El sistema de implantación de iones de alta temperatura Ai350HT (Medium Beam) está diseñado para líneas de fabricación de semiconductores de obleas de silicio de 6 y 8 pulgadas, así como para aplicaciones de proceso de SiC. Es un implantador de iones de corriente media desarrollado para procesos de dopaje de alta energía y alta temperatura en la fabricación avanzada de semiconductores.
El sistema admite una gama de energías de 5 keV a 350 keV, lo que permite procesos de implantación tanto superficiales como profundos. Está equipado con un mandril electrostático de alta temperatura capaz de funcionar hasta 500 °C, lo que permite mejorar la activación del dopante y reducir los daños en la red durante la implantación. Combinado con un rendimiento estable del haz y un control de alta precisión, el sistema es adecuado tanto para la fabricación de semiconductores basados en silicio como para la fabricación de semiconductores de banda ancha.
Características
Capacidad de implantación a alta temperatura
Equipado con un mandril electrostático de alta temperatura que soporta hasta 500°C, lo que permite mejorar la eficacia de la implantación y la activación de dopantes para procesos avanzados.
Amplia gama de energía
La gama de energía de 5-350 keV permite satisfacer requisitos de implantación flexibles, desde la formación de uniones poco profundas hasta procesos de implantación profunda.
Control del haz de alta precisión
Proporciona un rendimiento de implantación preciso con exactitud de ángulo ≤ 0,2º, paralelismo de haz ≤ 0,2º, uniformidad ≤ 0,5% y repetibilidad ≤ 0,5%.
Rendimiento estable del haz
La estabilidad del haz se controla dentro de 10% por hora, lo que garantiza una calidad constante del proceso durante ciclos de producción largos.
Fuente de iones de larga duración
Equipado con una fuente de iones de metal Al con una vida útil de ≥150 horas, lo que reduce la frecuencia de mantenimiento y mejora el tiempo de actividad.
Alta capacidad de producción
Admite un rendimiento de ≥ 200 obleas por hora, adecuado para entornos de producción de semiconductores.
Compatibilidad con procesos avanzados
Compatible con los procesos SiC y la fabricación convencional de semiconductores basados en silicio.
Especificaciones
Parámetros del proceso
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Tamaño de la oblea | 6-8 pulgadas |
| Gama energética | 5-350 keV |
| Elementos implantados | C, Al, B, P, N, He, Ar |
| Gama de dosis | 1E11-1E17 iones/cm² |
Rendimiento del haz
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Estabilidad de la viga | ≤ 10% / hora (≤1 interrupción del haz o arco por hora) |
| Paralelismo de vigas | ≤ 0.2° |
Precisión de implantación
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Gama de ángulos de implante | 0°-45° |
| Precisión del ángulo | ≤ 0.2° |
| Uniformidad (1σ) | ≤ 0,5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| Repetibilidad (1σ) | ≤ 0,5% |
Rendimiento del sistema
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Rendimiento | ≥ 200 obleas por hora |
| Temperatura máxima del mandril | 500°C |
| Tamaño del equipo | 6270 × 3500 × 3000 mm |
| Nivel de vacío | 5E-7 Torr |
| Fuga de rayos X | ≤ 0,3 μSv/h |
| Modo de exploración | Barrido electrostático horizontal + barrido mecánico vertical |
Campos de aplicación
Fabricación de semiconductores SiC
Se utiliza en la fabricación de dispositivos de carburo de silicio que requieren procesos de implantación iónica a alta temperatura.
Procesado de semiconductores a base de silicio
Aplicable a la fabricación de CMOS y circuitos integrados en obleas de 6 y 8 pulgadas.
Procesos de implantación a alta temperatura
Adecuado para procesos que requieren una temperatura elevada para reducir el daño cristalino y mejorar la activación del dopante.
Fabricación de dispositivos de potencia
Se utiliza en dispositivos semiconductores de potencia que requieren procesos de implantación profunda y alta energía.
Ingeniería avanzada de materiales
Apoya la implantación de iones en materiales semiconductores avanzados y entornos de desarrollo de procesos.
Preguntas frecuentes
1. ¿Qué tamaños de oblea admite el Ai350HT?
El sistema admite obleas de 6 y 8 pulgadas y es apto tanto para líneas de fabricación de semiconductores de silicio como de SiC.
2. ¿Cuál es la temperatura máxima soportada durante la implantación
El sistema admite la implantación a alta temperatura, hasta 500 °C, mediante un mandril electrostático calentado con sujeción mecánica.
3. Cuáles son las principales ventajas de este sistema para los procesos de SiC
El sistema combina capacidad para altas temperaturas, rendimiento estable del haz y compatibilidad con procesos de SiC, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de semiconductores de banda ancha.
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