Das Ionenimplantationssystem Ai250 (Medium Beam) ist für Halbleiterfertigungslinien für 6- und 8-Zoll-Siliziumwafer konzipiert. Es handelt sich um einen Mittelstrom-Ionenimplantator, der in fortschrittlichen Herstellungsverfahren für integrierte Schaltkreise eingesetzt wird und eine stabile Strahlleistung, hohe Implantationsgenauigkeit und eine zuverlässige Dosissteuerung bietet.
Das System unterstützt einen Energiebereich von 5 keV bis 250 keV und ermöglicht sowohl flache als auch tiefe Ionenimplantationsanwendungen. Es eignet sich für eine breite Palette von Halbleiterdotierungsverfahren und ist vollständig kompatibel mit den Anforderungen der LSI-Fertigung.
Eigenschaften
Stabile Mittelleistung
Gewährleistet eine stabile Ionenstrahlleistung während langer Produktionszyklen, verbessert die Prozesskonsistenz und verringert die Variabilität.
Breiter Energiebereich möglich
Der Energiebereich von 5-250 keV unterstützt flexible Implantationsanforderungen für unterschiedliche Bauelementstrukturen und Prozessknoten.
Hochpräzise Prozesskontrolle
Bietet hochpräzise Implantationsleistung mit Winkelgenauigkeit ≤ 0,2°, Strahlparallelität ≤ 0,2°, Gleichmäßigkeit ≤ 0,5% und Wiederholbarkeit ≤ 0,5%.
Hohe Durchsatzleistung
Unterstützt ≥ 200 Wafer pro Stunde, geeignet für mittlere bis hohe Stückzahlen in der Halbleiterproduktion.
Funktion des Musterimplantats
Unterstützt Multizonen- und Quadranten-Implantation auf einem einzigen Wafer, was die Prozessflexibilität erhöht und die Entwicklungskosten senkt.
LSI-Prozess-Kompatibilität
Vollständig kompatibel mit LSI-Halbleiterherstellungsprozessen.
Wichtige Spezifikationen
Prozess-Parameter
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Wafer Größe | 6-8-Zoll-Silizium-Wafer |
| Energiebereich | 5-250 keV |
| Implantierte Elemente | B+, P+, As+, Ar+, N+, H+ |
| Dosisbereich | 5E11-1E16 Ionen/cm² |
Strahlenleistung
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Maximaler Strahlstrom | Ar+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV B+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV P+ ≥ 1300 μA @ ≥220 keV N+ ≥ 1000 μA @ ≥220 keV |
| Balkenstabilität | ≤ 15% / Stunde (Strahlunterbrechung und Lichtbogenbildung ≤ 1 Mal pro Stunde) |
| Parallelität der Strahlen | ≤ 0.2° |
Implantationsgenauigkeit
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Implantat-Winkelbereich | 0°-45° |
| Winkel-Genauigkeit | ≤ 0.2° |
| Gleichmäßigkeit (1σ) | ≤ 0,5% (B+, 2E14, 150 keV) |
| Reproduzierbarkeit (1σ) | ≤ 0,5% |
Systemleistung
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Durchsatz | ≥ 200 Wafer pro Stunde |
| Vakuum Niveau | < 5E-7 Torr |
| Röntgenstrahlung Leckage | ≤ 0,6 μSv/h |
| Modus "Scannen | Horizontale elektrostatische Abtastung + vertikale mechanische Abtastung |
| Ausrüstung Größe | 5600 × 3300 × 2600 mm |
Anwendungsbereiche
Herstellung von Halbleiterbauelementen
Wird bei der Herstellung von CMOS-Logikbauteilen verwendet und ermöglicht eine präzise Dotierstoffimplantation für die Transistorbildung.
Herstellung von integrierten Schaltkreisen
Anwendung in LSI- und fortgeschrittenen IC-Herstellungsprozessen, die eine hochpräzise Dotierungskontrolle erfordern.
Shallow und Deep Junction Formation
Unterstützt Implantationsprozesse für das Source/Drain-Engineering und die Kontrolle der Übergangstiefe.
Dotierungstechnik
Wird zur Kontrolle der elektrischen Eigenschaften von Siliziumwafern durch präzise Ionenimplantation verwendet.
Prozessentwicklung und F&E
Geeignet für die Entwicklung von Halbleiterprozessen, die Pilotproduktion und die experimentelle Herstellung von Bauteilen.
Häufig gestellte Fragen
1. Welche Wafergrößen unterstützt das Ai250?
Das System unterstützt 6-Zoll- und 8-Zoll-Siliziumwafer und eignet sich für gängige Halbleiterfertigungslinien.
2. Was ist der Energiebereich des Systems?
Der Energiebereich reicht von 5 keV bis 250 keV und unterstützt sowohl flache als auch tiefe Implantationsprozesse für die Herstellung von Halbleiterbauelementen.
3. Welchen Grad an Prozessgenauigkeit bietet das System?
Das System bietet eine Winkelgenauigkeit von 0,2°, eine Strahlparallelität von 0,2° sowie eine Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit von 0,5% und gewährleistet damit eine stabile und ertragreiche Produktionsleistung.
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