SiC-Wachstumsofen (PVT-Methode) für die Herstellung von 6-12-Zoll-Siliziumkarbidkristallen

Der SiC-Züchtungsofen (PVT-Methode) ist ein Hochleistungssystem für die Herstellung von 6-, 8- und 12-Zoll-Siliciumcarbid (SiC)-Einkristallen.

Dank der fortschrittlichen Induktionsheiztechnologie bietet der Ofen eine schnelle Erwärmung, eine präzise Temperaturregelung und einen geringen Energieverbrauch, was ihn zu einer idealen Lösung für die SiC-Kristallzüchtung im industriellen Maßstab macht.

Es wird häufig bei der Herstellung von SiC-Substraten für Leistungselektronik, RF-Bauteile und Halbleiteranwendungen der nächsten Generation verwendet.

Wesentliche Merkmale

• Induktionsheizsystem
  Direkte elektromagnetische Erwärmung des Graphittiegels gewährleistet hohe Effizienz und schnelle thermische Reaktion

• Ultrapräzise Temperaturregelung
  Genauigkeit von bis zu ±1°C, um stabile Kristallwachstumsbedingungen zu gewährleisten

• Niedriger Energieverbrauch
  Optimiertes thermisches Design reduziert die Betriebskosten erheblich

• Hohe Stabilität und geringe Verunreinigung
  Berührungslose Erwärmung + Inertgasumgebung minimiert Verunreinigungen

• Skalierbar für Kristalle mit großen Durchmessern
  Unterstützt 6″, 8″ und 12″ SiC-Kristallwachstum

Technische Daten

Design-Vorteile

• Kompatibel mit halbisolierendem und leitfähigem SiC-Kristallwachstum

• Tiegelrotationssystem verbessert die Temperaturgleichmäßigkeit

• Einstellbarer Induktionsspulenhub reduziert thermische Störungen

• Doppelschichtige wassergekühlte Quarzkammer verlängert die Lebensdauer der Geräte

• Zweipunkt-Temperaturüberwachung in Echtzeit

• Mehrere Regelungsmodi: konstante Leistung / Strom / Temperatur

• Intelligenter Ein-Klick-Start für automatischen Betrieb

• Kompakte Struktur für effizientes Fabriklayout

• Hochpräzise Druckregelung (bis zu ±1 Pa)

Leistung und Anwendungen

Der Ofen ermöglicht die Züchtung von hochreinen (≥99,999%) und defektarmen SiC-Einkristallen, die für die Produktion entscheidend sind:

• SiC-MOSFETs

• Schottky-Dioden

• RF-Geräte

• Elektrofahrzeuge (EV-Leistungsmodule)

• Solar-Wechselrichter

• 5G-Kommunikationssysteme

Mit stabiler thermischer Kontrolle und optimierten Wachstumsbedingungen gewährleistet das System eine hohe Ausbeute, Konsistenz und Skalierbarkeit für die industrielle Produktion.

Unser Leistungsspektrum (ZMSH)

1. Herstellung von Ausrüstung

• Kundenspezifischer Entwurf eines SiC-Wachstumsofens

• Unterstützung für unterschiedliche Kristallgrößen und Prozessanforderungen

2. Prozess-Optimierung

• Abstimmung der PVT-Wachstumsparameter

• Verbesserung von Ausbeute und Fehlerdichte

3. Installation & Ausbildung

• Inbetriebnahme vor Ort

• Schulung zu Betrieb und Wartung

4. After-Sales-Unterstützung

• 24/7 technische Unterstützung

• Schnelle technische Unterstützung

FAQ

Q1: Was ist die PVT-Methode beim SiC-Kristallwachstum?
A: Physikalischer Dampftransport (PVT) ist ein Verfahren, bei dem SiC-Pulver bei hoher Temperatur sublimiert und auf einem Impfkristall rekristallisiert wird, um Masseneinkristalle zu bilden.

F2: Warum die Induktionserwärmung für das SiC-Wachstum?
A: Die Induktionserwärmung bietet ein schnelles Ansprechverhalten, eine hohe Effizienz und eine präzise Steuerung, die für ein stabiles Wachstum von SiC-Kristallen mit geringen Defekten unerlässlich sind.

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