Оборудование для эпитаксии карбида кремния (SiC) с раздельным типом вертикального воздушного потока - это передовая система эпитаксиального роста, предназначенная для высокоэффективного производства 6- и 8-дюймовых эпи-пластин SiC. Благодаря модульной архитектуре раздельного типа модули питания, вытяжки и EFEM/PM/TM могут быть установлены независимо друг от друга в серых зонах или антресолях. Такая гибкость позволяет легко интегрировать оборудование в современные производственные цеха, сохраняя при этом возможность полной автоматизации с помощью модуля SMIF и мостового крана.
В оборудовании применена инновационная конструкция вертикального воздушного потока в сочетании с многозонным контролем температурного поля, что обеспечивает равномерную толщину и стабильную концентрацию легирующих элементов, критически важную для высокопроизводительных силовых устройств на основе SiC. Полная автоматизация, включая обработку пластин EFEM и высокотемпературный перенос пластин, сокращает ручное вмешательство, улучшает последовательность процесса и повышает эффективность работы.
Система поддерживает двухкамерный непрерывный режим работы с несколькими печами, обеспечивая выпуск более 1100 пластин в месяц и до 1200 пластин в месяц за счет оптимизации процесса. Ее конструкция полностью совместима с 6- и 8-дюймовыми пластинами, что обеспечивает гибкость для производителей, переходящих на пластины большего размера. Кроме того, оборудование способно производить толстопленочный рост под высоким давлением и эпитаксию с заполнением траншей, что делает его подходящим для современных высоковольтных и мощных SiC-устройств.
Прочная конструкция разъемного типа обеспечивает низкую плотность дефектов, высокий выход продукции, простоту обслуживания и долговременную надежность, минимизируя общую стоимость владения для производителей полупроводников.
Ключевые технические преимущества
- Модульная конструкция раздельного типа для независимой установки модулей питания, вытяжки и EFEM
- Душевая лейка с вертикальным потоком воздуха для равномерного распределения газа по пластине
- Многозонный контроль температуры для точного терморегулирования
- Двухкамерная конфигурация для высокопроизводительного производства
- Низкая плотность дефектов и высокая производительность
- Полностью автоматизированная обработка пластин с помощью EFEM и интеграции мостового крана
- Совместимость с 6- и 8-дюймовыми пластинами SiC
- Оптимизирован для эпитаксии толстых пленок и заполнения траншей
- Высокая надежность и упрощенное обслуживание
Производительность процесса
| Параметр | Технические характеристики |
|---|---|
| Пропускная способность | ≥1100 пластин/месяц (в двух камерах), до 1200 пластин/месяц (в оптимизированной камере) |
| Совместимость с размерами пластин | 6” / 8” эпи-вафли из SiC |
| Контроль температуры | Мультизона |
| Система воздушного потока | Вертикально регулируемый многозонный воздушный поток |
| Скорость вращения | 0-1000 об/мин |
| Максимальный темп роста | ≥60 мкм/час |
| Равномерность толщины | ≤2% (оптимизированный ≤1%, σ/avg, EE 5 мм) |
| Равномерность легирования | ≤3% (оптимизированный ≤1,5%, σ/avg, EE 5 мм) |
| Убийственная плотность дефектов | ≤0,2 см-² (оптимизировано до 0,01 см-²) |
Сценарии применения
Оборудование для эпитаксии SiC с раздельным вертикальным воздушным потоком широко используется в производстве высокопроизводительных полупроводников SiC, особенно в отраслях, требующих высокой эффективности, высокого напряжения и высоких тепловых характеристик:
Электромобили (EV)
Используется в производстве SiC MOSFET и силовых модулей для инверторов, бортовых зарядных устройств и DC-DC преобразователей, повышая энергоэффективность и дальность поездки.
Возобновляемые энергетические системы
Применяются в фотоэлектрических инверторах и системах накопления энергии, обеспечивая более высокую эффективность преобразования и надежность.
Промышленная силовая электроника
Подходит для мощных моторных приводов, систем промышленной автоматизации и блоков питания, требующих стабильной и эффективной работы.
Железнодорожный транзит и электросети
Поддерживает высоковольтные и высокочастотные устройства, используемые в интеллектуальных сетях, системах тяги и инфраструктуре передачи электроэнергии.
Высокотехнологичные устройства питания
Идеально подходит для производства современных SiC-приборов, таких как диоды Шоттки, МОП-транзисторы и высоковольтные компоненты нового поколения.
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
1. Какие размеры пластин поддерживает данное оборудование для эпитаксии раздельного типа?
Система поддерживает как 6-, так и 8-дюймовые пластины SiC, позволяя производителям удовлетворять текущие производственные потребности и одновременно готовиться к будущему масштабированию.
2. Каковы преимущества конструкции раздельного типа?
Разборная модульная конструкция позволяет независимо устанавливать модули питания, вытяжки и EFEM, что повышает гибкость планировки цеха и удобство обслуживания.
3. Как вертикальный воздушный поток улучшает качество эпитаксии?
Вертикальный поток воздуха обеспечивает равномерное распределение газа по пластине, что приводит к равномерной толщине, стабильному легированию и снижению плотности дефектов.
4. Подходит ли это оборудование для крупносерийного производства?
Да, двухкамерная конфигурация поддерживает непрерывную работу нескольких печей с производительностью более 1100 пластин в месяц, что делает ее идеальной для крупномасштабного производства и обеспечивает стабильное качество пластин при сокращении времени простоя.
Отзывы
Отзывов пока нет.