A pastilha de epitaxia de SiC tipo N 6H de 6 polegadas é um substrato semicondutor de elevado desempenho concebido para aplicações avançadas, incluindo dispositivos MEMS, sensores ultravioleta (UV) e crescimento de grafeno epitaxial. Fabricada a partir de monocristais de carboneto de silício (SiC) de alta qualidade, esta pastilha combina excelentes propriedades eléctricas, térmicas e mecânicas, o que a torna a escolha ideal para ambientes exigentes em que os materiais de silício convencionais não podem ter um desempenho fiável.
Com um diâmetro padrão de 150 mm (6 polegadas) e uma espessura controlada com precisão de 350 µm, esta bolacha oferece uma estabilidade mecânica superior e compatibilidade de processos com equipamento moderno de fabrico de semicondutores. O polipropileno 6H apresenta um grande intervalo de banda de aproximadamente 2,96 eV, permitindo um funcionamento eficiente em condições de alta temperatura, alta radiação e quimicamente agressivas.
Cada bolacha é processada para obter uma superfície pronta para epitáxis utilizando tecnologia avançada de polimento químico-mecânico (CMP). Isto garante uma rugosidade ultra baixa da superfície, danos mínimos na subsuperfície e condições óptimas para processos de crescimento de camadas epitaxiais, como a Deposição Química de Vapor (CVD). O resultado é um melhor desempenho do dispositivo, maior rendimento e maior fiabilidade para aplicações críticas.
Caraterísticas principais
Superfície pronta para Epitaxia para crescimento de alta qualidade
A bolacha é fornecida com uma superfície polida por CMP semelhante a um espelho, atingindo uma rugosidade sub-nanométrica. Isto assegura uma excelente compatibilidade com os processos de crescimento epitaxial, particularmente para a formação de grafeno e o fabrico de dispositivos sensíveis aos raios UV.
Optimizado para MEMS e ambientes agressivos
A pastilha de epitaxia de SiC 6H tipo N de 6 polegadas demonstra uma estabilidade térmica excecional, mantendo o desempenho a temperaturas superiores a 500°C. A sua elevada resistência mecânica e inércia química tornam-na adequada para dispositivos MEMS que funcionam em ambientes extremos, como os sistemas aeroespaciais, de energia e de monitorização industrial.
Grande intervalo de banda para aplicações de sensores UV
Com um bandgap de aproximadamente 2,96 eV, esta pastilha é naturalmente sensível à luz ultravioleta, mantendo-se insensível aos comprimentos de onda visíveis. Isto torna-a ideal para sensores UV cegos à luz solar utilizados na deteção de chamas, monitorização ambiental e sistemas de defesa.
Desempenho elétrico estável
A dopagem com azoto assegura uma condutividade fiável do tipo N, permitindo caraterísticas eléctricas consistentes e a formação de contactos óhmicos estáveis. Isto é essencial para dispositivos de deteção de precisão e aplicações optoelectrónicas.
Orientação Cristalina Controlada
A bolacha apresenta uma orientação fora do eixo de 4° em direção a (±0,5°), o que promove o crescimento epitaxial por fluxo gradual e reduz os defeitos de superfície. Isto aumenta a uniformidade e a repetibilidade durante o fabrico do dispositivo.
Aplicações
Dispositivos MEMS em condições extremas
A pastilha de epitaxia de SiC 6H tipo N de 6 polegadas é amplamente utilizada em sensores MEMS, tais como sensores de pressão e acelerómetros concebidos para ambientes de alta temperatura e alta tensão. Estes dispositivos são essenciais para a exploração de petróleo e gás, sistemas automóveis e monitorização de turbinas aeroespaciais.
Sensores de UV com proteção solar
Graças ao seu grande intervalo de banda, esta bolacha é ideal para o fabrico de fotodetectores UV que podem detetar com precisão a radiação ultravioleta sem interferência da luz visível. Esta capacidade é essencial para sistemas de deteção de chamas e tecnologias avançadas de deteção ótica.
Substrato de crescimento de grafeno
A bolacha serve de substrato de alta qualidade para o crescimento epitaxial do grafeno. Sob condições de vácuo a alta temperatura, os átomos de silício sublimam da superfície de SiC, deixando para trás camadas de grafeno bem ordenadas. Este processo é amplamente utilizado em eletrónica avançada, dispositivos de alta velocidade e investigação quântica.
Sistemas Optoelectrónicos Avançados
A transparência ótica e a estabilidade do material 6H-SiC tornam-no adequado para dispositivos optoelectrónicos especializados, incluindo fotodíodos UV e componentes de alta frequência.
Especificações técnicas
| Imóveis | Especificação |
|---|---|
| Material | SiC Monocristal |
| Diâmetro | 150 mm (6 polegadas) |
| Espessura | 350 µm |
| Polytype | 6H |
| Tipo de condutividade | Tipo N (dopado com nitrogénio) |
| Orientação | 4° na direção de ±0,5° |
| Acabamento da superfície | SSP / DSP / CMP / MP |
| Qualidade da superfície | Pronto para Epitaxia (polido por CMP) |
| Bandgap | ~2,96 eV |
| Foco na aplicação | MEMS / Sensores UV / Crescimento de grafeno |
| Embalagem | Cassete ou contentor de pastilha única |
Opções de personalização
Fornecemos serviços flexíveis de personalização para satisfazer requisitos específicos de processos e aplicações. As opções disponíveis incluem:
- Espessura de bolacha personalizada
- Diferentes ângulos de corte (orientação no eixo ou à medida)
- Concentração de dopagem e controlo da resistividade
- Acabamento da superfície e grau de polimento
Isto garante a compatibilidade com vários processos epitaxiais e estruturas de dispositivos, quer para investigação, prototipagem ou produção à escala piloto.
Perguntas frequentes
P1: O que significa “epi-ready” para esta bolacha?
R: Significa que a superfície da bolacha foi polida com precisão utilizando a tecnologia CMP para obter uma rugosidade ultra baixa, tornando-a imediatamente adequada para o crescimento epitaxial sem processamento adicional.
Q2: Porquê utilizar o 6H-SiC em vez de outros polímeros?
R: O 6H-SiC oferece vantagens na deteção de UV, no crescimento de grafeno e em aplicações ópticas devido ao seu intervalo de banda e estrutura cristalina.
Q3: Esta bolacha é adequada para a produção industrial?
R: Sim, as bolachas de 6 polegadas são amplamente utilizadas para produção piloto e I&D avançada, dependendo do grau de qualidade e dos requisitos da aplicação.
Q4: Posso solicitar especificações personalizadas?
R: Sim, suportamos a personalização total, incluindo espessura, orientação, dopagem e acabamento da superfície.
Por que escolher este wafer de epitaxia de SiC tipo N 6H de 6 polegadas
Esta bolacha foi concebida para proporcionar um desempenho consistente, elevada qualidade de material e excelente compatibilidade com processos avançados de semicondutores. É uma solução ideal para engenheiros e investigadores que procuram substratos fiáveis para MEMS, deteção de UV e tecnologias baseadas em grafeno.
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