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晶體生長爐
50kg SiC 原料合成爐 高純度碳化矽晶體製備
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晶體生長爐
6-8 吋矽與矽晶圓四面拋光自動線
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適用於先進半導體製造的 6/8/12 吋 LPCVD 氧化爐 高均勻度薄膜沉積技術
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晶體生長爐
用於生產 6-12 英寸碳化矽晶體的碳化矽生長爐 (PVT 法)
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晶體生長爐
使用 PVT、Lely 和 TSSG 方法生長 6 英寸和 8 英寸晶體的 SiC 單晶體生長爐
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晶體生長爐
用於 6 英寸、8 英寸和 12 英寸晶片生產的 SiC 單晶電阻加熱生長爐 (PVT 方法)
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