L'apparecchiatura di rettifica posteriore di precisione Wafer Thinning System è una soluzione di lavorazione dei wafer ad alta precisione progettata per la produzione avanzata di semiconduttori. Supporta wafer da 4 a 12 pollici, tra cui silicio (Si), carburo di silicio (SiC), arseniuro di gallio (GaAs), zaffiro e altri materiali semiconduttori composti fragili.
Questo sistema è stato progettato per l'assottigliamento ultrapreciso del lato posteriore dei wafer, consentendo la riduzione dello spessore a livelli di micron e sub-micron, mantenendo un'eccellente integrità della superficie. Svolge un ruolo fondamentale nella produzione di packaging avanzato, dispositivi di potenza, MEMS e semiconduttori composti.
Grazie all'integrazione di un design meccanico ad alta rigidità, del controllo di precisione dell'asse Z e del monitoraggio dello spessore in tempo reale, l'apparecchiatura garantisce prestazioni di lavorazione stabili e ripetibili per la produzione su scala industriale.
Caratteristiche tecniche principali
Controllo dello spessore ad alta precisione
- Precisione dello spessore: ±1 μm
- Variazione dello spessore totale (TTV): ≤2 μm
- I modelli avanzati raggiungono un controllo sub-micronico fino a ±0,5 μm
Ampia compatibilità con i materiali
Supporta un'ampia gamma di semiconduttori e materiali fragili:
- Silicio (Si)
- Carburo di silicio (SiC)
- Arsenuro di gallio (GaAs)
- Zaffiro (Al₂O₃)
- Altri wafer di semiconduttori composti
Compatibilità con le dimensioni dei wafer
- Cialde da 4 pollici / 6 pollici / 8 pollici / 10 pollici / 12 pollici
- Gestione flessibile di substrati standard e personalizzati
Sistema meccanico ad alta stabilità
- Mandrino a cuscinetto d'aria ad alta rigidità
- Piattaforma di rettifica di precisione a basse vibrazioni
- Vite a sfera importata + sistema di guida lineare
- Controllo del servomotore ad alta precisione (risoluzione di 0,1 μm)
Sistema di raffreddamento avanzato
- Il sistema di raffreddamento ad acqua del mandrino garantisce la stabilità termica
- Impedisce la deformazione durante la rettifica ad alta velocità
Configurazione del sistema
Il sistema di assottigliamento dei wafer integra più moduli funzionali:
1. Modulo di rettifica di precisione
Esegue una rimozione controllata del materiale con un'elevata uniformità della superficie.
2. Sistema di controllo di precisione dell'asse Z
Consente una regolazione verticale ultra-fine per ottenere uno spessore costante del wafer.
3. Sistema di misurazione dello spessore
La misura in tempo reale di contatto/non contatto garantisce la stabilità del processo.
4. Mandrino per wafer a vuoto
Fissaggio sicuro dei wafer, comprese soluzioni personalizzate per wafer irregolari.
5. Sistema di controllo dell'automazione
- Modalità di funzionamento Full-auto / Semi-auto
- Registrazione del registro delle operazioni
- Controllo del processo basato sulle ricette
Capacità di elaborazione
Il sistema è progettato per la lavorazione del lato posteriore dei wafer ad alte prestazioni:
- Rettifica posteriore dei wafer di silicio
- Assottigliamento dei wafer di SiC per dispositivi di potenza
- Assottigliamento del substrato GaN e GaAs
- Assottigliamento di precisione dei wafer di zaffiro
- Preparazione di wafer ultrasottili per il confezionamento 3D
Applicazioni
1. Dispositivi a semiconduttore di potenza
Utilizzato nei MOSFET SiC, negli IGBT e nei dispositivi ad alta tensione che richiedono wafer ultrasottili.
2. Imballaggio avanzato
Supporta l'assottigliamento dei wafer per:
- Confezionamento di flip-chip
- Integrazione IC 2.5D / 3D
- Processi TSV (Through Silicon Via)
3. Semiconduttori composti
Applicabile alla fabbricazione di dispositivi GaN, GaAs e InP.
4. LED e optoelettronica
Assottigliamento di wafer in zaffiro e composti per chip LED e dispositivi ottici.
Vantaggi
- Tecnologia di assottigliamento dei wafer matura e stabile
- Sistema di rettifica ad alta precisione in ingresso
- Eccellente controllo della rugosità superficiale
- Elevato UPH (fino a 30 wafer/ora per i processi standard)
- Forte adattabilità ai materiali fragili e duri
- Capacità di integrazione dei processi completamente automatizzata
Caratteristiche principali delle prestazioni
- Risoluzione minima: 0,1 μm/s Controllo asse Z
- Uniformità dello spessore: ≤1-2 μm TTV
- Mandrino ad alta velocità con vibrazioni ridottissime
- Monitoraggio e registrazione dei processi in tempo reale
- Compatibile con gli ambienti di ricerca e sviluppo e di produzione di massa
Opzioni di personalizzazione
Forniamo una personalizzazione flessibile per le diverse esigenze industriali:
- Mandrini per wafer personalizzati (forme irregolari)
- Campo di misura dello spessore esteso (fino a 40 mm)
- Personalizzazione delle ricette di processo
- Integrazione dell'automazione con le apparecchiature a monte e a valle
FAQ
D1: Questo sistema può processare wafer SiC?
Sì, è specificamente ottimizzato per l'assottigliamento dei wafer SiC e la rettifica del lato posteriore, adatto alle applicazioni dei dispositivi di potenza.
D2: Qual è la precisione di spessore raggiungibile?
I modelli standard raggiungono ±1 μm, mentre le configurazioni di fascia alta possono raggiungere ±0,5 μm con TTV ≤1 μm.
D3: Supporta l'automazione completa?
Sì, sono disponibili sia la modalità full-auto che quella semi-auto, a seconda delle esigenze di produzione.
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