Het Ai200HC.D (High Beam) ionenimplantatiesysteem is ontworpen voor productielijnen voor halfgeleiders van 6 inch en 8 inch siliciumwafers. Het is een ionenimplantator met hoge stroomsterkte, ontwikkeld voor precisiedoping en geavanceerde procestoepassingen bij de productie van geïntegreerde schakelingen.
Het systeem ondersteunt een energiebereik van 5 keV tot 180 keV en levert stabiele bundelprestaties en een hoge procesherhaalbaarheid. Het is geschikt voor halfgeleiderfabricage op basis van silicium en geavanceerde processen die verband houden met wafer bonding, waaronder integratie van Smart Cut-technologie.
Kenmerken
Stabiliteit van grootlicht
Het systeem handhaaft een stabiele uitvoer van de ionenbundel met gecontroleerde fluctuatie, waardoor een consistente kwaliteit van de implantatie wordt gegarandeerd tijdens de continue productie.
Brede procescompatibiliteit
Compatibel met siliciumgebaseerde processen en Smart Cut-gerelateerde toepassingen, met ondersteuning voor geavanceerde wafer-engineering.
Zeer nauwkeurige implantaatcontrole
Biedt nauwkeurige implantatieprestaties met:
- Hoeknauwkeurigheid ≤ 0,2°
- Parallelliteit bundel ≤ 0,3°
- Uniformiteit ≤ 1%
- Herhaalbaarheid ≤ 1%
Hoge doorvoercapaciteit
Ondersteunt ≥ 220 wafers per uur, geschikt voor middelgrote tot grote productieomgevingen voor halfgeleiders.
Batch Doel Verwerking
Ondersteunt verwerking van batchtargets, wat de procesflexibiliteit verbetert en integratie met geavanceerde productietechnologieën voor siliciumwafers mogelijk maakt.
Belangrijkste specificaties
Procesparameters
| Item | Specificatie |
|---|---|
| Wafergrootte | 6-8 inch silicium wafers |
| Energie Bereik | 5-180 keV |
| Geïmplanteerde elementen | B+, BF2+, P+, As+, N+, H+ |
| Dosisbereik | 5E11-1E17 ionen/cm² |
Straalprestaties
| Item | Specificatie |
|---|---|
| Stabiliteit van de balk | ≤ 10% per uur |
| Parallelliteit van de straal | ≤ 0.3° |
Nauwkeurigheid van implantatie
| Item | Specificatie |
|---|---|
| Implantaat hoekbereik | -11° tot 11° |
| Hoeknauwkeurigheid | ≤ 0.2° |
| Uniformiteit (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Herhaalbaarheid (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
Systeemprestaties
| Item | Specificatie |
|---|---|
| Doorvoer | ≥ 220 wafels per uur |
| Uitrustingsgrootte | 5930 × 3000 × 2630 mm |
Toepassing
Halfgeleiderfabricage op basis van silicium
Gebruikt bij de productie van CMOS en geavanceerde logische apparaten, ter ondersteuning van nauwkeurige doteringsimplantatieprocessen.
Integratie van Smart Cut-proces
Geschikt voor wafer bonding en laagovergangsprocessen gebaseerd op de vereisten van Smart Cut technologie.
Geavanceerde wafer-engineering
Toegepast bij wijziging van siliciumwafers, structurele optimalisatie en verbetering van apparaatprestaties.
Productie geïntegreerd circuit
Ondersteunt de productie van middelgrote tot grote volumes IC's met stabiele procesbesturing en een hoge verwerkingscapaciteit.
Veelgestelde vragen
1. Welke wafermaten ondersteunt de Ai200HC.D?
Het systeem ondersteunt 6-inch en 8-inch siliciumwafers en is geschikt voor mainstream halfgeleiderproductieprocessen.
2. Wat is het energiebereik van dit systeem?
Het energiebereik is 5 keV tot 180 keV, wat een breed scala aan implantatietoepassingen in halfgeleiderelementen op basis van silicium ondersteunt.
3. Welke speciale procesmogelijkheden ondersteunt dit systeem?
Het systeem is compatibel met siliciumgebaseerde processen en Smart Cut technologie en ondersteunt batch target verwerking en geavanceerde wafer engineering toepassingen.
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.