O sistema de implantação de iões Ai250 (feixe médio) foi concebido para linhas de fabrico de semicondutores de bolachas de silício de 6 e 8 polegadas. É um implantador de iões de corrente média utilizado em processos avançados de fabrico de circuitos integrados, proporcionando um desempenho estável do feixe, uma elevada precisão de implantação e um controlo fiável da dose.
O sistema suporta uma gama de energia de 5 keV a 250 keV, permitindo aplicações de implantação de iões superficiais e profundas. É adequado para uma vasta gama de processos de dopagem de semicondutores e é totalmente compatível com os requisitos de fabrico de LSI.
Caraterísticas
Desempenho estável do feixe médio
Assegura uma saída estável do feixe de iões durante longos ciclos de produção, melhorando a consistência do processo e reduzindo a variabilidade.
Capacidade para uma vasta gama de energia
A gama de energia de 5-250 keV permite requisitos de implantação flexíveis para diferentes estruturas de dispositivos e nós de processo.
Controlo de processos de alta precisão
Proporciona um desempenho de implantação de elevada precisão com precisão angular ≤ 0,2°, paralelismo do feixe ≤ 0,2°, uniformidade ≤ 0,5% e repetibilidade ≤ 0,5%.
Elevada capacidade de produção
Suporta ≥ 200 bolachas por hora, adequado para produção de semicondutores de volume médio a elevado.
Função do implante de padrão
Suporta a implantação de várias zonas e quadrantes numa única bolacha, melhorando a flexibilidade do processo e reduzindo o custo de desenvolvimento.
Compatibilidade de processos LSI
Totalmente compatível com os processos de fabrico de semicondutores LSI.
Especificações principais
Parâmetros do processo
| Item | Especificação |
|---|---|
| Tamanho da pastilha | Bolachas de silicone de 6-8 polegadas |
| Gama de energia | 5-250 keV |
| Elementos Implantados | B+, P+, As+, Ar+, N+, H+ |
| Intervalo de dose | 5E11-1E16 iões/cm² |
Desempenho do feixe
| Item | Especificação |
|---|---|
| Corrente máxima do feixe | Ar+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV B+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV P+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV N+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV |
| Estabilidade da viga | ≤ 15% / hora (interrupção do feixe e formação de arcos ≤ 1 vez por hora) |
| Paralelismo de vigas | ≤ 0.2° |
Precisão da implantação
| Item | Especificação |
|---|---|
| Gama de ângulos do implante | 0°-45° |
| Precisão do ângulo | ≤ 0.2° |
| Uniformidade (1σ) | ≤ 0,5% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Repetibilidade (1σ) | ≤ 0,5% |
Desempenho do sistema
| Item | Especificação |
|---|---|
| Rendimento | ≥ 200 bolachas por hora |
| Nível de vácuo | < 5E-7 Torr |
| Fuga de raios X | ≤ 0,6 μSv/h |
| Modo de digitalização | Varrimento eletrostático horizontal + varrimento mecânico vertical |
| Tamanho do equipamento | 5600 × 3300 × 2600 mm |
Campos de aplicação
Fabrico de dispositivos de semicondutores
Utilizado na produção de dispositivos lógicos CMOS, proporcionando uma implantação precisa de dopantes para a formação de transístores.
Fabrico de circuitos integrados
Aplicado em LSI e em processos avançados de fabrico de circuitos integrados que exigem um controlo de dopagem de alta precisão.
Formação de junção rasa e profunda
Apoia os processos de implantação para engenharia de fonte/dreno e controlo da profundidade da junção.
Engenharia de Dopantes
Utilizado para controlar as propriedades eléctricas de bolachas de silício através de uma implantação iónica precisa.
Desenvolvimento de processos e I&D
Adequado para o desenvolvimento de processos de semicondutores, produção piloto e fabrico experimental de dispositivos.
Perguntas mais frequentes
1. Que tamanhos de bolacha são suportados pelo Ai250
O sistema suporta wafers de silício de 6 e 8 polegadas e é adequado para as principais linhas de fabrico de semicondutores.
2. Qual é a gama de energia do sistema
A gama de energia é de 5 keV a 250 keV, suportando processos de implantação superficial e profunda para o fabrico de dispositivos semicondutores.
3. Qual o nível de exatidão do processo que o sistema proporciona
O sistema proporciona uma precisão angular de 0,2°, um paralelismo de feixe de 0,2° e uma uniformidade e repetibilidade de 0,5%, garantindo um desempenho de produção estável e de elevado rendimento.
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