Le système d'implantation ionique Ai250 (Medium Beam) est conçu pour les lignes de fabrication de semi-conducteurs à partir de tranches de silicium de 6 et 8 pouces. Il s'agit d'un implanteur ionique à courant moyen utilisé dans les processus de fabrication de circuits intégrés avancés, offrant des performances de faisceau stables, une grande précision d'implantation et un contrôle fiable de la dose.
Le système prend en charge une gamme d'énergie allant de 5 keV à 250 keV, ce qui permet des applications d'implantation ionique à la fois superficielles et profondes. Il convient à une large gamme de procédés de dopage des semi-conducteurs et est entièrement compatible avec les exigences de fabrication des LSI.
Caractéristiques
Performance stable des faisceaux moyens
Assure la stabilité du faisceau d'ions pendant les longs cycles de production, améliorant ainsi la cohérence du processus et réduisant la variabilité.
Capacité d'une large gamme d'énergie
La gamme d'énergie de 5 à 250 keV répond aux exigences d'implantation flexibles pour différentes structures de dispositifs et nœuds de processus.
Contrôle de processus de haute précision
Fournit des performances d'implantation de haute précision avec une précision angulaire ≤ 0,2°, un parallélisme de faisceau ≤ 0,2°, une uniformité ≤ 0,5% et une répétabilité ≤ 0,5%.
Capacité de production élevée
Prend en charge ≥ 200 plaquettes par heure, ce qui convient à la production de semi-conducteurs en volume moyen à élevé.
Fonction de l'implant
Elle permet l'implantation multizone et quadrant sur une seule plaquette, ce qui améliore la flexibilité du processus et réduit les coûts de développement.
Compatibilité des processus LSI
Entièrement compatible avec les processus de fabrication de semi-conducteurs LSI.
Principales spécifications
Paramètres du processus
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Taille de la plaquette | Gaufrettes de silicium de 6 à 8 pouces |
| Gamme d'énergie | 5-250 keV |
| Éléments implantés | B+, P+, As+, Ar+, N+, H+ |
| Gamme de doses | 5E11-1E16 ions/cm² |
Performance des faisceaux
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Courant maximal du faisceau | Ar+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV B+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV P+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV N+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV |
| Stabilité de la poutre | ≤ 15% / heure (interruption du faisceau et arc ≤ 1 fois par heure) |
| Parallélisme des poutres | ≤ 0.2° |
Précision de l'implantation
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Gamme d'angles de l'implant | 0°-45° |
| Précision de l'angle | ≤ 0.2° |
| Uniformité (1σ) | ≤ 0,5% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Répétabilité (1σ) | ≤ 0,5% |
Performance du système
| Objet | Spécifications |
|---|---|
| Débit | ≥ 200 gaufres par heure |
| Niveau de vide | < 5E-7 Torr |
| Fuite de rayons X | ≤ 0,6 μSv/h |
| Mode de numérisation | Balayage électrostatique horizontal + balayage mécanique vertical |
| Taille de l'équipement | 5600 × 3300 × 2600 mm |
Champs d'application
Fabrication de dispositifs semi-conducteurs
Utilisé dans la production de dispositifs logiques CMOS, il permet l'implantation précise de dopants pour la formation de transistors.
Fabrication de circuits intégrés
Utilisé dans les processus de fabrication des circuits intégrés de grande dimension et des circuits intégrés avancés nécessitant un contrôle du dopage de haute précision.
Formation de jonction superficielle et profonde
Soutient les processus d'implantation pour l'ingénierie source/drain et le contrôle de la profondeur des jonctions.
Ingénierie des dopants
Utilisé pour contrôler les propriétés électriques des plaquettes de silicium grâce à une implantation ionique précise.
Développement de procédés et R&D
Convient au développement de processus de semi-conducteurs, à la production pilote et à la fabrication de dispositifs expérimentaux.
Questions fréquemment posées
1. Quelles sont les tailles de plaquettes prises en charge par l'Ai250 ?
Le système prend en charge les plaquettes de silicium de 6 et 8 pouces et convient aux lignes de fabrication de semi-conducteurs courantes.
2. Quelle est la gamme d'énergie du système ?
La gamme d'énergie s'étend de 5 keV à 250 keV, ce qui permet d'utiliser des procédés d'implantation superficielle et profonde pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.
3. Quel est le niveau de précision du processus fourni par le système ?
Le système offre une précision angulaire de 0,2°, un parallélisme du faisceau de 0,2°, une uniformité et une répétabilité de 0,5%, ce qui garantit une production stable et à haut rendement.
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