Das Hochtemperatur-Ionenimplantationssystem Ai300 (Medium Beam) ist für 12-Zoll-Siliziumwafer-Halbleiterfertigungslinien konzipiert. Es handelt sich um einen Mittelstrom-Ionenimplantator, der für fortschrittliche Dotierungsprozesse in siliziumbasierten und Wide-Bandgap-Halbleiteranwendungen, einschließlich SiC-Prozesslinien, entwickelt wurde.
Das System unterstützt einen Energiebereich von 5 keV bis 300 keV und ermöglicht eine flexible Implantation von der Bildung flacher Übergänge bis hin zu Tiefdotierungsanwendungen. Es ist mit einem beheizten Hochtemperatur-Wafertisch mit einer Höchsttemperatur von bis zu 400 °C ausgestattet, der eine verbesserte Dotierstoffaktivierung und geringere Gitterschäden während der Implantation ermöglicht.
Mit seiner stabilen Strahlleistung, der hochpräzisen Steuerung und der Kompatibilität mit groß angelegten Prozessen für integrierte Schaltkreise eignet sich das Ai300-System für fortschrittliche Halbleiterproduktionsumgebungen.
Eigenschaften
Hochtemperatur-Implantat-Fähigkeit
Ausgestattet mit einem beheizten Wafertisch, der Temperaturen von bis zu 400°C unterstützt und die Implantationsqualität und die Effizienz der Dotierstoffaktivierung verbessert.
Breiter Energiebereich
Der Energiebereich von 5-300 keV unterstützt sowohl flache als auch tiefe Implantationsprozesse für fortschrittliche Bauelementstrukturen.
Hochpräzise Strahlsteuerung
Ermöglicht eine hochpräzise Implantation mit einer Winkelgenauigkeit ≤ 0,1°, einer Strahlparallelität ≤ 0,1°, einer Gleichmäßigkeit ≤ 0,5% und einer Wiederholbarkeit ≤ 0,5%.
Hohe Durchsatzleistung
Unterstützt einen Durchsatz von bis zu ≥ 500 Wafern pro Stunde, geeignet für die Halbleiterfertigung in hohen Stückzahlen.
Fortgeschrittene Ionenquellen-Fähigkeit
Unterstützt mehrere implantierte Elemente, einschließlich C, B, P, N, He und Ar, und erfüllt damit die Anforderungen verschiedener Halbleiterprozesse.
LSI-Prozess-Kompatibilität
Vollständig kompatibel mit groß angelegten Herstellungsverfahren für integrierte Schaltkreise und fortschrittlicher Gerätefertigung.
Wichtige Spezifikationen
Prozess-Parameter
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Wafer Größe | 12 Zoll |
| Energiebereich | 5-300 keV |
| Implantierte Elemente | C, B, P, N, He, Ar |
| Dosisbereich | 1E11-1E16 Ionen/cm² |
Strahlenleistung
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Balkenstabilität | ≤ 10% / Stunde (≤1 Strahlunterbrechung oder Lichtbogenbildung pro Stunde) |
| Parallelität der Strahlen | ≤ 0.1° |
Implantationsgenauigkeit
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Implantat-Winkelbereich | 0°-45° |
| Winkel-Genauigkeit | ≤ 0.1° |
| Gleichmäßigkeit (1σ) | ≤ 0,5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| Reproduzierbarkeit (1σ) | ≤ 0,5% |
Systemleistung
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Durchsatz | ≥ 500 Wafer pro Stunde |
| Maximale Implantattemperatur | 400°C |
| Ausrüstung Größe | 6400 × 3640 × 3100 mm |
| Vakuum Niveau | 5E-7 Torr |
| Röntgenstrahlung Leckage | ≤ 0,3 μSv/h |
| Modus "Scannen | Horizontale elektrostatische Abtastung + vertikale mechanische Abtastung |
Anwendungsbereiche
SiC-Halbleiterverarbeitung
Wird bei der Herstellung von Siliziumkarbid-Bauelementen verwendet und unterstützt Hochtemperatur-Implantationsprozesse, die für Materialien mit großer Bandlücke erforderlich sind.
Halbleiterherstellung auf Siliziumbasis
Anwendbar auf 12-Zoll-Silizium-Wafer-Produktionslinien für die Herstellung von CMOS und modernen integrierten Schaltungen.
Hochtemperatur-Implantationsverfahren
Unterstützt Implantationsprozesse, die eine erhöhte Wafertemperatur erfordern, um Defekte zu reduzieren und die Dotierungsaktivierung zu verbessern.
Herstellung von Leistungsgeräten
Geeignet für Leistungshalbleiterbauelemente, bei denen eine präzise Dotierung und Hochenergieimplantation erforderlich ist.
Fortgeschrittene Produktion integrierter Schaltkreise
Unterstützt die LSI-Prozessintegration mit hohen Präzisions- und Durchsatzanforderungen.
Häufig gestellte Fragen
1. Welche Wafergröße unterstützt das Ai300 System?
Das System ist für 12-Zoll-Siliziumwafer ausgelegt und eignet sich für moderne Halbleiterfertigungslinien.
2. Was ist der Hauptvorteil der Hochtemperatur-Implantationsfähigkeit?
Das System unterstützt die Implantation bei bis zu 400 °C, was zur Verringerung von Gitterschäden, zur Verbesserung der Dotierungsaktivierung und zur Steigerung der Gesamtleistung der Bauelemente beiträgt.
3. Welchen Grad an Präzision und Produktionseffizienz bietet das System?
Das System bietet eine Winkelgenauigkeit von 0,1 Grad, eine Strahlparallelität von 0,1 Grad sowie eine Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit von 0,5 Prozent bei einem Durchsatz von bis zu 500 Wafern pro Stunde.
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