L'apparecchiatura per epitassi del carburo di silicio (SiC) a flusso d'aria verticale di tipo split è un sistema avanzato di crescita epitassiale progettato per la produzione ad alta efficienza di wafer di SiC da 6 e 8 pollici. Caratterizzato da un'architettura modulare di tipo split, l'alimentatore, i moduli di scarico e i moduli EFEM/PM/TM possono essere installati indipendentemente nelle zone grigie o nelle aree mezzanine. Questa flessibilità consente una perfetta integrazione nei moderni ambienti di produzione, mantenendo al contempo la piena capacità di automazione grazie al modulo SMIF e al collegamento con il carroponte.
L'apparecchiatura incorpora un innovativo design del flusso d'aria verticale combinato con il controllo del campo di temperatura a più zone, garantendo uno spessore uniforme e una concentrazione di drogaggio stabile, fondamentali per i dispositivi di potenza SiC ad alte prestazioni. L'automazione completa, compresa la manipolazione dei wafer EFEM e il trasferimento dei wafer ad alta temperatura, riduce l'intervento manuale, aumenta la coerenza del processo e migliora l'efficienza operativa.
Il sistema supporta il funzionamento multicamera continuo a doppia camera, raggiungendo oltre 1100 wafer al mese e fino a 1200 wafer al mese grazie all'ottimizzazione del processo. Il suo design è pienamente compatibile con wafer da 6 e 8 pollici, offrendo flessibilità ai produttori che passano a wafer di dimensioni maggiori. Inoltre, l'apparecchiatura è in grado di effettuare la crescita di film spessi ad alta pressione e l'epitassia a riempimento di trincea, rendendola adatta a dispositivi SiC avanzati ad alta tensione e ad alta potenza.
La robusta struttura di tipo split garantisce una bassa densità di difetti, un'elevata resa, una manutenzione semplificata e un'affidabilità a lungo termine, riducendo al minimo il costo totale di proprietà per i produttori di semiconduttori.
Vantaggi tecnici chiave
- Design modulare di tipo split per l'installazione indipendente dei moduli di alimentazione, scarico ed EFEM
- Soffione a flusso d'aria verticale per una distribuzione uniforme del gas sul wafer
- Controllo della temperatura multizona per una gestione termica precisa
- Configurazione a doppia camera per una produzione ad alta produttività
- Bassa densità di difetti e prestazioni ad alto rendimento
- Movimentazione completamente automatizzata dei wafer con EFEM e integrazione del carroponte
- Compatibile con wafer SiC da 6 e 8 pollici
- Ottimizzato per l'epitassia a film spesso e a riempimento di trincea
- Alta affidabilità e manutenzione semplificata
Prestazioni di processo
| Parametro | Specifiche |
|---|---|
| Produttività | ≥1100 wafer/mese (camere doppie), fino a 1200 wafer/mese (ottimizzato) |
| Compatibilità con le dimensioni dei wafer | Cialde da 6” / 8” in SiC |
| Controllo della temperatura | Multizona |
| Sistema di flusso d'aria | Flusso d'aria multizona regolabile verticalmente |
| Velocità di rotazione | 0-1000 giri/min |
| Tasso di crescita massimo | ≥60 μm/ora |
| Uniformità dello spessore | ≤2% (ottimizzato ≤1%, σ/avg, EE 5mm) |
| Uniformità di drogaggio | ≤3% (ottimizzato ≤1,5%, σ/avg, EE 5mm) |
| Densità dei difetti killer | ≤0,2 cm-² (ottimizzato a 0,01 cm-²) |
Scenari di applicazione
L'apparecchiatura per epitassi SiC a flusso d'aria verticale di tipo split è ampiamente utilizzata nella produzione di semiconduttori SiC ad alte prestazioni, in particolare nelle industrie che richiedono alta efficienza, alta tensione e alte prestazioni termiche:
Veicoli elettrici (EV)
Utilizzato nella produzione di MOSFET SiC e moduli di potenza per inverter, caricabatterie di bordo e convertitori DC-DC, migliorando l'efficienza energetica e l'autonomia di guida.
Sistemi di energia rinnovabile
Applicato negli inverter fotovoltaici e nei sistemi di accumulo dell'energia, consente una maggiore efficienza di conversione e affidabilità.
Elettronica di potenza industriale
Adatto per azionamenti di motori ad alta potenza, sistemi di automazione industriale e unità di alimentazione che richiedono un funzionamento stabile ed efficiente.
Transito ferroviario e reti elettriche
Supporta i dispositivi ad alta tensione e ad alta frequenza utilizzati nelle smart grid, nei sistemi di trazione e nelle infrastrutture di trasmissione dell'energia.
Dispositivi di potenza di fascia alta
Ideale per la produzione di dispositivi SiC avanzati come diodi Schottky, MOSFET e componenti ad alta tensione di nuova generazione.
FAQ
1. Quali sono le dimensioni dei wafer supportate da questa apparecchiatura per epitassi di tipo split?
Il sistema supporta wafer SiC sia da 6 che da 8 pollici, consentendo ai produttori di soddisfare le attuali esigenze di produzione e di prepararsi a scalare in futuro.
2. Quali sono i vantaggi del design di tipo split?
Il design modulare diviso in due permette l'installazione indipendente dei moduli di alimentazione, scarico ed EFEM, migliorando la flessibilità del layout della fabbrica e la praticità della manutenzione.
3. In che modo il design del flusso d'aria verticale migliora la qualità dell'epitassia?
Il flusso d'aria verticale assicura una distribuzione uniforme del gas sul wafer, con conseguente uniformità dello spessore, stabilità del drogaggio e riduzione della densità dei difetti.
4. L'apparecchiatura è adatta alla produzione di grandi volumi?
Sì, la configurazione a doppia camera supporta il funzionamento continuo multiforno, con una produzione che supera i 1100 wafer al mese, rendendola ideale per la produzione su larga scala e garantendo wafer di qualità costante con tempi di inattività ridotti.
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