacité de source d'ions avancée
Prend en charge de multiples éléments implantés, notamment C, B, P, N, He et Ar, répondant ainsi à diverses exigences en matière de processus de semi-conducteurs.
Compatibilité des processus LSI
Entièrement compatible avec les processus de fabrication de circuits intégrés à grande échelle et la fabrication de dispositifs avancés.
Principales spécifications
Paramètres du processus
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Taille de la plaquette | 12 pouces |
| Gamme d'énergie | 5-300 keV |
| Éléments implantés | C, B, P, N, He, Ar |
| Gamme de doses | 1E11-1E16 ions/cm² |
Performance des faisceaux
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Stabilité de la poutre | ≤ 10% / heure (≤1 interruption de faisceau ou arc par heure) |
| Parallélisme des poutres | ≤ 0.1° |
Précision de l'implantation
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Gamme d'angles de l'implant | 0°-45° |
| Précision de l'angle | ≤ 0.1° |
| Uniformité (1σ) | ≤ 0,5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| Répétabilité (1σ) | ≤ 0,5% |
Performance du système
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Débit | ≥ 500 gaufres par heure |
| Température maximale de l'implant | 400°C |
| Taille de l'équipement | 6400 × 3640 × 3100 mm |
| Niveau de vide | 5E-7 Torr |
| Fuite de rayons X | ≤ 0,3 μSv/h |
| Mode de numérisation | Balayage électrostatique horizontal + balayage mécanique vertical |
Champs d'application
Traitement des semi-conducteurs SiC
Utilisé dans la fabrication de dispositifs en carbure de silicium, pour soutenir les processus d'implantation à haute température nécessaires pour les matériaux à large bande interdite.
Fabrication de semi-conducteurs à base de silicium
Applicable aux lignes de production de plaquettes de silicium de 12 pouces pour la fabrication de circuits intégrés CMOS et avancés.
Procédés d'implantation à haute température
Il prend en charge les processus d'implantation nécessitant une température élevée de la plaquette afin de réduire les défauts et d'améliorer l'activation du dopant.
Fabrication de dispositifs de puissance
Convient aux dispositifs semi-conducteurs de puissance nécessitant un dopage précis et une implantation à haute énergie.
Production de circuits intégrés avancés
Permet l'intégration des processus LSI avec des exigences de haute précision et de haut débit.
Questions fréquemment posées
1. Quelle taille de plaquette le système Ai300 prend-il en charge ?
Le système est conçu pour les plaquettes de silicium de 12 pouces et convient aux lignes de fabrication de semi-conducteurs de pointe.
2. Quel est le principal avantage de la capacité d'implantation à haute température ?
Le système permet une implantation jusqu'à 400°C, ce qui permet de réduire les dommages au réseau, d'améliorer l'activation des dopants et d'accroître les performances globales du dispositif.
3. Quel est le niveau de précision et d'efficacité de la production offert par le système ?
Le système offre une précision angulaire de 0,1 degré, un parallélisme de faisceau de 0,1 degré, une uniformité et une répétabilité de 0,5 %, avec un débit pouvant atteindre 500 plaquettes par heure.
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