6 inch N-type 6H SiC Epitaxy-wafer voor MEMS, UV-sensoren en groei van grafeen

De 6 Inch N-Type 6H SiC Epitaxy Wafer is een hoogwaardig halfgeleidersubstraat ontworpen voor geavanceerde toepassingen zoals MEMS-apparaten, ultraviolette (UV) sensoren en epitaxiale grafeengroei. Vervaardigd uit hoogwaardige monokristallen van siliciumcarbide (SiC) combineert deze wafer uitstekende elektrische, thermische en mechanische eigenschappen, waardoor het een ideale keuze is voor veeleisende omgevingen waar conventionele siliciummaterialen niet betrouwbaar kunnen presteren.

Met een standaarddiameter van 150 mm (6 inch) en een nauwkeurig gecontroleerde dikte van 350 µm biedt deze wafer superieure mechanische stabiliteit en procescompatibiliteit met moderne halfgeleiderproductieapparatuur. Het 6H polytype heeft een brede bandkloof van ongeveer 2,96 eV, waardoor het efficiënt werkt bij hoge temperaturen, hoge straling en chemisch agressieve omstandigheden.

Elke wafer wordt verwerkt tot een epi-klaar oppervlak met behulp van geavanceerde technologie voor chemisch mechanisch polijsten (CMP). Dit zorgt voor ultralage oppervlakteruwheid, minimale schade aan de ondergrond en optimale omstandigheden voor epitaxiale laaggroeiprocessen zoals chemische dampdepositie (CVD). Het resultaat is betere apparaatprestaties, een hogere opbrengst en een verbeterde betrouwbaarheid voor kritieke toepassingen.

Belangrijkste kenmerken

Epitaxy-klaar oppervlak voor hoogwaardige groei
De wafer wordt geleverd met een spiegelend CMP gepolijst oppervlak, met een ruwheid van sub-nanometer. Dit zorgt voor een uitstekende compatibiliteit met epitaxiale groeiprocessen, met name voor de vorming van grafeen en de fabricage van UV-gevoelige apparaten.

Geoptimaliseerd voor MEMS en ruwe omgevingen
De 6 Inch N-Type 6H SiC Epitaxy Wafer heeft een uitzonderlijke thermische stabiliteit en blijft presteren bij temperaturen boven 500°C. De hoge mechanische sterkte en chemische inertheid maken het geschikt voor MEMS-apparaten die werken in extreme omgevingen, zoals ruimtevaart, energie en industriële controlesystemen.

Brede bandkloof voor UV-sensortoepassingen
Met een bandkloof van ongeveer 2,96 eV is deze wafer van nature gevoelig voor ultraviolet licht terwijl hij ongevoelig blijft voor zichtbare golflengten. Dit maakt het ideaal voor zonneblinde UV-sensoren die worden gebruikt in vlamdetectie, omgevingsbewaking en defensiesystemen.

Stabiele elektrische prestaties
Stikstofdotering zorgt voor betrouwbare geleiding van het N-type, waardoor consistente elektrische eigenschappen en stabiele vorming van ohmse contacten mogelijk zijn. Dit is essentieel voor precisiesensoren en opto-elektronische toepassingen.

Gecontroleerde kristaloriëntatie
De wafer heeft een 4° off-axis oriëntatie naar (±0,5°), die step-flow epitaxiale groei bevordert en oppervlaktedefecten vermindert. Dit verbetert de uniformiteit en herhaalbaarheid tijdens de fabricage.

Toepassingen

MEMS-apparaten in extreme omstandigheden
De 6 Inch N-Type 6H SiC Epitaxy Wafer wordt veel gebruikt in MEMS sensoren zoals druksensoren en versnellingsmeters die ontworpen zijn voor omgevingen met hoge temperaturen en hoge druk. Deze apparaten zijn van cruciaal belang bij olie- en gasexploratie, autosystemen en turbinebewaking in de ruimtevaart.

Zonneblinde UV-sensoren
Dankzij de brede bandkloof is deze wafer ideaal voor de productie van UV-fotodetectoren die ultraviolette straling nauwkeurig kunnen detecteren zonder interferentie van zichtbaar licht. Deze mogelijkheid is essentieel voor vlamdetectiesystemen en geavanceerde optische detectietechnologieën.

Grafeen groeisubstraat
De wafer dient als hoogwaardig substraat voor epitaxiale groei van grafeen. Onder vacuümomstandigheden bij hoge temperatuur sublimeren siliciumatomen van het SiC-oppervlak, waardoor goed geordende lagen grafeen achterblijven. Dit proces wordt veel gebruikt in geavanceerde elektronica, snelle apparaten en kwantumonderzoek.

Geavanceerde Opto-elektronische Systemen
De optische transparantie en materiaalstabiliteit van 6H-SiC maken het geschikt voor gespecialiseerde opto-elektronische apparaten, waaronder UV-fotodiodes en hoogfrequente componenten.

Technische specificaties

Aanpassingsopties

We bieden flexibele aanpassingsdiensten om te voldoen aan specifieke proces- en toepassingsvereisten. Beschikbare opties zijn onder andere:

• Aangepaste wafeldikte
• Verschillende afsnijhoeken (on-axis of oriëntatie op maat)
• Dopingconcentratie en weerstandsregeling
• Oppervlakteafwerking en polijstgraad

Dit garandeert compatibiliteit met verschillende epitaxiale processen en apparaatstructuren, of het nu gaat om onderzoek, prototyping of productie op pilotschaal.

FAQs

V1: Wat betekent “epiklaar” voor deze wafer?
A: Dit betekent dat het waferoppervlak nauwkeurig gepolijst is met CMP-technologie om een ultralage ruwheid te bereiken, waardoor het onmiddellijk geschikt is voor epitaxiale groei zonder extra bewerking.

V2: Waarom 6H-SiC gebruiken in plaats van andere polytypes?
A: 6H-SiC biedt voordelen in UV-detectie, grafeengroei en optische toepassingen dankzij de bandkloof en kristalstructuur.

V3: Is deze wafer geschikt voor industriële productie?
A: Ja, 6-inch wafers worden veel gebruikt voor proefproductie en geavanceerde R&D, afhankelijk van de kwaliteitsklasse en toepassingsvereisten.

V4: Kan ik aangepaste specificaties aanvragen?
A: Ja, we ondersteunen volledige aanpassing, inclusief dikte, oriëntatie, doping en oppervlakteafwerking.

Waarom kiezen voor deze 6 Inch N-Type 6H SiC Epitaxy Wafer

Deze wafer is ontworpen om consistente prestaties, hoge materiaalkwaliteit en uitstekende compatibiliteit met geavanceerde halfgeleiderprocessen te leveren. Het is een ideale oplossing voor ingenieurs en onderzoekers die op zoek zijn naar betrouwbare substraten voor MEMS, UV-detectie en op grafeen gebaseerde technologieën.