Hệ thống cấy ion nhiệt độ cao Ai350HT (chùm tia trung bình) được thiết kế dành cho các dây chuyền sản xuất bán dẫn sử dụng tấm silicon 6 inch và 8 inch, cũng như các ứng dụng trong quy trình SiC. Đây là một thiết bị cấy ion dòng điện trung bình được phát triển để phục vụ các quy trình pha tạp năng lượng cao và nhiệt độ cao trong lĩnh vực sản xuất bán dẫn tiên tiến.
Hệ thống hỗ trợ dải năng lượng từ 5 keV đến 350 keV, cho phép thực hiện cả các quy trình cấy ion ở độ sâu nông và sâu. Hệ thống được trang bị một đế điện tĩnh chịu nhiệt cao có thể hoạt động ở nhiệt độ lên đến 500°C, giúp tăng cường quá trình kích hoạt chất pha tạp và giảm thiểu tổn thương mạng tinh thể trong quá trình cấy ion. Kết hợp với hiệu suất chùm tia ổn định và khả năng điều khiển chính xác cao, hệ thống này phù hợp cho cả sản xuất chất bán dẫn dựa trên silicon và chất bán dẫn khe năng lượng rộng.
Tính năng
Khả năng cấy ghép ở nhiệt độ cao
Được trang bị mâm kẹp tĩnh điện chịu nhiệt độ cao lên đến 500°C, giúp nâng cao hiệu suất cấy và kích hoạt chất pha tạp cho các quy trình tiên tiến.
Dải công suất rộng
Dải năng lượng từ 5–350 keV đáp ứng các yêu cầu cấy ghép linh hoạt, từ việc hình thành lớp tiếp giáp nông đến các quy trình cấy ghép sâu.
Kiểm soát chùm tia với độ chính xác cao
Đảm bảo hiệu suất cấy ghép chính xác với độ chính xác góc ≤ 0,2°, độ song song của chùm tia ≤ 0,2°, độ đồng đều ≤ 0,5% và độ lặp lại ≤ 0,5%.
Hiệu suất ổn định của dầm
Độ ổn định của chùm tia được kiểm soát trong phạm vi 10% mỗi giờ, đảm bảo chất lượng quy trình ổn định trong các chu kỳ sản xuất kéo dài.
Nguồn ion có tuổi thọ cao
Được trang bị nguồn ion nhôm kim loại có tuổi thọ ≥150 giờ, giúp giảm tần suất bảo trì và nâng cao thời gian hoạt động.
Khả năng xử lý khối lượng lớn
Hỗ trợ công suất ≥ 200 tấm wafer mỗi giờ, phù hợp với môi trường sản xuất bán dẫn.
Khả năng tương thích quy trình nâng cao
Tương thích với các quy trình SiC và quy trình sản xuất bán dẫn truyền thống dựa trên silicon.
Thông số kỹ thuật chính
Thông số quy trình
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Kích thước tấm wafer | 6–8 inch |
| Phạm vi năng lượng | 5–350 keV |
| Các thành phần được cấy ghép | C, Al, B, P, N, He, Ar |
| Phạm vi liều lượng | 1E11–1E17 ion/cm² |
Hiệu suất chùm tia
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Độ ổn định của dầm | ≤ 10% / giờ (≤ 1 lần gián đoạn chùm tia hoặc hiện tượng hồ quang mỗi giờ) |
| Độ song song của chùm tia | ≤ 0,2° |
Độ chính xác khi cấy ghép
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Phạm vi góc cấy ghép | 0°–45° |
| Độ chính xác góc | ≤ 0,2° |
| Độ đồng nhất (1σ) | ≤ 0,51 TP3T (P+, 1E14, 100 keV) |
| Độ lặp lại (1σ) | ≤ 0,5% |
Hiệu suất hệ thống
| Mặt hàng | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Công suất | ≥ 200 tấm wafer mỗi giờ |
| Nhiệt độ tối đa của mâm kẹp | 500°C |
| Kích thước thiết bị | 6270 × 3500 × 3000 mm |
| Mức chân không | 5E-7 Torr |
| Rò rỉ tia X | ≤ 0,3 μSv/h |
| Chế độ quét | Quét tĩnh điện ngang + quét cơ học dọc |
Lĩnh vực ứng dụng
Sản xuất chất bán dẫn SiC
Được sử dụng trong sản xuất các thiết bị cacbua silic đòi hỏi các quy trình cấy ion ở nhiệt độ cao.
Quy trình chế tạo chất bán dẫn trên nền silicon
Áp dụng cho sản xuất CMOS và mạch tích hợp trên các tấm wafer 6 inch và 8 inch.
Các quy trình cấy ghép ở nhiệt độ cao
Thích hợp cho các quy trình yêu cầu nhiệt độ cao nhằm giảm thiểu tổn thương tinh thể và tăng cường hoạt hóa chất pha tạp.
Sản xuất thiết bị điện
Được sử dụng trong các thiết bị bán dẫn công suất yêu cầu quá trình cấy sâu và các quy trình năng lượng cao.
Kỹ thuật Vật liệu Nâng cao
Hỗ trợ quá trình cấy ion trong các vật liệu bán dẫn tiên tiến và môi trường phát triển quy trình.
Câu hỏi thường gặp
1. Máy in Ai350HT hỗ trợ các kích thước tấm wafer nào?
Hệ thống này hỗ trợ các tấm wafer 6 inch và 8 inch, đồng thời phù hợp với cả các dây chuyền sản xuất chất bán dẫn dựa trên silicon và SiC.
2. Nhiệt độ tối đa được hỗ trợ trong quá trình cấy ghép là bao nhiêu?
Hệ thống hỗ trợ quá trình cấy ghép ở nhiệt độ cao lên đến 500°C bằng cách sử dụng đế tĩnh điện có hệ thống gia nhiệt kết hợp với cơ chế kẹp cơ học.
3. Những ưu điểm chính của hệ thống này đối với các quy trình SiC là gì?
Hệ thống này kết hợp khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao, hiệu suất chùm tia ổn định và khả năng tương thích với các quy trình SiC, nhờ đó phù hợp cho các ứng dụng bán dẫn khe năng lượng rộng.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.