Hệ thống cấy ion nhiệt độ cao Ai300 (chùm tia trung bình) được thiết kế dành cho các dây chuyền sản xuất bán dẫn sử dụng tấm silicon 12 inch. Đây là thiết bị cấy ion dòng điện trung bình được phát triển để phục vụ các quy trình pha tạp tiên tiến trong các ứng dụng bán dẫn dựa trên silicon và bán dẫn khe năng lượng rộng, bao gồm cả các dây chuyền sản xuất SiC.
Hệ thống hỗ trợ dải năng lượng từ 5 keV đến 300 keV, cho phép thực hiện quá trình cấy ion linh hoạt, từ việc tạo lớp tiếp giáp nông đến các ứng dụng pha tạp sâu. Hệ thống được trang bị bàn đế wafer có hệ thống sưởi nhiệt độ cao với nhiệt độ tối đa lên đến 400°C, giúp tăng cường quá trình kích hoạt chất pha tạp và giảm thiểu tổn thương mạng tinh thể trong quá trình cấy ion.
Với hiệu suất chùm tia ổn định, khả năng điều khiển chính xác cao và khả năng tương thích với các quy trình sản xuất mạch tích hợp quy mô lớn, hệ thống Ai300 phù hợp với các môi trường sản xuất bán dẫn tiên tiến.
Tính năng
Khả năng cấy ghép ở nhiệt độ cao
Được trang bị bàn đế wafer có hệ thống sưởi ấm, hỗ trợ nhiệt độ lên đến 400°C, giúp nâng cao chất lượng quá trình cấy ion và hiệu quả kích hoạt chất pha tạp.
Dải công suất rộng
Dải năng lượng từ 5–300 keV hỗ trợ cả các quy trình cấy ghép nông và sâu cho các cấu trúc thiết bị tiên tiến.
Kiểm soát chùm tia với độ chính xác cao
Đảm bảo độ chính xác cao trong quá trình cấy ghép với độ chính xác góc ≤ 0,1°, độ song song của chùm tia ≤ 0,1°, độ đồng đều ≤ 0,5% và độ lặp lại ≤ 0,5%.
Hiệu suất xử lý khối lượng lớn
Hỗ trợ công suất xử lý lên đến ≥ 500 tấm wafer mỗi giờ, phù hợp cho sản xuất bán dẫn quy mô lớn.
Khả năng nguồn ion tiên tiến
Hỗ trợ nhiều nguyên tố được cấy ghép, bao gồm C, B, P, N, He và Ar, đáp ứng các yêu cầu đa dạng của quy trình sản xuất chất bán dẫn.
Khả năng tương thích quy trình LSI
Hoàn toàn tương thích với các quy trình sản xuất mạch tích hợp quy mô lớn và công nghệ chế tạo thiết bị tiên tiến.
Thông số kỹ thuật chính
Thông số quy trình
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Kích thước tấm wafer | 12 inch |
| Phạm vi năng lượng | 5–300 keV |
| Các thành phần được cấy ghép | C, B, P, N, He, Ar |
| Phạm vi liều lượng | 1E11–1E16 ion/cm² |
Hiệu suất chùm tia
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Độ ổn định của dầm | ≤ 10% / giờ (≤ 1 lần gián đoạn chùm tia hoặc hiện tượng hồ quang mỗi giờ) |
| Độ song song của chùm tia | ≤ 0,1° |
Độ chính xác khi cấy ghép
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Phạm vi góc cấy ghép | 0°–45° |
| Độ chính xác góc | ≤ 0,1° |
| Độ đồng nhất (1σ) | ≤ 0,51 TP3T (P+, 1E14, 100 keV) |
| Độ lặp lại (1σ) | ≤ 0,5% |
Hiệu suất hệ thống
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Công suất | ≥ 500 tấm wafer mỗi giờ |
| Nhiệt độ tối đa của implant | 400°C |
| Kích thước thiết bị | 6400 × 3640 × 3100 mm |
| Mức chân không | 5E-7 Torr |
| Rò rỉ tia X | ≤ 0,3 μSv/h |
| Chế độ quét | Quét tĩnh điện ngang + quét cơ học dọc |
Lĩnh vực ứng dụng
Chế tạo chất bán dẫn SiC
Được sử dụng trong sản xuất các thiết bị cacbua silic, hỗ trợ các quy trình cấy ion ở nhiệt độ cao cần thiết cho các vật liệu có khoảng cách dải năng lượng rộng.
Sản xuất chất bán dẫn trên nền silicon
Áp dụng cho các dây chuyền sản xuất tấm silicon 12 inch dùng trong sản xuất CMOS và mạch tích hợp tiên tiến.
Các quy trình cấy ghép ở nhiệt độ cao
Hỗ trợ các quy trình cấy ghép đòi hỏi nhiệt độ tấm wafer cao nhằm giảm thiểu khuyết tật và tăng cường quá trình kích hoạt chất pha tạp.
Sản xuất thiết bị điện
Phù hợp với các thiết bị bán dẫn công suất yêu cầu quá trình pha tạp chính xác và cấy ion năng lượng cao.
Sản xuất mạch tích hợp tiên tiến
Hỗ trợ tích hợp quy trình LSI với các yêu cầu về độ chính xác cao và năng suất cao.
Câu hỏi thường gặp
1. Hệ thống Ai300 hỗ trợ kích thước wafer nào?
Hệ thống này được thiết kế dành cho các tấm silicon 12 inch và phù hợp với các dây chuyền sản xuất bán dẫn tiên tiến.
2. Ưu điểm chính của khả năng cấy ghép ở nhiệt độ cao là gì?
Hệ thống này hỗ trợ quá trình cấy ghép ở nhiệt độ lên đến 400°C, giúp giảm thiểu tổn thương mạng tinh thể, cải thiện quá trình kích hoạt chất pha tạp và nâng cao hiệu suất tổng thể của thiết bị.
3. Hệ thống này mang lại mức độ chính xác và hiệu quả sản xuất như thế nào?
Hệ thống này đảm bảo độ chính xác góc trong phạm vi 0,1 độ, độ song song của chùm tia trong phạm vi 0,1 độ, cùng độ đồng đều và độ lặp lại trong phạm vi 0,5%, với công suất xử lý lên đến 500 tấm wafer mỗi giờ.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.