El sistema de implantación iónica Ai200HC.D (High Beam) está diseñado para líneas de producción de semiconductores de obleas de silicio de 6 y 8 pulgadas. Es un implantador de iones de alta corriente desarrollado para aplicaciones de dopaje de precisión y procesos avanzados en la fabricación de circuitos integrados.
El sistema admite un rango de energía de 5 keV a 180 keV, proporcionando un rendimiento estable del haz y una alta repetibilidad del proceso. Es adecuado para la fabricación de semiconductores basados en silicio y procesos avanzados relacionados con la unión de obleas, incluida la integración de la tecnología Smart Cut.
Características
Rendimiento de estabilidad de la luz de carretera
El sistema mantiene estable la salida del haz de iones con una fluctuación controlada, lo que garantiza una calidad de implantación constante durante la producción continua.
Amplia compatibilidad de procesos
Compatible con procesos basados en silicio y aplicaciones relacionadas con Smart Cut, que admiten requisitos avanzados de ingeniería de obleas.
Control de implantes de alta precisión
Proporciona un rendimiento de implantación preciso con:
- Precisión del ángulo ≤ 0,2°.
- Paralelismo del haz ≤ 0,3°.
- Uniformidad ≤ 1%
- Repetibilidad ≤ 1%
Alta capacidad de producción
Soporta ≥ 220 obleas por hora, adecuada para entornos de producción de semiconductores de volumen medio a alto.
Capacidad de procesamiento de objetivos por lotes
Admite el procesamiento de objetivos por lotes, lo que mejora la flexibilidad del proceso y permite la integración con tecnologías avanzadas de fabricación de obleas de silicio.
Especificaciones
Parámetros del proceso
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Tamaño de la oblea | Obleas de silicio de 6-8 pulgadas |
| Gama energética | 5-180 keV |
| Elementos implantados | B+, BF2+, P+, As+, N+, H+ |
| Gama de dosis | 5E11-1E17 iones/cm². |
Rendimiento del haz
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Estabilidad de la viga | ≤ 10% por hora |
| Paralelismo de vigas | ≤ 0.3° |
Precisión de implantación
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Gama de ángulos de implante | -11° a 11° |
| Precisión del ángulo | ≤ 0.2° |
| Uniformidad (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Repetibilidad (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
Rendimiento del sistema
| Artículo | Especificación |
|---|---|
| Rendimiento | ≥ 220 obleas por hora |
| Tamaño del equipo | 5930 × 3000 × 2630 mm |
Aplicación
Fabricación de semiconductores a base de silicio
Se utiliza en la fabricación de dispositivos CMOS y lógicos avanzados, y admite procesos precisos de implantación de dopantes.
Integración del proceso Smart Cut
Adecuado para procesos de unión de obleas y transferencia de capas basados en los requisitos de la tecnología Smart Cut.
Ingeniería avanzada de obleas
Se aplica a la modificación de obleas de silicio, la optimización estructural y la mejora del rendimiento de los dispositivos.
Producción de circuitos integrados
Admite la fabricación de CI de volumen medio-alto con un control de procesos estable y una gran capacidad de producción.
Preguntas frecuentes
1. ¿Qué tamaños de oblea admite el Ai200HC.D?
El sistema admite obleas de silicio de 6 y 8 pulgadas y es apto para los principales procesos de fabricación de semiconductores.
2. ¿Cuál es el rango de energía de este sistema
El rango de energía va de 5 keV a 180 keV, lo que permite una amplia gama de aplicaciones de implantación en dispositivos semiconductores basados en silicio.
3. ¿Qué capacidades especiales de proceso admite este sistema?
El sistema es compatible con los procesos basados en silicio y la tecnología Smart Cut, y admite el procesamiento de objetivos por lotes y aplicaciones avanzadas de ingeniería de obleas.
Valoraciones
No hay valoraciones aún.