Оборудование для ионной имплантации Ai80HC (High Beam) - это сильноточный ионный имплантер, специально разработанный для линий по производству 12-дюймовых кремниевых пластин для полупроводников. Он разработан для передовых прецизионных процессов легирования в современном производстве интегральных схем, обеспечивая стабильную работу пучка, высокую воспроизводимость процесса и отличную точность контроля дозы.
Система работает в широком диапазоне энергий от 0,5 кэВ до 80 кэВ, обеспечивая гибкие условия имплантации для создания переходов малой и средней глубины. Система поддерживает множество видов имплантации, включая ¹¹B⁺, ⁴⁹BF₂⁺, ³¹P⁺, ⁷⁵As⁺, ¹⁴N⁺ и ¹H⁺, что делает ее пригодной для широкого спектра процессов изготовления КМОП и современных логических устройств.
Благодаря диапазону углов имплантации от 0° до 45° и высокой точности угла ≤ 0,1° система обеспечивает точный контроль распределения легирующих элементов и формирование профиля спая. В сочетании с параллельностью луча ≤ 0,3° и равномерностью ≤ 1% (1σ) система Ai80HC (High Beam) обеспечивает стабильность процесса от пластины к пластине и внутри пластины.
Разработанная для высокоэффективных производственных сред, система достигает производительности ≥ 200 пластин в час (WPH) при сохранении строгой стабильности процесса, что делает ее подходящей для современных линий производства полупроводников, совместимых с LSI.
Архитектура системы
В Ai80HC используется зрелая и надежная конструкция лучевой линии, состоящая из:
- Источник ионов
- Система извлечения
- Массовый анализатор
- Магнитная система линз
- Ускорительная трубка
- Система электростатического сканирования
- Линза для формирования параллельного луча
- Технологическая камера (конечная станция)
- Кассета для вафель / система загрузки
Он оснащен:
- Электростатический патрон для вафель
- Технология ионных источников с длительным сроком службы
- Полностью автоматизированная система обработки пластин
Такая архитектура обеспечивает высокую стабильность луча, сокращает время простоя в обслуживании и повышает воспроизводимость процессов.
Основные технические характеристики
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Размер пластины | 12 дюймов |
| Диапазон энергии | 0,5 - 80 кэВ |
| Имплантированные элементы | ¹¹B⁺, ⁴⁹BF₂⁺, ³¹P⁺, ⁷⁵As⁺, ¹⁴N⁺, ¹H⁺ |
| Угол имплантата | 0° - 45° |
| Точность угла | ≤ 0.1° |
| Диапазон доз | 5E11 - 1E17 ионов/см² |
| Устойчивость балки | ≤ 10% / час (в течение 60 минут; прерывание луча и образование дуги ≤ 1 раз) |
| Параллельность балок | ≤ 0.3° |
| Пропускная способность (WPH) | ≥ 200 пластин/час |
| Равномерность (1σ) | ≤ 1% |
| Повторяемость (1σ) | ≤ 1% |
| Совместимость процессов | Совместимость с процессом LSI |
Ключевые особенности и преимущества
1. Интеллектуальная система управления
Оснащен визуализированной и интеллектуальной программной платформой, обеспечивающей упрощенное управление, быструю диагностику неисправностей и высокую стабильность системы в процессе производства.
2. Источник ионов с длительным сроком службы
Используется передовая конструкция ионного источника со сроком службы ≥500 часов, что значительно сокращает время простоя и стоимость обслуживания.
3. Возможность диагностики луча
Встроенная система измерения двумерного профиля луча, способная точно контролировать:
- Ширина луча
- Высота балки
Это повышает точность имплантации и улучшает воспроизводимость процесса.
4. Высокая эффективность производства
Производительность Ai80HC более чем в 1,5 раза выше, чем у обычных систем, что делает его пригодным для использования в условиях крупносерийного производства полупроводников.
5. Усовершенствованная функция имплантатов
Поддерживает узорчатую ионную имплантацию, позволяя распределять дозу в:
- Круговые области
- Сегментация пластин на основе квадрантов
Это позволяет:
- Несколько технологических условий на одной пластине
- Снижение стоимости разработки процесса
- Повышение эффективности НИОКР
Пример: Одна пластина может одновременно получать четыре различных условия имплантации в четырех квадрантах, что значительно ускоряет оптимизацию процесса.
Приложение
- Изготовление КМОП-устройств
- Передовое производство логических ИС
- Легирование силовых полупроводников
- Исследовательские и опытно-конструкторские линии для полупроводников
- Производство интегральных схем на основе кремния
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
1. Для пластин какого размера предназначена система Ai80HC (High Beam)?
Система ионной имплантации Ai80HC (High Beam) предназначена для линий по производству 12-дюймовых кремниевых пластин, что делает ее подходящей для современного производства полупроводников и крупносерийного производства интегральных схем.
2. Каков диапазон энергии и технологические возможности этой системы?
Система работает в диапазоне энергий от 0,5 кэВ до 80 кэВ, поддерживая имплантацию малой и средней глубины. Она совместима с процессами LSI, включая формирование неглубоких переходов и проектирование истока/стока в передовых структурах устройств.
3. Какой уровень точности и стабильности обеспечивает система?
Ai80HC (High Beam) обеспечивает высокую стабильность процесса благодаря:
- Точность определения угла ≤ 0,1°
- Равномерность (1σ) ≤ 1%
- Повторяемость (1σ) ≤ 1%
- Параллельность балки ≤ 0,3°
Эти характеристики обеспечивают стабильную производительность при переходе от пластины к пластине и высокую производительность при производстве полупроводников.
Отзывы
Отзывов пока нет.