Das Ionenimplantationssystem Ai200HC.D (High Beam) ist für Halbleiterproduktionslinien für 6- und 8-Zoll-Siliziumwafer konzipiert. Es handelt sich um einen Hochstrom-Ionenimplantator, der für Präzisionsdotierung und fortschrittliche Prozessanwendungen in der Herstellung integrierter Schaltkreise entwickelt wurde.
Das System unterstützt einen Energiebereich von 5 keV bis 180 keV und bietet eine stabile Strahlleistung und hohe Prozesswiederholbarkeit. Es eignet sich für die Halbleiterfertigung auf Siliziumbasis und fortschrittliche Prozesse im Zusammenhang mit dem Wafer-Bonding, einschließlich der Integration der Smart-Cut-Technologie.
Eigenschaften
Fernlichtstabilität Leistung
Das System sorgt für eine stabile Ionenstrahlleistung mit kontrollierten Schwankungen und gewährleistet so eine gleichbleibende Implantationsqualität bei kontinuierlicher Produktion.
Breite Prozesskompatibilität
Kompatibel mit siliziumbasierten Prozessen und Smart-Cut-bezogenen Anwendungen, die fortschrittliche Anforderungen an die Waferentwicklung unterstützen.
Hochpräzise Implantatkontrolle
Bietet eine genaue Implantationsleistung mit:
- Winkelgenauigkeit ≤ 0,2°
- Strahlparallelität ≤ 0,3°
- Gleichmäßigkeit ≤ 1%
- Reproduzierbarkeit ≤ 1%
Hohe Durchsatzleistung
Unterstützt ≥ 220 Wafer pro Stunde, geeignet für mittlere bis hohe Stückzahlen in der Halbleiterproduktion.
Batch-Zielverarbeitungsfunktion
Unterstützt die Stapelverarbeitung von Targets, verbessert die Prozessflexibilität und ermöglicht die Integration mit fortschrittlichen Technologien zur Herstellung von Siliziumwafern.
Wichtige Spezifikationen
Prozess-Parameter
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Wafer Größe | 6-8-Zoll-Silizium-Wafer |
| Energiebereich | 5-180 keV |
| Implantierte Elemente | B+, BF2+, P+, As+, N+, H+ |
| Dosisbereich | 5E11-1E17 Ionen/cm² |
Strahlenleistung
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Balkenstabilität | ≤ 10% pro Stunde |
| Parallelität der Strahlen | ≤ 0.3° |
Implantationsgenauigkeit
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Implantat-Winkelbereich | -11° bis 11° |
| Winkel-Genauigkeit | ≤ 0.2° |
| Gleichmäßigkeit (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Reproduzierbarkeit (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
Systemleistung
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Durchsatz | ≥ 220 Wafer pro Stunde |
| Ausrüstung Größe | 5930 × 3000 × 2630 mm |
Anmeldung
Halbleiterherstellung auf Siliziumbasis
Wird bei der Herstellung von CMOS- und fortschrittlichen Logikbauteilen verwendet und unterstützt präzise Dotierstoffimplantationsprozesse.
Smart Cut Prozessintegration
Geeignet für Wafer-Bonding und Schichtübertragungsprozesse, die auf den Anforderungen der Smart-Cut-Technologie basieren.
Fortgeschrittene Wafer-Technik
Angewandt bei der Modifizierung von Siliziumwafern, der strukturellen Optimierung und der Verbesserung der Geräteleistung.
Produktion integrierter Schaltkreise
Unterstützt die IC-Fertigung mittlerer bis hoher Stückzahlen mit stabiler Prozesssteuerung und hoher Durchsatzleistung.
Häufig gestellte Fragen
1. Welche Wafergrößen unterstützt der Ai200HC.D
Das System unterstützt 6- und 8-Zoll-Siliziumwafer und eignet sich für gängige Halbleiterfertigungsprozesse.
2. Was ist der Energiebereich dieses Systems?
Der Energiebereich reicht von 5 keV bis 180 keV und unterstützt eine breite Palette von Implantationsanwendungen in siliziumbasierten Halbleiterbauelementen.
3. Welche besonderen Prozessfähigkeiten unterstützt dieses System?
Das System ist mit siliziumbasierten Prozessen und der Smart-Cut-Technologie kompatibel und unterstützt Batch-Target-Processing und fortschrittliche Wafer-Engineering-Anwendungen.
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