A Split-Type Vertical Airflow Silicon Carbide (SiC) Epitaxy Equipment egy fejlett epitaxiális növekedési rendszer, amelyet 6 hüvelykes és 8 hüvelykes SiC epi-waferek nagy hatékonyságú gyártására terveztek. A moduláris, osztott felépítésű berendezésben a tápegység, a kipufogógáz-modulok és az EFEM/PM/TM modulok egymástól függetlenül telepíthetők a szürke zónákban vagy a félemeleti területeken. Ez a rugalmasság lehetővé teszi a modern gyártási környezetekbe való zökkenőmentes integrációt, miközben a SMIF modul és a daru felsővezetéki összeköttetés révén teljes automatizálhatóságot biztosít.
A berendezés innovatív, függőleges légáramú kialakítással rendelkezik, amely többzónás hőmérséklet-mező szabályozással kombinálva biztosítja az egyenletes vastagságot és a stabil doppingkoncentrációt - ami kritikus fontosságú a nagy teljesítményű SiC teljesítményű eszközökhöz. A teljes automatizálás, beleértve az EFEM ostyakezelést és a magas hőmérsékletű ostyatranszfert, csökkenti a kézi beavatkozást, fokozza a folyamat konzisztenciáját és javítja a működési hatékonyságot.
A rendszer támogatja a kétkamrás, folyamatos, több kemencés üzemet, és a folyamat optimalizálásával havonta több mint 1100 ostyát, illetve akár havi 1200 ostyát is előállíthat. Kialakítása teljes mértékben kompatibilis mind a 6 hüvelykes, mind a 8 hüvelykes ostyákkal, így rugalmasságot kínál a nagyobb ostyaméretekre áttérő gyártók számára. A berendezés emellett képes nagynyomású vastagréteg-növesztésre és árokkitöltő epitaxiára, így alkalmas fejlett nagyfeszültségű és nagy teljesítményű SiC-eszközökhöz.
A robusztus, osztott típusú konstrukció alacsony hibasűrűséget, magas hozamot, egyszerűsített karbantartást és hosszú távú megbízhatóságot biztosít, minimalizálva a félvezetőgyártók teljes tulajdonlási költségét.
Legfontosabb műszaki előnyök
- Osztott moduláris kialakítás a teljesítmény, a kipufogó és az EFEM modulok független telepítéséhez
- Függőleges légáramú zuhanyfej az egyenletes gázeloszlásért a lapkán
- Többzónás hőmérséklet-szabályozás a pontos hőkezelésért
- Kétkamrás konfiguráció a nagy áteresztőképességű termeléshez
- Alacsony hibasűrűség és magas hozam
- Teljesen automatizált ostyakezelés EFEM és daru integrációval
- Kompatibilis a 6” és 8” SiC ostyákkal
- Vastagréteg- és árokkitöltő epitaxiához optimalizált
- Nagy megbízhatóság és egyszerűsített karbantartás
Folyamat teljesítménye
| Paraméter | Specifikáció |
|---|---|
| Átviteli teljesítmény | ≥1100 ostya/hó (két kamra), akár 1200 ostya/hó (optimalizált) |
| Wafer méret kompatibilitás | 6” / 8” SiC epi-lapátok |
| Hőmérséklet-szabályozás | Többzónás |
| Légáramlási rendszer | Függőlegesen állítható többzónás légáramlás |
| Forgási sebesség | 0-1000 fordulat/perc |
| Maximális növekedési ráta | ≥60 μm/óra |
| Vastagság egyenletessége | ≤2% (optimalizált ≤1%, σ/avg, EE 5mm) |
| Dopping egyenletesség | ≤3% (optimalizált ≤1,5%, σ/avg, EE 5mm) |
| Gyilkos hiba sűrűsége | ≤0,2 cm-² (0,01 cm-²-re optimalizálva) |
Alkalmazási forgatókönyvek
Az osztott típusú, függőleges légáramú SiC epitaxiás berendezéseket széles körben használják a nagy teljesítményű SiC félvezetőgyártásban, különösen a nagy hatékonyságot, nagy feszültséget és nagy hőteljesítményt igénylő iparágakban:
Elektromos járművek (EV-k)
SiC MOSFET-ek és teljesítménymodulok gyártásánál használják inverterekhez, fedélzeti töltőkhöz és DC-DC átalakítókhoz, javítva az energiahatékonyságot és a hatótávolságot.
Megújuló energiarendszerek
Fotovoltaikus inverterekben és energiatároló rendszerekben alkalmazzák, lehetővé téve a nagyobb átalakítási hatékonyságot és megbízhatóságot.
Ipari teljesítményelektronika
Alkalmas nagy teljesítményű motorhajtásokhoz, ipari automatizálási rendszerekhez és stabil és hatékony működést igénylő tápegységekhez.
Vasúti tranzit és elektromos hálózatok
Támogatja az intelligens hálózatokban, vontatási rendszerekben és az energiaátviteli infrastruktúrában használt nagyfeszültségű és nagyfrekvenciás eszközöket.
High-End tápegységek
Ideális fejlett SiC-eszközök, például Schottky-diódák, MOSFET-ek és új generációs nagyfeszültségű alkatrészek gyártásához.
GYIK
1. Milyen ostyaméreteket támogat ez az osztott epitaxiás berendezés?
A rendszer támogatja mind a 6 hüvelykes, mind a 8 hüvelykes SiC ostyákat, lehetővé téve a gyártók számára, hogy megfeleljenek a jelenlegi termelési igényeknek, miközben felkészülnek a jövőbeli méretezéshez.
2. Milyen előnyei vannak az osztott kialakításnak?
A moduláris osztott kialakítás lehetővé teszi a táp-, a kipufogó- és az EFEM-modulok független telepítését, ami növeli a gyár elrendezésének rugalmasságát és a karbantartás kényelmét.
3. Hogyan javítja a függőleges légáramlású kialakítás az epitaxis minőségét?
A függőleges légáramlás biztosítja a gáz egyenletes eloszlását az ostyán, ami egyenletes vastagságot, stabil adalékolást és csökkentett hibasűrűséget eredményez.
4. Alkalmas-e ez a berendezés nagy volumenű gyártásra?
Igen, a kétkamrás konfiguráció támogatja a folyamatos többkamrás működést, az 1100 ostyát havonta meghaladó átmenő teljesítménnyel, így ideális a nagyüzemi termeléshez, és biztosítja az egyenletes minőségű ostyákat, csökkentett üzemszünet mellett.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.